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[信息技术] 华为"韬(τ)定律"——先进半导体设计的系统方法论

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     楼主| 发表于 2026-5-28 16:37:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    本帖最后由 大黑蚊子 于 2026-5-29 00:07 编辑 1 x( E, [9 l1 W6 t) K% w0 n

    8 k1 P/ T7 ]9 Y  B第一章  韬(τ)定律的提出背景与理论框架
    / N6 I! h' L4 ^: |. g( @0 c
    ' ^' w, _1 G/ w- J3 M: J0 `/ z6 w( S' U% u0 x" ~, b) R* e
    1.1  摩尔定律放缓与"几何缩微"的困局
    ( c; R5 }& W0 Z) \
    4 g& s7 c( t1 |" S) R& r5 |半导体工业的发展史本质上是"几何缩微"(Geometric Scaling)的历史。在摩尔定律(Moore's Law)和登纳德缩放定律(Dennard Scaling)的引导下,芯片性能通过晶体管尺寸的不断缩减、单位面积集成度的指数增长而持续提升,时间长达半个多世纪。
    ! h0 d5 a, c$ N; W% ~+ y然而,这一范式在7nm以下节点遭遇了根本性困难:
    4 Y7 {  d1 G# E$ r; ^% V5 x
    • Dennard缩放定律早已失效——晶体管缩小不再同步降低功耗密度,后段互连的RC延迟取代门延迟成为主导瓶颈。
    • 极紫外(EUV)光刻设备被少数厂商垄断,多重曝光(Multi-Patterning)导致成本激增,良率难以维持。
    • IRDS国际路线图共识:7nm以后纯几何缩放的PPAC(性能、功耗、面积、成本)回报急剧下降,数据搬运的能耗成为主矛盾。
      % E& P) K  h5 L$ e! [8 D
    0 y* H" G2 z7 c
    何庭波在ISCAS 2026的主题演讲中直接指出:"传统演进提供的微缩增长,已经无法满足越来越多的性能、功耗、集成度的需求。因此在移动终端领域,我们必须在摩尔演进之外探索新的技术路径。"
    , P4 l8 M2 k* q8 S; r
      C; `, {  ~/ p0 X- |/ K& |1.2  从"几何缩微"到"时间缩微"
    ( p* X/ k, \2 ?- E: b
    6 p( @/ V( A, l% I7 n3 ~3 W& Y韬(τ)定律的核心思想是范式转移:将芯片性能优化的核心目标,从"把晶体管做小"(几何缩微)转为"把信号路径做短"(时间缩微)。这一思想并非凭空而来——在学术界和工业界,从Elmore延迟模型到STCO(系统工艺联合设计),"以延迟为优化目标"的认知早已有之。但华为的区别在于,它首次将这一思想系统化为一套跨越12个数量级(皮秒到秒)的统一设计方法论。9 E# B2 z6 i0 \
    2026年5月26日,华为在IEEE ISCAS 2026首日发表了由副董事长何庭波署名的论文"A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems",正式提出τ定律。在次日会议中,海思麒麟与巴龙首席架构师黄勇(Huang Yong)等几位IEEE Fellow详细分享了LogicFolding(逻辑折叠)的技术细节。
    * U; R6 W; C8 U, D+ P4 H% P
    & P! O# Q1 P" L6 [/ H
    7 M2 X! h: F$ t$ L7 S& s( _0 p0 @
    ) ?+ S2 k; }9 i6 N4 g' M* z% m  a( _8 ], N
    1.3  τ 定律的数学定义8 ?4 }5 s7 S. g- W* I

    & f* P: y3 Q8 y. i论文中将τ定律定义为跨层KPI框架,而非Dennard量级的比例定律。其数学表达为:% m* w- E) e7 L) Y8 r, Z: d
        τ = f(τ_transistor, τ_circuit, τ_chip, τ_system)4 t2 C( G5 A1 i* J4 P7 _2 ]
        τ_{n+1} = τ_n / α
    , U3 R% H+ `8 O! _/ G其中:
    ( o  X; W2 L1 V5 [& B' P; i$ K& a( e
    • τ_transistor:晶体管层面的时间常数
    • τ_circuit:电路层面的时间常数(门延迟、互连RC)
    • τ_chip:芯片层面的时间常数(跨IP路径、时钟树、NoC延迟)
    • τ_system:系统层面的时间常数(片间互连、网络、软件栈延迟)
      : L+ w8 v+ X+ t9 @9 D) N9 W

    8 K* [/ k, D, \( o/ _) G8 hα 的经验区间:移动约1.3×/年,自动驾驶约1.5×/年,AI工作负载最高可达10×/年。τ并非新器件物理的发现,而是一个可操作的延迟/时延KPI——它的价值在于统一了工艺、电路、架构、系统四层的对话语言,使得所有层级的设计决策都可以围绕"时间"来算账。: n! H/ f! ?/ M4 c% G# P8 u
    1 C3 ]; }+ A, V3 f6 K+ q% |9 V
    1.4  跨层次时间常数的统一框架
    9 t# y( U9 [& Q  [$ c
    ( w9 R' J# |( \/ W. k( _τ定律最重要的洞察在于:当工艺微缩红利消退,系统性能的提升空间主要存在于各层次之间的"接口损耗"中。传统Fabless模式下,IP供应商、芯片设计公司、EDA工具商、封测厂各管一段,层级之间通过标准接口交互——这种分工虽然高效,但每个接口都意味着时间损耗。τ定律的做法是将这些散落在不同层次、不同公司、不同供应商的优化目标重新拧成一条线,以全局时间最优为目标进行联合优化。0 E6 p( F# X$ e0 Q- v

    9 j, e$ W% ]3 y+ u' k" z第二章  LogicFolding(逻辑折叠):τ定律的工程实现+ H# L, \& K$ p$ y% \3 q

    9 P/ }- j( K& r, o6 z" w/ b+ k如果τ定律是理论框架,LogicFolding就是它在芯片设计领域的工程落地。黄勇在ISCAS第二天的演讲中明确表示:"今天分享的是过去几年在移动终端SoC芯片设计领域的一些工作——基于逻辑折叠的移动终端SoC设计实践。"* \+ j" h8 m: ?. R
    0 B+ t  O) O( T  X2 T2 y- B
    2.1  逻辑叠逻辑:与传统3D封装的本质区别- s. F/ I5 |  ?3 z3 `

    5 H$ B7 I- m4 T( J3 d& F' @; d产业界已有多种成熟的3D技术方案:HBM通过存储堆叠提升带宽密度,CIS堆叠实现像素阵列和逻辑的分层优化,3D V-Cache通过缓存堆叠提升特定场景性能和能效。但黄勇指出:"这些方案大多属于相对固定的结构,以及粗颗粒度的堆叠方式,它们的互联密度、设计自由度和逻辑拆分能力仍然有限。"$ C) W  H4 N) K1 ~6 T
    传统3D封装与LogicFolding的核心区别在于设计颗粒度:' D4 @$ i7 I# z# [2 ^$ y! A
    • HBM(D2W堆叠):约1万根互连,固定功能,物理上堆叠但逻辑上各自独立。
    • AMD X3D(D2W Cache堆叠):约10万根互连,整Cache Die堆叠,粗颗粒度。
    • LogicFolding(W2W逻辑叠逻辑):远超上述量级的互连密度,在同一模块内标准单元可跨TOP/BOT Die分布——同一个IP不再仅存于2D平面,上下层是同一个IP。
      & d7 {5 j3 F) d& v+ j8 z
    % P* b/ k' H& z4 Q
    黄勇阐述折叠后的SoC架构:"折叠以后,上层Die和下层Die不再有独立的模块子系统,而是上下层通过海量互联形成模块子系统。上下层Die不再是独立的单芯片,而是一个单芯片不可分割的一部分,还能方便地实现上下层Die资源的均衡分配。"
    % v% _9 ~' \( r3 G2 w0 N7 h8 j& j# R9 L4 e3 j
    ( K3 i) f) I6 ?% w

    - [4 N8 I: H" s! @+ F- Q, i0 o8 k. h0 U
    2.2  W2W Face-to-Face Hybrid Bonding
    5 g" L+ q3 v- L. N6 w/ N  H" h9 G7 p  w9 _/ l0 V# l" _/ L9 I6 f
    LogicFolding依赖于两项核心工艺:& S7 ?0 G: G& S% X
    • Face-to-Face Hybrid Bonding(正面对正面混合键合):两片晶圆(Wafer)正面对正面,通过阵列式的铜柱(Cu Pillar)实现超高密度键合。关键指标:Kirin 2026 HB Pitch = 1.5 μm,顶层金属间距(Top Metal)≈ 720 nm,目标齿轮比(Gear Ratio)≈ 1。
    • 背面TSV工艺(Backside TSV):下层Die需要减薄,并通过跨层硅通孔实现上下Die的电气连接。引入TSV Keep-Out Zone(KOZ),会挤占部分有效面积——"+60%逻辑密度"是trade-off后的结果,不是免费午餐。2 R  C! x2 o% s: X/ }+ z% D
    & b0 X9 r# H3 B1 c- W
    相比于D2W(Die-to-Wafer)方案,W2W的优势在于支持远超D2W的互连密度——这是logic-on-logic的前提条件。代价则是无Die级配片、无系统级冗余——无法像D2W那样挑KGD(Known Good Die),良率对键合工艺更加敏感。: Z4 @* O$ V. g0 x# x$ ~% o% I
    2 {) A' I7 B* _

    0 v% [2 p. O& ]
      l& Q4 H% g9 E5 ~4 H  C2 R% t' n9 r+ r/ E* \

    8 Y' L* f0 U* _
    " f7 O# e) |6 Q3 d- ^
    ( q% n0 C+ Q. {# W2.3  细粒度逻辑分区(Fine-Grained Logic Partitioning)
      q: h$ D# y: |/ ]0 [% M6 y1 k
    6 u1 l0 n) [# |- s! x& ^这是LogicFolding设计理念中最核心的概念,也是工作量最大的部分。传统3D设计中,一个IP模块被打包在单个Die上("模块钉死在某一Die")。而LogicFolding要求在IP设计之初就以3D布局为出发点,同一模块内的标准单元可跨TOP/BOT分布——利用上下两层的结构,寻求逻辑链路的最短路径。1 A% |2 l5 L. N1 L2 W
    三个关键技术要点:/ G* [( z) s: `+ O9 t$ D+ V
    • Ultra High-Density HB(超高密度混合键合):W2W堆叠,键合点的分布密度远超存储堆叠。逻辑芯片之间的连线极其密集且位置随机,需要数量巨大的HB来互连,对堆叠工艺提出极高要求。
    • Systematically Minimized HB-to-TM Fanout Ratio(系统最小化键合点到顶层金属扇出比):由于逻辑堆叠穿过HB的是不可预知信号线且扇出众多,HB附近绕线拥塞非常严重。最小化扇出比是缓解拥塞的关键——需要在EDA算法上进行相应调整。当前国际EDA工具(如Cadence Integrity 3D-IC)的Place仍类似"打平3D成2D再做",不支持真正3D原生布局。
    • Fine-Grained Logical Partition(细粒度逻辑分区):在架构设计阶段就必须把两个Die的单元数量和尺寸控制得非常接近,否则良率和成本都难以优化。海思作为全国最大最全的Design House,具备这样的能力和资源。
      $ [% L( p( T( l% A% O) z
    : T* Z) I* l& }, ]* E1 M- \3 t
    9 F* s! C& s5 b" }3 U3 E/ p
    * m. f( M% R0 Y" l: U: r0 S; i
    . f# j0 J- v. y7 u; d, Y

    6 P. O0 S+ L+ a9 r2.4  SkyClock:跨Die时钟方案, r) P. Z1 f6 v1 @- Q  D

    ( n7 p6 q8 `2 n  r7 ~/ B7 j跨Die时钟分布被多位分析者评价为"全场技术含金量最高的一页"。LogicFolding设计带来两个根本性时钟问题:0 P+ S' M. `1 Z2 @" Q0 i
    • STA Corner数量爆炸:TOP Die可能落在FF Corner,BOT Die落在SS Corner,跨Die的PVT(工艺、电压、温度)角组合相乘式爆炸,传统2D STA直接失效。
    • 时序窗口变窄:时序路径分布在不同的Die上,时钟路径和数据路径的延时差异偏大,时序窗口变得更小。
      $ I7 r5 `1 k9 N" q- t/ w7 I& t

    9 g% j: c9 |3 A: u' i$ LSkyClock的解决方案:Clock Mesh主体放在上层Die,通过高密度HB直接下插到底层Die的Local Mini Clock Tree,下层Clock Tree极简化。成果:最大Clock Skew从135 ps降至101 ps(-25%),核心时钟最大深度-42%。' ?  @$ [1 B/ {  K/ M

    " |; X- v3 m3 ?, O9 n
    . |7 W  G9 l9 v) }# A9 j; `4 r: C; y

    . b5 g) i8 X1 K" z0 I2.5  散热与供电管理1 u! M! U: M9 M' D
    # K- f+ ]7 m. T, ^, O2 E$ ~6 B' w! B
    LogicFolding引入了全新的物理设计挑战:3 j/ R' B/ q5 t
    • 散热(Thermal):下层Die(夹心层)垂直散热能力下降,下层减薄进一步削弱横向导热能力。解决方案是在物理设计阶段引入热感知的Partitioning/Floorplan/Placement——将上下层Hotspot错开布局,降低折叠后的峰值功率密度;同时优化封装散热方案。根据PPT数据,优化后的散热曲线比传统3D堆叠更优,与2D平面结构接近。
    • 供电与电源完整性(Power Delivery & PI):HB既要服务信号Mesh又要服务PDN(供电网络);多电源域TSV管理;全芯片PI Signoff复杂度急剧上升。折叠架构引入的Complex PDN问题需要从设计和仿真全链路解决。4 x9 u9 D* d% x
    6 H& }# H: F' E- c" {

    " L( a6 Z6 j; g( Q& I2 Q1 f4 `  ~6 x; c

    # ?; j+ o0 E8 W( Y# E6 i
    % E8 Q0 J, j: V! I4 |. Z) I' H
    6 W- m: ]+ [) j7 a0 e; x- [, z
    5 _$ L! r6 R9 o. P0 }9 c# v" D: r7 }8 I% H8 O
    2.6  DSP案例的PPA数据
    $ n" x) x  Y5 G8 \, t5 x0 B4 u# h3 G- m' |. Y, W6 G5 n) U
    黄勇以一个基带DSP模块为例,展示了LogicFolding相对传统2D设计的收益(这份数据被多位分析者评价为"只能用震撼形容"):
    4 R/ ^$ f2 c  @3 i
    3 o2 s* Z/ y$ r# l1 C% V
    指标相对2D的变化
    Die面积-40%
    主频+37%
    总功耗-24%
    Buffer数量-56%
    线长-25%
    线电容-34%
    时钟树面积-19%
    时钟线长-28%
    时钟电容-56%
    核心时钟最大深度-42%
    最大Clock Skew135 ps → 101 ps(-25%)

    2 u# a0 q/ \! D  u. s关键物理路径缩短数据:SRAM访问黄色路径从676 μm降至307 μm,红色路径从570 μm降至约10 μm以内;逻辑到逻辑最长的关键路径从680 μm降至451 μm。
    - G1 _* B# B, q一个DSP IP的纯路径优化就这么多收益——"芯片设计发展了这么多年,逼近摩尔极限又喊了这么多年,突然天降一个升维设计方案,能降低这么多信号路径。"
    6 ^. |0 U7 ~- O2 Z" A0 T
    ' {( m1 d% Q- X- J2.7  芯片级性能收益与路线图
      g, f4 K, r" n( F$ ?2 L6 m- H* [# Z. @9 h0 O2 h  j
    基于麒麟2025年产品(未指明具体型号)为基线(=1),公布的全芯片级收益数据:0 U7 n+ g7 k- I6 P

    ' F% T. [6 k; o  a: f+ B
    指标2026年2027年
    晶体管密度(Chip Level)+60%+70%(2028年+80%)
    CPU单核性能+15%+44%
    CPU多核性能+24%+56%
    GPU性能+38%+87%
    NPU性能+140%+213%(绝对性能3.1倍)
    CPU能效+12%+34%
    GPU能效+40%+78%
    NPU能效+81%+118%

    . y5 J; Q' o/ ?( l% u' j0 E密度路线图:LogicFolding(2025年基线=1)2026年1.6×、2029年1.8×。对比Leading Foundry(2020年基线=1):1.5×(匹配节点)→ 1.8×(1.4nm节点)。华为给出的对比结论是——用逻辑折叠做到了与先进制程演进同等的密度收益。1 i# ^5 M  Q) X/ G
    9 f! u2 o# P7 |( T7 Z3 E& S

    # R+ Z3 X$ j- k! R
    0 d& I. _- m5 i/ ]6 W( J, L/ [4 j
    - Y: o& Z( X* L  ^' w+ a第三章  IP-EDA-工艺全栈重构) S, |8 `: ?. r" J/ F0 q# }
    . {3 Q3 {& r: j# W# j
    LogicFolding从概念走向真实芯片产品,面临的根本挑战不在于某一环节的优化,而在于"整个工具链和设计方法学都需要从零重构"。黄勇在演讲中坦陈:"应该需要很多年才会有完善好用的工具链,现在的工作必须在工具很不成熟的条件下完成。"
    ( G' V* r: S- G, }4 d1 ?4 l  O6 ]% t9 f9 |. ^% P% h% O
    3.1  3D原生IP设计:从黑盒到协同; [9 l& B: U* b& q2 j0 a3 A
    6 O9 r$ H% t! O
    传统的Fabless芯片设计是以平面IP为核心进行的。Arm IP拿过来,不管怎么封装,它都是一个区块一个IP。在2D设计的成熟链条中,各方交付的是一个黑盒:接口固定、时序固定、修复机制固定——"我交付了,你别碰我内部"。+ x4 A, T# O$ _$ [
    LogicFolding彻底打破了这一模式。同一个IP不再仅存于2D平面,而是在上下两层Die上协同工作——这相当于给芯片设计升维了。一个SRAM IP在折叠设计中,某些Bit-Line/Word-Line因3D折叠变短,访问频率可以提高;某些Bank因为热环境不同需要更细粒度的监控;跨层路径因为Bonding Variation需要额外Margin。传统的黑盒交付模式无法满足这些需求——你需要SRAM为了你的3D可靠性和全局时间目标去改内部逻辑、改错误恢复、改冗余结构、改上报语义。6 d- p! O( u6 R. D
    这就是τ定律被称为"只有海思能做"的原因——海思被迫在过去几年把软件栈、指令集、关键IP、SoC集成、互联协议、先进封装、3D集成、系统Fabric全部做到自主可控,从而拥有了"命令各个层次的架构师为了全局τ目标而改动内部设计"的权力。这是全栈自研在商业逻辑上的自然延伸。
    & C: J0 h" x$ [! n: ]
    ' H- z5 `$ u- U0 @, U) F- X9 s2 @. @$ q  J
    # B* ~5 d9 `; b* [2 V3 p

    1 d+ k' ~2 W2 u" ~3.2  EDA工具链:从"假3D"到"真3D"3 ?6 ]! C# N( z$ P& D& N

    $ g6 X( h: g. t"设计流程和方法学是逻辑折叠遇到的最大挑战。从平面转向立体空间,不再有成熟的工具链支持。"黄勇在演讲中直接点出了EDA的核心问题。$ R& w& @& w: R
    当前国际主流EDA工具对3D设计的支持停留在"伪3D"阶段——将3D设计打平成2D后在每个Die上各跑2D工具,优化目标仍然是单Die内的时序、功耗和布线拥塞。而"真3D"(True-3D)要求:8 a6 o7 T* ~$ i! H; H9 }* p
    • Cell-Level 3D Placer:标准单元可在Module内跨Die摆放,以全局目标函数进行优化。
    • 3D CTS(Clock Tree Synthesis):如SkyClock方案的自动化实现。
    • Cross-Die STA:处理跨Die时序路径的Signoff。
    • 3D Power Grid分析与PI Signoff。
    • 多层Die统一的Partitioning / Floorplanning。
      - j2 i. Q* N. [- z' f. H0 b

    0 s1 }% e1 m. T& d) {' e4 h0 a学术界已有重要进展:北京大学团队的早期真3D流程结果显示,相对"伪3D"方案,线长减少约30%,WNS改善6%,TNS改善12%,峰值温度仅上升不到3%(近乎无损线长)。华为目前的Enhanced EDA+Multi-Die Co-Opt Loop(含良率联合优化)正是在这一方向上推进。考虑到何庭波明确写的麒麟2026和2027已经在Silicon阶段,说明华为已经在不成熟的工具条件下完成了流片——投入之巨大可见一斑。% Z) x+ ^+ k; Q& F9 [

    / C8 q+ H$ C' q4 c- Q. }/ s/ i3.3  跨Die静态时序分析(Cross-Die STA)+ p! @! k5 F+ @. C5 ~

    ! K3 Q) ]1 ]& K0 r8 d6 L跨Die STA是3D签核的核心痛点。传统的时序分析基于PVT Corner组合,但在LogicFolding中,Top Die和Bottom Die可能处于完全不同的工艺/电压/温度角——导致Corner组合数量级上升。华为公布的解决路径包括:SkyClock方案压Skew;Cross-Die Clock Skew Minimization Techniques;以及多Die统一的时序建模方法。
    ! r2 [  p! N* h: b1 P+ Y黄勇在演讲中还提到时序收敛(Timing Closure)——LogicFolding不仅增加了Corner数量,还因为跨Die路径的物理延时差异增大而使时序窗口变窄,对设计和Signoff都提出了更高要求。
    * t" N' ^; v( \6 q7 S9 |
    ( s+ |1 N8 g& h3.4  良率模型与成本分析  y$ Z; F2 }) B" g

    9 T! Z8 Q9 I' a! O) E& I折叠良率的公式为:Y_Folding = Y_Top × Y_Bottom × Y_Bonding。三个因素相乘,直觉上良率应当远低于单片2D方案。但华为指出了几个关键的反直觉因素:
    7 i! k8 V9 w1 M" K1 R  g* S2 E
    • 单Die面积变小:折叠将一颗大Die拆成两片更小的Die,在Poisson缺陷模型Y=exp(-AD₀)下,面积减半意味着单Die良率≈√Y₀。两片独立良率相乘回到约Y₀水平,再乘以键合良率(接近1时),整体良率可与2D单片相当。
    • 工艺爬坡成果:Kirin 8000/8000A已下放到畅享90系列千元机,N+2/N+3工艺的实际良率远好于外界传闻——能做Binning本身就是高良率的证据(Binning的前提是绝大多数Die是好的)。
    • DFY(Design for Yield):华为在设计中引入了Smart Redundancy等DFY方案。% o$ v) t3 M  ^1 X/ A$ Z2 C

    6 ~' k3 F. a/ [3 i$ z) u2 S但良率模型的限制同样明确:在手机2层小Die上可行,不等于推到大面积AI Die上同样成立。华为在Cost & Yield一页只给公式、不给任何具体数字——这恰好是"华为自己也还没填上的那一格"。7 m  R1 x, j: D
    7 o' Z8 a& K$ [

    1 @7 f1 w$ s" P. a8 S& r. j- e- t$ {. \" `. b% }, z
    * i4 _8 c8 V  m7 o5 i
    第四章  实践验证:麒麟2026/2027流片) f$ l+ V1 ]1 Z# q: a

    0 g3 V& v. I! }& j: l9 K
    7 [% K* z8 O" L% V( q4.1  手机线LogicFolding已经进入Silicon阶段
    : T( r' D9 `  s& b: X
    # u- F' |# j! Z) M' o% h何庭波在ISCAS 2026的发布会上明确写道:"麒麟2026和2027已经在Silicon阶段。"黄勇次日演讲的性质是"分享过去几年在移动终端SoC芯片设计领域的工作"——用现在完成的语态描述已完成的工程实践。可知LogicFolding不是PPT方案,而是已经完成了至少两代产品(2026/2027)的设计和流片,其中2026款已进入工程测试阶段。
    6 B& P1 @+ |7 J* L4 T4 ?$ G6 A公布的2026年芯片级关键指标:P-Core能效+41%、最高频率+13%、主频达3.1 GHz。这些是Silicon Measured数据而非Simulation——验证了LogicFolding从设计到制造的整条路径已被打通。
    / v8 q1 E; S/ @' N"如果它还没落地,我会说这东西要实现,必须IP从零开始,要把IP-EDA-工艺全通了才行,实在太难。但是他在发布的时候,麒麟2026和2027已经Silicon了,所以我无可反驳。"——分析者评价" m  f7 P. M6 y" |
    5 c: B0 r9 t5 R1 W
    4.2  制程现状的重新评估:N+2/N+3的良率证据1 Z9 u# \9 }- i" w

    ! s4 ?. G+ z8 v4 C% k: L" U通过华为目前在售手机的芯片配置,可以反推各制程节点的实际良率状态:
    ; K" M( Y' V9 w0 I# R
    • Kirin 9030(N+3 DUV)用于Mate 80旗舰。
    • Kirin 9010S(N+2 DUV)用于Nova 15 Pro等终端走量机。
    • Kirin 8000/8000A(N+2)用于畅享90 Pro起售1699元的千元走量机。: g0 N( Y4 u/ {& z: E; K

      K4 m/ h. ?, _* A关键证据:8000A作为残血版放在更低价的畅享90中,这是典型的Binning策略——Binning的前提是绝大多数Die是好的,只把分布尾部的边缘片做小阉割。如果N+2真是传闻中的灾难良率,它根本塞不进一台还要走量盈利的千元机。/ q- Q* f1 S+ C3 ]- D9 U

    1 B+ v3 y: u/ k" ?2 S2 A) W# L  r$ B, i! e
    第五章  数据中心线:鲲鹏CPU与昇腾SuperPod. _& ?& y* G5 F# H7 j

    ) E& i# U: J7 Q% I2 p( `τ定律的叙事分两条线:手机线(Kirin LogicFolding)解决"在受限制程下如何持续提升能效";数据中心线(鲲鹏CPU+昇腾NPU)解决"在AI大算力场景下如何打破互联瓶颈"。8 {* `8 L% y- l% F
    . b) _* o) e: P7 {, `7 A) S
    5.1  Circuit Folding与Chip Folding! s+ q! U# s+ {" l% C

    , ]0 D5 Q* P; C* r4 s1 r# ?在鲲鹏CPU上,华为使用了两层折叠策略:
    2 L, G. U. j8 S/ k
    • Circuit Folding(电路级折叠):不升级工艺节点,仅通过3D折叠优化关键路径。Reg2Reg从1.0L缩短至0.4L(代号Project Tiramisu),2.6 GHz基线提升至约3.2 GHz——其中线长贡献+468 MHz,CTS贡献约+100 MHz。证明5nm以下互连延迟>门延迟已成为高频设计的核心瓶颈。
    • Chip Folding(芯片级折叠):Kunpeng 950的2.5D Edge I/O从12k Pins(40 μm Bump)升级至3D Area Array的1.2M Pins(20 μm),互连密度提升100倍。核心数从64增至96,LLC从1.7 MB扩至2.8 MB,SPECint提升+78%,能效+37%。
      : O3 {* p  G7 L: g
    # W- A) v0 s5 F; @
    ' b5 {; o4 {5 M) }+ ~- C7 R$ T
    指标Kunpeng 950Kunpeng 960(目标)
    核心频率~3.2 GHz4.0 GHz(+54%)
    核心数96待定
    金属层28层(Skybridge)42层
    堆叠方式2 Die W2W HB3 Die
    HTL密度>200/mm²
    主要瓶颈Gear Ratio需≤3
    ) p& c8 i6 K3 u" H7 }# Q
    Kunpeng 960的目标是4.0 GHz——华为明确表示"4GHz不是口号,路径存在",取决于工艺迭代和Gear Ratio的改善。2 R, }! R1 B2 |9 |+ @* Y

    5 S6 o& ]+ [( H0 `5.2  Unified Bus:用系统架构换时间0 \) i8 h% L. L
    , \' u2 H3 S4 B4 V$ y. ^* |
    Unified Bus(统一总线,UB)是τ定律在互连层的核心实践。李博杰(前华为研究员)通过OpenURMA开源项目对UB做了全链路实现与评测,揭示了UB是"靠架构不靠工艺"换取性能的典型范例。
    * U  U, {3 S2 Z$ M" X. p传统RDMA网卡挂在PCIe后端,一次远端访问的关键路径上要走五趟PCIe(Doorbell→DMA取WQE→远端读→本地写→CQE写),光这五趟就约1650 ns。UB将控制器直接放上片上总线,CPU的一条Load/Store指令本身就是Verb——那五趟PCIe直接消失,只剩约30 ns的片上总线穿越。端到端延迟对比:UB Load/Store ~500 ns vs RoCEv2 ~2236 ns——快约4.47倍,没有任何工艺变动。
    , _& o) T8 l2 Z+ |更关键的是连接状态的扩展性:传统RDMA每张网卡维护的连接状态是O(N×M),UB拆分为O(N+M)。在1024×1024规模下,UB仅需110 KB SRAM,RoCE需要537 MB——省了约4855倍的状态量。吞吐方面,UB提供分级Ordering语义,WR吞吐高2.80倍。! v3 E: Y+ m$ H: o( a: h
    "4倍延迟、4855倍状态、2.8倍吞吐——没有一项依赖新工艺,全是架构重构的结果。这才是'时间缩微'最该被看见的形态。"——李博杰: K* e3 q- P4 ]8 s  j( N! C6 ~0 {) I
    + f1 Z/ \# P' G# K4 c
    5.3  Hi-ONE光互联与SuperPod演进" H7 ~6 R4 ?+ ?; h, d' E) a

      r. G% F/ z( P. F  S在昇腾SuperPod的Scale-Up互连上,华为引入了Hi-ONE光互联方案:8 Tb/s每芯片每方向、224G×36 Lane、电SerDes距离从100 cm缩短至5 cm、机柜级100 m级光学Reach。UB实现的远端访问从数十μs降至100 ns——约500倍的延迟缩减。
    ) \  \" M' K2 p$ S3 x0 O6 O) T' k
    ! Q# m% P+ S- d. X4 {, G4 o8 Z
    代际NPU数量聚合带宽关键特性
    Ascend 910C (2024)384301 TB/s电互联
    Ascend 950 (2026)8,19216.3 PB/sUB + Hi-ONE
    Ascend 960 (2028)~16,384>16 PB/s光学规模
    Ascend 990 (~2030)待定待定LogicFolding进AI大Die

    2 P: T( x7 o1 Y5 J0 m  L0 x% n  |3 n7 W9 d4 m8 ?
    5.4  Ascend 990:LogicFolding进军AI大Die
    , S. z- P# M& ^5 \1 C* _1 o
    : L4 g* Y% Y- n. u; }6 T这是τ定律叙事中远期最大的"赌注":将手机2层小Die的LogicFolding技术推广到约700 mm²的AI加速器大Die、进化到3-4层堆叠。在手机端,小Die的缺陷良率回收(面积减半→单Die良率≈√Y₀)是代数上可行的。但在700 mm²大Die上,大面积本身就是缺陷良率的灾难区,Y₁×Y₂×Y₃×Y₄的复合将面临巨大风险。所有技术细节都很详细,唯独良率一页只给公式不给数字——这恰好是华为自己也还没填上的那一格。手机端,他们很有信心;AI端,那场仗才刚开始。
    7 B- C- U; |9 U, t' V% N
    % U# i3 A/ L, h+ G; `$ t  p第六章  全栈联合调优:τ定律的独占性优势
    1 i& M7 r. @: L1 h" p$ x( ^8 Y+ ?7 H* }
    4 S8 A+ M+ U- t$ e4 `" @
    6.1  为什么只有海思能做?
    # U# G  w* Z+ m3 N3 P( \/ n" P
    3 w3 m# k2 q: e: z: A# M  Q) yτ定律和LogicFolding,表面上是定义了一个全局时间的优化目标。但这种"全局最优"的实现,需要的不仅仅是技术上的可行性,更是一个其他人难以复制的组织条件:全栈可控。( T) O$ D1 O! q6 L& K
    在大多数芯片公司里,芯片设计是一场漫长的拼图游戏。CPU Core是一个IP,NPU是另一个IP,DDR Controller、PCIe、SerDes、NoC、安全岛各是一个IP——每个IP都有自己的交付合同、验证边界和可靠性假设。你可以把这些模块摆得近一点、连得密一点,但你很难要求它们为了一个全局τ目标,把自己的内部逻辑、状态机、容错策略一起重写。这不是技术问题,是商业协作、验证责任、交付节奏上的不可行。
    # @0 h4 ?4 Z" V( G, L2 J华为海思在过去几年被迫走了一条特殊的路:软件栈自己做、指令集自己定义、关键IP自己掌控、SoC集成自己扛、互联协议自己推、先进封装和3D集成自己打通。这条路当然很苦,但苦到最后会形成一种很特殊的技能点——"从指令集到散热膏"的全栈联合调优能力。
      s4 p3 Y( M3 t! i0 J( h% g3 Y
    + C* Z1 |2 @* h( [, X6.2  IP黑盒问题的突破9 L3 b3 Z7 P7 I  k

    ( E/ z, X0 ]+ I举一个具体的例子来说明τ定律独占性的来源。假设一家创业公司也想搞3DIC,它从一个传统IP供应商外购SRAM IP。正常情况下,这个SRAM交付的是黑盒:接口固定、时序固定、修复机制固定、能跑多少频率就是多少频率。但在LogicFolding设计中,这个SRAM需要:因为3D折叠变短而调高访问频率、因为热环境不同而增加Bank级监控、因为Bonding Variation而添加额外Margin、因为某些故障需要从Fatal降级为可通过Redundancy+Firmware修复。- ]2 [; ]" M" l/ v2 ?+ l
    要SRAM为你的3D可靠性和全局τ目标改内部逻辑,等于让它把黑盒打开重新参与你的系统架构——这对传统IP供应商来说,技术上可行,但商业上不现实。海思能够做到,是因为它控制了全链条——NoC、内存系统、固件、驱动、调度器都在手上。发现某条跨层Link不稳定,硬件可以标记,NoC可以绕路,固件可以记录拓扑,驱动可以报告给Runtime,调度器可以避免关键任务——系统把它当成"性能降级但仍可用"的资源,而不是"坏了就死"的故障点。, E% E7 ^: T3 m$ _

    / Y, x  P4 `8 s0 ]& Z# u6.3  芯片设计与软件的垂直打通; g* y# l; E$ I+ U2 h/ e" |
    " w; K( h, y6 c  R; L) A
    "τ定律不只是制造的事"——李博杰在分析中指出,τ定律的真正价值不在于"等效1.4nm"的制造口径,而在于它终于给"用系统级的时间优化换性能"这件事正了名。过去十几年算力的大头增长,很多来自于架构创新(GPU/NPU/专用加速器)、片上互连演进和系统软件优化——不是来自新工艺。Unified Bus的500 ns vs 2236 ns就是一个"架构>工艺"的干净证明。% t% v  H. _5 o8 m; |! f
    这种从制造延伸到架构和软件的视角,要求从业人员必须跨越传统的专业壁垒。华为当前的组织架构——从指令集(灵犀)到芯片(Kirin/Kunpeng/Ascend)到互联(UB/Hi-ONE)到系统软件(openEuler/MindSpore)——天然适配这一需求。. e- i& ]! T% W2 ^9 R; P! y' X- @
    , ^4 n' N7 \9 w( Z# @6 O  b: y
    第七章  对后续半导体领域的演化推演与预测5 e& [3 L/ h% B& \8 G
    / H. k- C4 N) u- q
    基于上述技术分析和华为公布的实践数据,以下对后续先进半导体领域在IP、EDA、工艺三个层面的演化进行合乎逻辑的推演。) V! W" P" f( l" \. X& g" a" v% _  L  U

    / D9 r5 N+ B! v, k" o5 X( @7.1  IP层面:从平面IP到3D原生IP的范式迁移: ^  ?; E/ W$ @5 V# K9 G
    1 t4 X) k/ E+ I- O  f
    推演1:3D原生IP将成为一个独立的设计品类
    " @" C* J, U1 T$ ]; E- _未来5-7年,"2D平面IP"和"3D原生IP"将分化为两个独立的设计品类。3D原生IP不是简单地在两个平面IP之间加TSV——它要求IP内部的逻辑链路、物理布局、时钟单元和供电网络都围绕跨Die最短路径重新设计。这意味着IP供应商需要从"交付黑盒"模式转向"交付可配置白盒"模式——至少在3D设计的关键路径IP上。这一转变将首先在存储相关IP(SRAM、Cache)和高速接口IP(SerDes、DDR PHY)上发生,因为这些IP对RC延迟和热环境最敏感。
    % Q$ g! q- h1 g' V推演2:IP授权模式将从"买IP"转向"买IP+3D协同设计服务"6 z+ r) s3 g! D& Q2 @
    对于外购IP的Fabless公司,黑盒IP在3D设计中将成为瓶颈。未来的IP授权可能包含两层:基础层是标准2D交付,高级层是支持3D协同设计的"开放接口IP"——允许客户在NDA框架下获得IP内部的关键时序和物理参数,以用于跨Die联合优化。这一模式虽然增加了IP供应商的开放风险,但在3D设计成为主流的趋势下将不可避免。
    2 i# e3 a5 T( y8 }9 \& t; b4 J7 g" r( x* `& Y8 P
    7.2  EDA层面:真3D工具链的加速成熟; Y3 \9 [5 O. u1 g

    9 U( n6 N' `% ]% f$ E. V  ~1 e推演3:Cell-Level真3D EDA工具将在3-5年内形成初步商用能力! r% \, _& u/ D* ^5 @2 z1 R
    当前的"伪3D"EDA方案(打平3D为2D后独立优化)只能作为过渡方案。随着LogicFolding的麒麟2026/2027已经流片,说明了在不成熟工具条件下已经可以完成设计——但成本和周期一定远高于成熟工具。这一现实需求将驱动EDA行业加速"真3D"工具的开发。关键技术节点包括:0 G1 \7 n4 X0 F1 {
    • 3D Placement:基于全局3D目标函数的标准单元跨Die布局引擎。
    • 3D CTS:如SkyClock方案的自动化实现与优化。
    • Cross-Die STA:多Die统一的时序建模与Signoff流程。
    • 3D Power Grid Analysis:多层供电网络的协同仿真。
    • Thermal-Aware Optimization:3D布局中的热感知自动优化。* t/ d3 |4 }6 p0 l9 T1 l) ~2 s

    6 h) `  F9 s7 D  r7 U北大团队早期真3D EDA原型的线长-30%结果已经验证了方向的正确性——从学术原型到商用工具的工程化将是未来3-5年的主题。国内EDA企业如华大九天、概伦电子等在这一方向上将有先发优势——因为他们可以直接与海思的3D设计需求对接迭代。
    8 n# Z! Y* b3 F7 ~8 q推演4:AI驱动的EDA优化将成为3D设计的使能技术" a6 \3 @1 b: f! A/ O& v* `
    3D设计的搜索空间是2D设计的指数级扩大——Partitioning×Placement×Routing×Clock×Thermal×PDN的联合优化复杂度远超现有工具的处理能力。AI/ML驱动的优化(如强化学习Placement、GNN辅助时序预测)在3D场景中从"锦上添花"变为"必要条件"——没有智能搜索策略,人工调参不可能覆盖如此高维的设计空间。
    9 l0 G+ y1 t2 D. \# n' D8 v
    : j, F2 Z; T  \- i! q2 v7.3  工艺层面:国产与全球化路线的分叉
    2 u2 B& [/ H3 S$ \0 q' z8 ~6 \  b/ ^
    推演5:全球半导体工艺路线将正式分叉
    2 X8 w* G; L' n% M5 r& w& }7 TLogicFolding的提出和工程验证,标志着半导体工艺演进不再只有"把晶体管做小"这一条路。在DUV多重曝光接近尽头后,"逻辑堆叠"+Dual Wafer架构形成了与"继续推动EUV/High-NA EUV"平行的技术路径。  B* L; |/ {  {( h/ J" J& e9 i
    全球路线分叉的具体内涵:* @; v' F) p  X
    • 全球化路线(TSMC/Samsung/Intel):继续推进GAA/CFET先进制程,3D方向以HBM、Chiplet、先进封装为主——"把盒子叠起来"。粗颗粒度、相对固定的结构,不改IP内部。
    • 国产路线(华为/海思+国产Foundry):在DUV工艺限制下,以LogicFolding为核心——"为了盒子叠起来以后还能可靠高效地工作,把盒子里面也一起改"。细颗粒度、3D原生IP、W2W逻辑叠逻辑。
      8 P6 n3 o+ d9 K2 i6 z+ `8 ?5 A
    8 o' a4 j: Y- w4 _
    "之前一套流程能给全球所有设计厂商用的时代不存在了。至于分叉之后,结果是什么?五年后,我们来看看吧。"——分析者评价
    2 g6 {, z+ x- A+ H" v推演6:先进封装和键合精度将成为新的制程竞赛焦点: ^+ r2 S3 U3 t' Q3 g( C' p
    当几何微缩受阻,竞争的焦点将部分转移到封装和键合领域。W2W Hybrid Bonding的对准精度(当前~1.5 μm HB Pitch)、晶圆平整度(Z轴一致性)、减薄工艺(应力控制)、TSV深宽比的持续优化,将扮演和光刻精度类似的"制程指标"角色。在这些参数上的进步,将直接决定LogicFolding能堆多少层、能推多大的Die。
    % r% Y8 _' _1 F) U3 q3 S* y7 R: Z
    7.4  产业链格局:从分工到整合
      A8 u* P5 ?3 p3 a# l* u- g6 p. L" o# o) M% b! H
    推演7:垂直整合模式将在先进半导体领域获得竞争优势
    . d  Z* E% u2 X7 o! N# I' U过去三十年的Fabless+Foundry分工模式,建立在"标准平面工艺可以被所有设计公司共享"这一前提上。当IP、EDA、工艺需要为3D设计而重新耦合时,高度分工模式的内在矛盾会被放大——需要一个"中央集权"式的技术主导来全局优化。这意味着:
    + ]  x# f1 _, Z0 {% _8 T) E) v4 j! o
    • 拥有自主IP+自主设计+自主EDA合作的芯片公司(如华为海思)将在3D设计上拥有结构性优势。
    • 依赖外购IP+标准EDA工具的Fabless公司将面临3D设计的进入门槛。
    • Foundry需要提供更深入的设计协同和封装能力(类似TSMC的OIP生态,但还要更深入),否则无法满足3D客户的需求。
      1 P8 y4 r3 s7 s# o3 M  R0 ~
    * h, I9 J0 R! K' N$ d- z4 [
    推演8:国产产业链的内循环迭代将加速
    $ c# _0 {5 R$ J% _9 E  q- I华为已经展示了"在受限工艺上的创新设计可以追赶甚至超越先进工艺的收益"这一路径。这一路径的成功验证将产生两个连锁反应:一是更多国产芯片公司跟随LogicFolding路径,驱动国产IP和EDA生态加速成熟;二是设备/材料/封装的国产供应链因为市场需求端的拉动而加速技术迭代——形成"设计创新→工艺需求→设备研发→良率提升→设计再创新"的正循环。
    0 [- U; a! u% C" k
    0 M: n4 J& B6 f7.5  时间线预测
    5 e+ z6 v; s' x! _
    . a; k4 ]3 z! W  J7 Y
    2 ?. ]: D  k+ N' u# P$ E. V$ x( l
    时间关键事件预测
    2026 下半年Kirin 2026流片公布Dieshot,验证是否双层Logic结构、HB Pitch ~1.5 μm
    2027Kirin 2027量产搭载Mate 90,2层LogicFolding在小Die上形成量产曲线
    2028Kunpeng 960实现4.0 GHz,Circuit Folding+3 Die堆叠走向成熟
    2028-2029首款商用真3D EDA工具链出现(国内企业占先机);3D原生IP开始商业化交付
    2029-2030LogicFolding+3-4层堆叠在AI大Die(Ascend 990)上验证——τ定律叙事最关键的一步
    2030-2031全球3D逻辑堆叠成为主流设计方法之一;国产路线与全球化路线差距显著缩小
    2031+5nm以下制程+3D堆叠的混合方案成为现实,等效密度超越1.4nm

    8 `& A; N8 @" S) n0 @3 a' r$ a
    2 a# _+ o; ?$ }1 u3 b  `8 e' j1 v第八章  结  论* E% [3 I0 f5 H5 u
    6 E$ |2 M# B* I+ V3 @
    韬(τ)定律的提出,是半导体工业在"几何缩微"路径减速后,第一次有企业提出了一个完整、可操作、经过硅验证的替代性系统设计方法论。它不是新物理定律的发现,也不是新器件的发明,而是"优化范式的迁移"——将性能提升的动力从"把晶体管做得更小"转向"把信号路径做得更短"。
    8 X- K; r  p1 \4 S这一迁移的工程载体——LogicFolding(逻辑折叠)——已经通过麒麟2026/2027的流片证明了可行性。芯片级晶体管密度+60%~80%、DSP模块面积-40%+频率+37%+功耗-24%的实测数据、以及从手机到数据中心的完整产品路线图(Kirin→Kunpeng→Ascend SuperPod),共同构成了τ定律的实证支撑。3 D5 K. r6 V4 _3 i
    τ定律的独占性不在于某一项技术的原创性——Hybrid Bonding、TSV、3D-IC、STCO都不是新概念——而在于华为海思被迫走上全栈自研道路后,获得了"命令所有层次围绕全局时间优化而改动设计"的权力和能力。这种能力不是任何一家Fabless公司可以通过购买IP或授权工具来获取的。
    3 S) F' I# `$ q; L) t5 r) k6 J& G对后续半导体领域而言,τ定律的意义在于:它为中国在受限工艺条件下的半导体发展提供了一条可行的、可持续的、经过实证的技术路径。这条路径不仅包括芯片设计的范式升级(从2D到3D原生),还将驱动EDA工具链、IP商业模式、封装工艺、甚至产业链组织结构的系统性变革。/ G' A& j/ b' S3 G; L# U, H& o. R
    麒麟2026/2027的流片验证了2层小Die的可行性——这是最重要的第一步。接下来最大的考验在于:将LogicFolding推广到700mm²级AI大Die的3-4层堆叠。手机端的成功回答了"能不能做";AI大Die考验的是"能不能做到大"。- D4 j- k# }  S! N) ~
    后者的难度是指数级上升的——良率、散热、供电、互连密度、信号完整性——每一项在大面积多层级上都会变得截然不同。
    ( P$ _* N- P+ ?, k. V; n"过去几十年芯片全球化的发展,虽然是工业皇冠上的明珠,但一代下来积累的屎山不算少,而且Fabless模式的细致分工,虽然减少了各环节的投入成本,但是职责分化也让各环节的壁垒加深。当摩尔定律走到极限时,不管是国产路线还是全球化路线,都要开始寻求IP层面的突破,3D设计是大势所趋,这个级别的革新双方的起点是相同的,都要重新开始。"
    , w; G+ k6 ]* V/ O4 D& J6 b: v( A3 h% P) S
    参考来源
    7 W6 Y! |  ?2 |7 y2 h( w
    8 h- J- S' Z* u1. 何庭波 (2026). "A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems." IEEE ISCAS 2026, Keynote Session.$ Y) W; i( C8 L. a* w% m
    2. 黄勇 (2026). "基于逻辑折叠的移动终端SoC设计实践." IEEE ISCAS 2026, Technical Session.(B站IEEE中国全程回放)
    * Z" E' g& r+ Y! N1 ~; w3. 华为官方PPT:LogicFolding for Mobile Terminal SoC, ISCAS 2026 Day 2.
    $ u9 I; ?5 p' Z) @4. 咸鱼小山 (2026). 知乎回答:华为在ISCAS 2026介绍逻辑折叠LogicFolding工程思路细节.
    + O3 s. y1 ?6 _* K5. Bill (2026). 知乎回答:华为在ISCAS 2026介绍逻辑折叠LogicFolding工程思路细节(技术分析).
    3 x, {7 V5 Q3 z( E/ ^6. 栖于永夜 (2026). 知乎回答:W2W良率分析与SkyClock跨Die时钟方案.3 U1 o6 }( c9 F; P5 |, |
    7. 李奇 (2026). 知乎回答:EDA/工艺分叉讨论,3D Partitioning分析.; C3 P  x1 I2 V- m% F4 W6 i
    8. i0nium (2026). 知乎回答:Thermal-Aware Partitioning和封装散热分析.
    2 T& b7 C! z; V7 k$ ?9. 李博杰 (2026). 知乎回答:Unified Bus系统架构角度分析. OpenURMA开源项目: github.com/bojieli/OpenURMA7 _; O1 t; j5 i9 ]5 L3 B
    10. 乱序摸鱼 (2026). 知乎回答:全栈联合调优能力分析.9 O2 g: I+ S! |) v
    11. 华为此前公开技术规范:Unified Bus Protocol Specification (2025).
    3 D- I1 Z8 `9 o2 A& U  r% h" j4 V12. 北京大学团队真3D EDA研究:线长、WNS、TNS、热仿真对比.
    7 ]+ s, _1 z" I. }$ ?  ^13. 华为官方新闻稿及多家媒体报道(光明网、搜狐、凤凰网、CCTV等).

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  • TA的每日心情
    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    [LV.10]大乘

    沙发
     楼主| 发表于 2026-5-28 17:47:23 | 只看该作者
    这是搜集了资料之后让agent重新组合形成的分析文章,修改格式,上传文字和图片也是agent做的# b  Q% Q3 I) T6 }! n1 K# J

    8 i: j$ J. p) e; H& v  V; D, J" E9 O试了下好像感觉还可以

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      发表于 2026-6-2 21:37
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      发表于 2026-5-30 03:44
    给力: 5 涨姿势: 5 不负本宫的欣赏: 0
      发表于 2026-5-30 03:03
    油墨: 5 油菜: 5 给力: 5 涨姿势: 5 这真是极好的: 5
      发表于 2026-5-28 23:43
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  • TA的每日心情
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    发表于 2026-5-28 23:30:54 | 只看该作者
    提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:/ s& d) p; p. x8 u) ^3 R: O6 R
    $ B7 e  D5 f$ V! m4 N6 W" O/ b
    Face-to-Face Hybrid Bonding(正面对正面混合键合):两片晶圆(Wafer)正面对正面,通过阵列式的铜柱(Cu Pillar)实现超高密度键合。
    3 t5 @+ a- `/ u; p

    ) ^2 X4 R7 s4 i1 f4 x* D如何实现?是先分别在两片晶圆上制造电路,然后通过铜柱连接在一起,还是先在一片晶圆上制造下层电路,然后布设铜柱,再制造上层电路,最后把第二片晶圆扣在最上面?第一种方式对精度要求是巨大挑战,第二种方式个人感觉目前不可行。
    3 t9 U0 O, y3 l$ t0 r
    - c6 R, w; z. \读后感:这种方式对散热,时钟,电磁效应是巨大挑战,也就是对设计的巨大挑战,在AI之前是不可能的,现在借助AI才成为可能。最后对良率也是巨大的挑战,估计开始阶段的良率会低的可怕,如文中所述,只能分散到不同产品线,也就是华为借助中国消费者对华为的支持,才能cover住成本。
    " [0 Y" Y& `* v+ m3 b5 C4 q
    2 z6 [/ \% g# F: h2 h- {! Y也如文中所述,这和传统的芯片设计制造就是两个路径,这相当于芯片设计制造的微观世界里的全国一盘棋的计划经济模式。估计早就有人想到,但恐怕真的只有面对生存危机,受到全国全产业链支持的华为才能走通。而这一旦让华为走通并且发扬光大,那未来芯片业就要变天了,很多小IP设计公司要么被华为收编,要么就可以关门了。如果美国不能及时跟进的话(其他国家绝无可能),那台积电都不算筹码了,估计如果十年后大陆登陆某小岛,直接就通知美国,赶快来几艘船把这些破烂拉走,别占我们地方。
    0 k0 @; h5 l1 t7 p9 H5 n2 ]
      e( `* }% ^- ~: u, Z5 p  M; ^
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    地板
    发表于 2026-5-28 23:48:37 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-28 03:47, |6 ]6 {  q$ l6 V0 G: C9 K! Q
    这是搜集了资料之后让agent重新组合形成的分析文章,修改格式,上传文字和图片也是agent做的
    1 |2 K3 u+ O% E# C7 i# j2 r* E2 V- @# b; t) k6 `, j( b8 e
    试了下好像感 ...
    * S/ S* {& {* L: h, _
    哇,Agent那么厉害了啊!佩服!
    , O  P$ U" }- ?3 m更佩服能指挥Agent的蚊行。帅才!
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    2026-3-17 22:01
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    5#
     楼主| 发表于 2026-5-29 00:10:57 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-28 23:30' x+ I; |- l, g# [- S
    提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:

    & n) \. l' N8 A& ?. D应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了
    0 v5 O* B) v7 E! l因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼接,那就应该是可以考虑用不同制程工艺生成不同的部件再组合起来,想想都觉得头大,甚至感觉只是在放卫星吹牛逼: B- U- A1 j" \+ C- \6 \& o# `
    2 i; s3 s" t: O0 z/ @( L
    但是华为自己说麒麟2026/2027(应该是)已经完成了流片,2026进入了工程测试阶段,9月就要正式发布,这就有点儿惊悚了
    8 S* \& L2 ?7 }- X( @人家不是在画PPT,人家已经做出来了,而且良率和成本看上去还都不错

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      发表于 2026-5-30 03:04

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    6#
    发表于 2026-5-29 01:16:51 | 只看该作者
    你们对华为这个吹得有点过了。。。作为Process Engineer, 俺没看出华为出了啥突破性的东西,Hybrid Bonding是已经在用的东西了。华为就是有提高,感觉也比不上YMTC前面搞出来的XStacking意义大。本来以为华为在设计那边搞了突破,但看可梦之的评价好像也不高。: [% j" d+ t; Y
    感觉就是把各项技术综合整合来跳过EUV壁垒,这如果做成当然也是很厉害的,看看下半年9050的表现就可以打分了。
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    [LV.Master]无

    7#
    发表于 2026-5-29 01:18:56 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-28 08:10
    8 N4 J4 B  K3 k% [/ x# i应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了
    ( j  Y' J* B) o# g" B& X因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼 ...

    ; w6 s, Y2 ~/ a6 gD2W (Die to Wafer) bonding,不是W2W (wafer to wafer) bonding. 拼接不同工艺生产的部件不是问题。

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    8#
    发表于 2026-5-29 02:09:40 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 01:16
    1 e" y2 Q% X2 ?  Q& `你们对华为这个吹得有点过了。。。作为Process Engineer, 俺没看出华为出了啥突破性的东西,Hybrid Bonding ...
    1 w, P. k' Z+ a
    4 A! Y/ V) h# v$ [; C
    很尊重你和可梦老弟一直以来提供的业内第一手技术解读,学了很多。这里给两位提供一个其它视角。& S9 N$ I5 ~2 I$ n  `, N: L6 F3 m

    ' a6 r; I& P. A2 i我们习惯美国公司内部和公司之间工作方式的“业内”人,一般按单人、单公司能力估算菊厂工程能力、产品能力。我刚开始就陷在这个坑里,认为微软:菊厂工程师1:5以上的能力对比,菊厂开发、产品能力有限。7 L  }- s' T, F. [
    ) [; @, v7 G' r6 L- A
    但是,实际工程、产品实践结果是比微软200%,500%的快速工程,产品结果。甚至是技术突破。
    6 @( j- Y1 i" i! _, [. d
      v, g0 P; K8 f2 l- w: _为什么?
    8 ]- R" ^5 ], i4 D, |9 Q! ]- y3 J6 q
    只要各个节点有1,2个真正的技术带头人,再加上一个能把所有能力一般的个人、协助公司,合作伙伴公司有序管理起来的强有力的工程管理组织流程是关键。
    3 A3 C. G, \# n3 |' q3 x: G" F3 g4 B: N. ~9 f! e
    就像蚊行文章说的,不能看单点先进性,要看把整个产业链统一起来以后的整体先进性和革命性。
    0 V, k6 i+ h8 e5 O/ {, ?: U( x/ k4 k5 [) @
    福特汽车生产线如果让之前的汽车厂家的工程师看,肯定说这有啥技术突破。但是,这个对于工业生产来说就是革命性的。
    + M: ?/ X0 o+ C2 x% R/ B; m% C5 w

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      发表于 2026-5-30 04:56
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    [LV.Master]无

    9#
    发表于 2026-5-29 02:37:47 | 只看该作者
    本帖最后由 moletronic 于 2026-5-28 10:39 编辑
    % k- O. F$ a4 ]5 H9 s5 J) v) K. R( S3 s' B/ j* z" g0 o
    俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性’之类的评价要求比较高。9050的评测数据出来前俺觉得就说革命性还早了点。
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    10#
    发表于 2026-5-29 02:55:02 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37
    / t3 T" r, c- ~. j: I6 E俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...
    + f# k, H! G4 u: m0 n/ ~" S
    同意同意。菊厂牛皮吹破也不是一次两次了。
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    昨天 16:01
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    [LV.10]大乘

    11#
    发表于 2026-5-29 12:50:30 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37$ g! w' J5 ~  \- R* K+ E9 u. n
    俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...

    . D- D4 w* m& y( y& E# _5 Z0 x0 e要相信系统论的力量。
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    擦汗
    2026-3-17 22:01
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    12#
     楼主| 发表于 2026-5-29 13:01:01 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2026-5-29 02:37  f' M* T! D) h$ G  O: U+ a; Q9 `' I# r
    俺一向是很尊重华为的,而且俺认为松山湖人均水平要强过硅谷平均水平的。不过俺个人对于“革命性”‘突破性 ...

    & U% }3 O: L( _3 w% V3 Q6 G9050这个不算革命性,但这个方法论还是可以称得上革命性的( ]; E9 f( Y/ O9 ^
    看现在的消息9050应该是缩小了面积后再折叠的,估计是良率方面的考虑
    0 g; T# l* |, D! S' P2 v2 l# M如果9050能够达到8gen3的水平(4nm,大核3.3G,八核),那我觉得就算符合预期了9 i9 u4 a' t' p0 G. J& ]. u0 P4 w

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    前天 06:27
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    [LV.Master]无

    13#
    发表于 2026-5-29 16:24:57 | 只看该作者
    看了蚊行的解读,谈谈我的看法:
    / Y) N5 q1 ?8 X* M1、系统性思维:根据功能、性能、功耗等统一设计应用芯片,而不是功能芯片,这就是自己拥有EDA工具链的巨大优势,利用自家的EDA工具可以平衡各功能块的集成度,各Die或Wafer性能、功耗等的平衡,如果发现有些EDA工具达不到的,增强EDA相关设计能力来完成,整个设计按照目标的逻辑来完成,所以称为逻辑折叠。而传统的CPU、GPU厂商只能利用别家的EDA工具做固定的功能块,然后成为物理折叠。0 W$ G" u4 ?0 Y1 V3 f
    2、目前以系统性对抗国外光刻等尖端性,跟上时代的步伐3 I9 r6 ]/ R- u! z
    3、系统性并不排斥尖端性,等我们光刻设备上来后,这套体系将如虎添翼。

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    如同前苏联制造的航天器,单项性能不突出,整体经过系统优化后表现优秀  发表于 2026-5-30 11:18
    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:55

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    14#
     楼主| 发表于 2026-5-29 22:43:53 | 只看该作者
    testjhy 发表于 2026-5-29 16:24
      c0 _/ [$ `: t看了蚊行的解读,谈谈我的看法:' V/ q3 i% R' p
    1、系统性思维:根据功能、性能、功耗等统一设计应用芯片,而不是功能芯片 ...

    , h8 Y4 H2 }# Y更本质一点的话,韬定律这套东西其实是在抢夺先进工艺的定义权1 {* Z' J. n7 ?: K
    从14nm之后,所谓的x nm早就不是对应物理概念的那个数字了,本身也是个等效算法甚至是商标9 b) j/ p$ ~8 y# U" m; K
    既然如此,那就把nm这套老办法去掉,大家按照完成系列通用任务的效率来看,谁效率高谁就是先进的,效率高不就是用的时间少嘛。4 i8 O; D/ z! P4 M/ v2 ~
    也别纠结什么EUV/DUV的,谁能完成任务谁就是好汉" _) Y. J. A3 C  U7 q! G
    # ~. S- g% ^5 N# s+ O2 z
    如果这个9050在性能和功耗上能够追平高通的8Gen3,那就差不多可以认为是相当于4nm的水平
    6 P3 g* v3 e: K7 {7 _9 A用Duv做出4nm来,那不就是Intel当年心心念念一直要做成的事情嘛,最后没成4 D9 k" I& z0 J! K: R8 ~! e
    DUV这么搞下来,成本还真不一定比EUV贵# e3 t9 [$ I& d  a

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    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-6-11 15:03
    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:56

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    云淡风轻 + 8 谢谢!有你,爱坛更精彩
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    15#
    发表于 2026-5-29 23:49:03 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-29 22:43
    4 V# S, q6 X# y$ s! w更本质一点的话,韬定律这套东西其实是在抢夺先进工艺的定义权7 i) p' y2 L8 u3 ~" L' R! Q& u
    从14nm之后,所谓的x nm早就不是对应物理 ...
    9 T/ d. H; C' U& g; n& [6 \
    菊厂在抢夺定义权,尤其是国际标准的定义权上面是有执念的
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    2023-2-8 04:51
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    16#
    发表于 2026-5-30 00:08:43 | 只看该作者
    是不是俺对“革命性”的定义太高的原因啊,俺对9050的期待值可是更高的,应该能达到台积3nm的水平。
    2 M4 |; A  B7 g% |7 |3 G另外,牙膏厂当初可不是用DUV做3nm,是10nm。这其实不算太难,台积对应的7nm就是全DUV制程,后来是为了减成本才用EUV。早期EUV生产成本还是太高了。/ o; T/ j6 T) w, {5 L' E
    华为这个方案很难说能比用EUV的单层方法便宜,毕竟处理的层数要加倍了。

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      发表于 2026-5-30 03:56
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    1 小时前
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    17#
    发表于 2026-5-30 01:48:36 | 只看该作者
    WiFi 发表于 2026-5-28 13:096 s! c! b9 N$ \" w
    很尊重你和可梦老弟一直以来提供的业内第一手技术解读,学了很多。这里给两位提供一个其它视角。3 X! {( s0 D3 t9 @& H# A
    & M/ \# ~1 i% S) I% L
    我们习 ...

    1 B5 ^5 l9 C2 ?2 x6 `站你這邊, 帶過國內團隊, 他們特別適合大規模作戰, 特別能打, 他們一兩個人厲害就行。

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    给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2026-5-30 03:56
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    18#
    发表于 2026-5-30 04:30:56 | 只看该作者
    大黑蚊子 发表于 2026-5-29 00:10
    $ K6 j" u! B6 D7 T应该是第一种方法,具体怎么对齐封装咱就不知道了
    . Z" c) \' N" p- S. _, p8 ^7 u9 t- D因为华为后来说可以有效利用不同工艺生产的组件进行拼 ...
    4 V* a5 }6 N' Y- Q! p# b
    第一种方法能实现也已经很逆天了。但我还是担心良率问题,虽然华为声称已经在300多款芯片上做了实验,下半年产品就要发布了,但产品问世了,性能一目了然,大家都能测出来,而良率和成本这东西,华为自己不公布,别人谁也查不到。
    # K: J% I7 O: ~8 o4 O0 d
    5 A1 r: u4 N* f7 s7 q' H) ]* l1 F华为这次公布韬定律的时机也很有意思,除了技术方面,大概还有政治博弈的因素。特朗普刚刚访问中国,表现得规规矩矩,英伟达黄仁勋最后时刻扒飞机也要来,AMD苏姿丰虽然没能混上一张机票,但特朗普刚走就来访问中国,尤其是当年制裁华为跟进最积极的美光居然也来了。这说明,美国对中国的芯片制裁,是否还能压制住中国,或者说还能压制多久,已经产生松动。华为公布韬定律,也有对美国喊话的意思,早晚压制不住,甚至可能被反超,不如早点合作共赢,收手吧,阿祖。
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    19#
    发表于 2026-5-30 04:53:56 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-28 09:30
    # k8 f6 a* L0 ~" A( f% c提问,请教蚊行,或者蚊行的牛马:

    5 }+ t& e/ T, Y8 n1 K+ e有没有可能是将晶圆布设铜柱后对接,然后上下层同时刻电路?感觉这样才能保证对接精度?
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    20#
    发表于 2026-5-30 09:06:00 | 只看该作者
    方恨少 发表于 2026-5-30 04:30
    / o& E# w% ~+ f  H: u" K! Z! f第一种方法能实现也已经很逆天了。但我还是担心良率问题,虽然华为声称已经在300多款芯片上做了实验,下 ...

    ' p3 `/ |- @0 I) h! c“大概还有政治博弈的因素”
    7 S/ }1 f; m- M; n* m* z0 e8 V% ?. Q2 S9 @& h
    我认为没有政治。海思为发表这个论文准备多半年了,因为麒麟2026芯片马上要发布。必须赶上这个节点先把理论抛出来,然后用麒麟芯片的性能来闭环论文给出的数据。
    # i( m( ]& S* `6 K6 L& U! F. u7 z$ e3 p$ ]! Q! R
    这样这个理论就立住了。
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