TA的每日心情 | 郁闷 2016-2-4 15:19 |
---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
# l' A7 m/ s1 L" F1 G兄弟,我简单说一下我的看法。不一定对,仅供参考。( H* k; e- W2 t2 V% W& q
首先,我没做过CVD制备石墨烯的工作。) x- V- J, k! {6 i/ m& Q
其次,我了解这个方法的原理和缺点。
# D ?; S0 L! p9 }* J8 C* e我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。3 d3 J' J/ ~! P, Q6 z
3 E- ?% Y; y7 D4 G; w按照逻辑分析,石墨烯的单晶(暂时用这个词,觉得有点别扭)生长和转移如果恨容易(你的说法),那么它的的成本就会迅速下降,品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立,那么石墨烯作为新一代透明导电材料,至少可以部分替代现有的ITO,进入下游产品。作为结果,我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品,也是某个先锋型号或者是概念机。可是,我们没有看到产品,就意味着上述条件均不成立,抑制倒推到初始条件,即生长和转移不是一件容易的事情。
' a7 |' h# e4 ^( h- V5 @# V4 G1 z$ @ ]% s5 E, z1 L
化学原理和常识告诉我们,尺寸变小意味着比表面积变大,表面能增加。稳定性酒会下降。7 {9 ~( s0 B3 e2 D4 C
将稳定性很低,表面能很高的材料要独立存在,是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。 G, _& `+ S2 ?" H
, k% k( M" ]8 Q ~4 e# h最后再说一点专业上的东西。+ _* E9 m+ F. p7 }0 G: r
你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。# u& C' q' q" C& \- x" Z
再晶体生长中,单晶硅的生长属于自然结晶。就是说,只要控制好结晶条件,原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件,尽可能避免干扰导致缺陷,错位等影响单晶品质的因素。
. T% t J, H$ X9 z* k/ [) I' n9 G) o( Z& E' Z
石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志,只能想两个维度展开,不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
! O/ [+ W( o4 D9 K1 u) g* K8 r7 e; v) }/ Y7 {7 j, P. K
在人工晶体生长中,有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异,在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度,于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上,就可以获得一维的晶体棒,二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。 v0 v. h m/ D: g/ k0 i
& T' d( h- P9 |$ ]" \
石墨烯的苛刻在于,要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。: F( ^8 @' D6 y
不是不可以,是比较难。5 M5 Z* V2 ~% X0 J
, A5 H% r" Q x6 y: G
|
|