国产光刻机猜测

moletronic

5 [  {) M0 H+ [, w9 @7 j/ c
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
% n0 u0 H$ C  u: o光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
% A7 Z' `$ d6 n; H0 j还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
8 G$ m  |( C* y* l. ?1. 表面清洗
2. 预处理
3. 甩胶
; q/ h. M+ L& G$ _# H6 y1 e; ^. C4. 曝光
& Q. ?- d6 X/ e5 N- [0 R5. develop（显影？）
, X" P, ^& N' N  y  ~5 ?( D6. 刻蚀/离子注入
1 p3 y# C! F5 J; @8 _: q7. 去胶
' z) d' u, Q/ ~; D光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：

对于光刻机，公式演变为：
3 G/ y. G: W. g3 f' Z: {1 M7 Q
. D* _, [5 g; _, P这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
/ |1 ]0 @$ ?- o: j! ~) i1. 436 nm (水银灯"g-line")
. L: F% R4 Z7 A0 P+ K# `+ m2. 405 nm (水银灯"h-line")
3. 365 nm (水银灯"i-line")
4. 248 nm (KrF激光)
% I( s$ H" u' N& {; S: \5. 193 nm (ArF激光)
" X, h9 Z; ^3 W; G6. 13.5 nm (EUV激光)
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
% ]; h! [$ I! g' P+ R按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
! ~9 o  B$ E8 ~7 _5 o4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
% a" O3 p2 ^9 e6 y
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。

orleans

下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。

马鹿

我还以为你才30多岁。。。

moletronic

马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
" c$ O$ j, i6 \! ?' e2 S我还以为你才30多岁。。。

- h/ Z7 f$ @3 F5 C* {* J" k- n西西河一开俺就去了，那都快20年了

陈王奋起挥黄钺

凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
  x  O! J4 q# c0 W% e% Q
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
  a' ]$ i9 i* s- V; e" f
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。

宝特勤

在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。

moletronic

公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。

老财迷

感谢感谢
  G3 \/ z6 \( S+ Y6 C+ ~
) H' C% M0 q, p  f工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm

+ ^% _" d5 Q3 y$ [. o按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
1 v. _% {8 e: U/ ~确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的

延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
$ a- D3 l9 C! L$ U& g" w那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
$ \2 X" e) a2 x- Q! t
0 D6 i% c2 n3 ~# S另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
2 |0 y4 e5 n. u0 Y和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
  g% _$ @9 y4 X- `2 M6 M2.1集成电路生产装备
5 n7 M4 C$ Y0 o- f0 l0 d2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
! E% ]; T/ D5 P; U2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
3 K: [% X9 A& z/ L2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
$ d' ~4 {. v: O( ?3 y4 ?' T  }8 y0 r, R2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
1 ^& e* k) `; T! E0 x, z* R2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
4 O1 a# @+ B; Z4 u' S2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
) X: c" \( U. B8 ?2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
' G) q. A1 a4 C+ f, w2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
) z( i1 R1 H! Z7 V9 ^2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
3 Y5 G% B$ |" H2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
" ]4 n: e8 v( T  Y4 U8 n2 p# ~7 n2.1.13化学机械抛光机
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
; B7 a8 ?/ w% E$ Y9 V% K+ \    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
5 q1 I' s( M) E2 Y2 N    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
$ J) {% {: ]# ?! }2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
# ^0 y, `: [& E
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
$ L% J/ v7 R! h9 S3 o! V

老财迷

moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

% ^  Z. c1 k+ W  H: \" n" N1 _* l个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。

moletronic

既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。

moletronic

另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

晨枫

老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
" E7 E; t& t: e' }1 J8 W感谢感谢
# h7 U( u3 ^$ `) @1 e: A# |! s
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

4 n' I- d6 Q  F7 E) L+ G7 \7 G也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！

' [: P6 e6 `2 h2 W5 U* t- }个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
$ F8 T# D/ P' X! w; _/ B$ m
1、内行人一看就知道，还在65nm
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
! Y# r, |( `1 F! |0 [8 ^6 u/ J% ^8 l3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
" a8 g8 I7 B1 c% C7 o
; c* H9 h. B' [3 C% `9 g然后就要等EUV了。

8 B& m) i: B! o& B0 k  R+ L会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？

在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

moletronic

EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

沉宝

晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
1 ^4 `  V+ y3 e& O0 G1 C也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！

个人感觉：相比于前一阵 ...

" v# a  I8 g3 l) p, M  e不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
5 m. J2 O) t! W9 q
  d$ U, c# T% a$ @/ Z' X从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。

以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
- l2 Q  _* T- O3 m
- O3 I) @4 b: c; d
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。


工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

( I. H+ @/ G/ j. P也就是说，EUV用浸水没有用？

晨枫

沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。

( \" o" K/ S! N' G* y从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
, ~& X" h! ]0 z! [也就是说，EUV用浸水没有用？

理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

; ^. A9 R" u5 P! F: Q是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
7 M: h9 o, ?. m9 v是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。

ringxiao

在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
, @% Q$ G: l2 j9 H% _7 J我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。

https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357