国产光刻机猜测

moletronic

被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
% j+ N3 _3 Z5 K8 f还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
& }( K7 [: l6 O6 ?- [1. 表面清洗
. U' Z- q2 M  x: ^3 E% P! B$ S  i7 m2. 预处理
  I9 M# S. y4 P) c# t2 x' @3. 甩胶
& x3 Y% o5 P) G8 y1 }% n& _4. 曝光
5. develop（显影？）
: d# J" }+ |: A) b2 y/ {5 `7 X6. 刻蚀/离子注入
, `' {- d  Z) Q$ Z( l. m7. 去胶
. k# m0 ^$ n5 N, U/ o4 g! o光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：

对于光刻机，公式演变为：
1 v# t9 B, ]5 g9 Q5 a
; t6 u/ Y7 @; r: }这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
3 ?2 p8 X" C5 b2 x1. 436 nm (水银灯"g-line")
2. 405 nm (水银灯"h-line")
1 a0 C8 C0 c! t3. 365 nm (水银灯"i-line")
4. 248 nm (KrF激光)
5. 193 nm (ArF激光)
! e6 F# `. t: e7 q6. 13.5 nm (EUV激光)
0 M  B% J3 w* [0 O" O工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
3 V) s# z8 d; A. y- o/ e1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
% J: B0 p, r3 [' p: A- m2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
5 D) Z8 d! i2 P3 B+ Z0 v4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
# Y5 z3 q' N/ I5 j
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。

orleans

下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。

马鹿

我还以为你才30多岁。。。

moletronic

马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
( \: a& i& y+ W& W: k我还以为你才30多岁。。。

6 t: s% [/ R1 B' e- D. C西西河一开俺就去了，那都快20年了

陈王奋起挥黄钺

凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
$ D) u1 M6 Z! q! ?) o9 V  M1 k
- y6 s1 X0 J8 p# t6 P) ?国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。

9 X! l. F, a  V4 r5 E凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。

宝特勤

在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。

moletronic

公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。

老财迷

感谢感谢

# J  K6 w3 {: r0 ~, W+ B1 Z  u- t7 H工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
  j; W# d6 d. ^, t
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
0 H, L* k) R8 ^3 w; L# P6 S
; ?* J0 c: B% o9 q延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
! H- z2 i( m5 x3 \. J) u( s8 A那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
6 j/ Q! d; U# ^3 F- g
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
: D4 O0 \9 g! j4 S9 [8 S) W和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
% ?! T) B# Z: R, c2.1集成电路生产装备
7 `7 T- t+ `1 v7 P( {2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
5 S* y7 l6 Z: U0 G: f; G7 r1 p. {5 Q+ n2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
, @6 f8 ^: r9 k8 r9 t# R; }2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
! T9 @( F2 M7 Q8 n& l2 k2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
% j+ Z6 U2 t9 T% G7 n: H3 a! N2.1.13化学机械抛光机
' l6 c( q5 b5 ^5 X- _& Y6 A    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
" m" }/ Q) ]4 D8 f5 t    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
( |# E5 w3 i( u7 |0 m3 E2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm

很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
- ~2 o* i/ K, y" X& @$ X# ?

老财迷

moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
4 p- F; Z8 j0 W8 B, ]2 j/ m9 z( o公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。

moletronic

既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。

moletronic

另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

晨枫

老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
感谢感谢
' I* {7 P0 K/ ]# `
( {3 {5 \' u4 y6 C& A) m工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

3 u6 X5 U, [+ J5 t* U% h4 J' g: j6 H也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
. m. X; |7 d0 b* O9 {2 Q4 z. i& X
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
6 q$ u0 Q+ V- p6 T' q
1、内行人一看就知道，还在65nm
4 B/ b0 k/ U% V  H1 o2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
9 O( a, f+ U& e- W* L/ _( @3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平

+ S# o$ U4 q( i# B8 }- P然后就要等EUV了。

0 s6 ~! P5 G9 V7 D. _会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
0 D4 R, h' L* T7 F1 p
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

moletronic

EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

沉宝

晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
4 X6 H: U0 v  W; o- ^8 [也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
: a0 Y/ h4 s7 x6 S  s, w
个人感觉：相比于前一阵 ...

不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
, G: _" g. u7 p5 b% C/ P( D
8 x( c( _4 c" |" h; r- \从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。

7 ]. C! N6 \. N$ Z, C7 o% v以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
' j9 V+ _$ P& R( g; r
1 y& x4 J7 J+ R$ _3 G7 {
+ S$ L" Q0 S' `* s! uSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
, K$ b, h7 \' e4 T( ^; c/ @7 M( c

+ p  L/ p$ A; J5 d! S. y工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
3 Z' x5 L# c0 m5 e( B- ~EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

3 d$ c3 D7 K1 M% I也就是说，EUV用浸水没有用？

晨枫

沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
$ _: M& N' K7 {% @# c不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
3 R9 p# D$ Q; u/ r# M8 u& \8 b5 ~
; y: C4 O, m4 k+ I! G/ f3 i& b2 l从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
8 O  i# v. i4 s. F* M+ `也就是说，EUV用浸水没有用？

理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
# Y# v, y  x! `3 O. q/ w  v' K( `理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

* f: ?8 \1 ?' {  k% M是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
0 L! T, I% `, s. S( }5 j) ~1 Y是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

/ A# D! ~/ u& D相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。

ringxiao

在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。

https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357