中国一旦打通DUV技术

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" f+ X- F8 ]% m( [% V国内光刻机的命名不太国际化，不过28nm肯定要浸水的。光刻机的套刻精度如果够好，搞多重光刻，7nm是没问题。
小道消息说国内对应ASML DUV的光栅校准没搞定，只好上了对应EUV的衍射校准，据说套刻精度好于ASML DUV但比EUV差。
& c. X0 E5 k8 v" j/ O另外，ASML的1980i及以下是可以卖的。ASML命名原则：17XX是非浸水，19XX和20XX都是浸水的。

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晨枫 发表于 2023-12-29 11:07
5 K0 I5 G  z$ {2 r! V3 R; j( Q多谢澄清。
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“28nm光刻机”是外行说法。但28nm已经需要浸润式，那看来就是可以一路做到7nm的。

既然SMEE自己都说“28nm光刻机”，那也不好说是外行说法啦。
+ c5 p2 U  k3 E, r1 W多重光刻时最小尺寸由等离子刻蚀机决定，但每层之间相对位置要保证，这个由光刻机的套刻精度决定。良率是一个综合因素的结果。要搞error  budget breakdown，分解任务后各自提高。

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另外解释一下，多重曝光（multiple exposure）和多重光刻（multiple patterning）是两回事。多重曝光完全在光刻机内完成，多重光刻要涉及甩胶，光刻，烘干，显影，刻蚀，清洗等等然后再重复多次，要复杂得多。中间任何一步出问题都会影响最终良率。
9 E$ O% b; A( c. e- m/ m4 f打个不太恰当的比方，DUV做7nm相当于并联发动机火箭，EUV做7nm就是大马力发动机火箭。