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这样的话虽然可以保证对接精度,但键合之后再在晶圆上布设电路的话,电路就布设在上下晶圆的外侧正反两面了,个人认为不可能。. V- Q r4 d# R$ M
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对于上下两层waffle分别铺设电路,再布设铜柱对接,将上层wafer倒扣在下层wafer上的方法,还有一个问题是工艺流程,是先进行wafer键合再进行切割,测试,还是先分别进行切割测试,再对接键合。如果先对上下两层wafer进行整体键合,再切割测试,良率可能会非常低。如果上下两层wafer先分别切割测试,再进行键合,可以保证良率,但工艺可能更复杂,流程更多,时间肯定也更长,也许成本反而会上升。* d+ y4 F8 h& l# _& h. e
/ L% u7 j/ X4 X- P [做最粗陋的的数学计算,假设上下两层wafer的良率都是50%,如果整体对接,最佳效果是50%好的部分对接到50%好的部分,当然这是不可能的。如果能保证如此精确,良率就不是50%,而是百分之百。最差的情况,50%好的部分对接到50%坏的部分,那良率就变成0了。个人认为最优解应该是折衷,比方如果下层wafer的良率高,是75%,而上层wafer的良率低,是25%,应该先将上层的wafer切割测试,选出好的部分,键合到下层wafer后再进行切割。当然,这只是最简单的数学计算,实际情况中良率非常复杂。, j& t5 g) M4 M; a! w, N. S% W g