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	性，谎言和千万美金	社会杂谈	holycow 2015-3-24	44 12536	家有黑宝 2015-6-14 22:22

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分享半导体工艺超越史（转）: gordon 2017-1-19 05:50; 这世界上，很多弯道超车，都是靠偷技术的。三星的绝大多数技术，靠韩国人自己研发的话，不可能超越日本的，三星招了太多日本人干活了，学习了很多日本的先进技术，同时和日本公司建立合作公司，进一步提高了自己的工艺和设计能力。三星的14nm没有台机大将梁孟松的加入怎么可能这么快做出来？台机一怒之下状告梁也是无奈之举。中国半导体没有当初张汝京也搞不定，一年就研发出0.18微米的半导体生产能力？做梦吧，连产线的线长都是台机电联电的，操作规范就更不用说了，后来被告赔钱割地都没关系，我们做起来了就行了。当然最近台机终于从intel挖来大将了，太不容易了，要知道以前从intel挖核心人才相当踢铁板，这两年intel走下坡路，人才流出的趋势不可逆转了。这也是我为什么急呼要挖人挖人挖人，国外的先进，我们挖人不要挖几个人，挖人挖哦呀到底，连产线工人也要，他们也掌握了核心科技的。等咱们吃饱 “饭” 了，你来砍我啊。; 156 次阅读|0 个评论

分享半导体工艺发展史（转）: gordon 2017-1-19 05:44; 1.工艺节点简介半导体发展到现在，整个电路发生了天翻地覆的变化。昔日王者Intel给出了一些从1微米到14nm的技术变革的变化技术重要节点:路线图上图中我认为有几个技术点值得关注 1.从Bipolar到CMOS的变化，这个是个重大的革新，CMOS工艺具备了低漏电和低驱动电压的好处，给数字电路带来了春天，来到了低功耗的0和1的世界。 2. HKMG high constant metal gate的导入当工艺节点发展到32nm或者 28nm的时候，传统的多晶硅栅级结合SiO2栅氧对沟道的控制力出现了致命的问题，源漏之间的punch through导致的漏电问题必须用新技术来补漏，台机电在这个节点上顺利摔下了其他的代工竞争者，成了唯一一个有机会跟上intel的选手。以IBM为首的反动派的gate first工艺派遭受了不是第一次的技术挫败，又一次成功的拉着三星GF联电挖坑跳坑，坑了他们。 2.FINFET的重要性专门把FINFET拿出来讲是因为这是一个跨越式的工艺变革，intel在22/20nm这个节点又成功利用这个技术弯道拉距离了，台机电在这个节点上出了大问题，直接导致了高通810的惨败，高通对此相当之恼火。这也是为什么高通10nm投入三星阵营的重要原因，当然三星的坑更多，高通之后又要跳回台机电，因为台机电拥有全世界最全的IP库，在设计上是对客户最友好的。这个可以理解为谷歌和微软对软件兼容性的差异。 intel从22nm起就开始了FINFET，事实表明这是个相当牛逼的技术节点 14nm/16nm工艺上面intel还是领先于业界的，台机为了保证10nm的成功量产，主动没有按照路线图，而是选择了16nm的低难度玩法，当然三星的14nm成功一个重要原因是台机大将梁孟松由于郁郁不得志而远走三星大大加速了技术的革新。 FINFET实际上第一次将晶体管由平面走向了3D ，简单说将沟道由硅内变为突出，利用栅级的包裹，实现了对沟道的三个方向的控制，可以很好得解决漏电问题，实现性能与功耗的完美提升。10nm技术上没有太大的革新。 3.未来的极限在哪里？没人知道硅的极限是几个纳米，但intel提出了一个看法是10倍晶格（晶格概念和原子大小不是一个，硅晶格大约是0.5nm，5个埃）以下很难实现Ion与Ioff的完全控制同时给出的未来技术断裂点是三五族的导入到硅本体来改善带隙开加速电流密度，目前看这个技术导入至少要到2018年7nm的时候才会真正发挥作用。另外一个5nm的技术方向是IBM一直力推但是intel迟迟没有给出正面评价的FDSOI。这个技术的优势是彻底解决了之前平面器件PN往纵深发展的路径而导致的穿通漏电问题，同时未来成本的增加可能并不是那么明显。回到上上个图，intel认为到2020年可以用碳纳米管，其实就是我们说的石墨烯实现1nm的工艺突破，这个明显是或许乐观了，不过IBM一直没有领导半导体未来技术了，这次赌对了？ 4.回到现实 Intel虽然失去了大腹领先的战略机会点但我认为在ARVR世代intel如果调整好战略还是有机会的，这个硬件对手就是高通了，而高通的后台是台机电和三星。当然我们不能说AMD完全没有机会，但是目前从余粮上看没有发动大规模战役的能力，还是搞好GPU更有利于活下去。高通835这次的广告语已经说明了一切：尺寸与上一代旗舰处理器相比减小 35%，功耗降低 25%，能够提供出色的超长电池续航、逼真的 VR 和 AR 体验、顶尖摄像头功能和千兆级下载速度。尺寸和功耗放在了最核心位置，VRAR是最核心的优化点，6个自由度的VR体验对未来实现VR影院的普及相当重要，4k 60帧也是为了实现低延时。至于顶尖的摄像头，抱歉我没看到ISP和DSP的大幅革新的描述，暂且认为是小升级。手机不是电脑，对性能的提升总有尽头，大床论正确的一点就是消费者的体验长尾效应很明显，而市场也给出了答案。小步快跑的性能升级同时向需求更强烈的VRAR方向转向更重要，这是厂商的回答。目前手机市场已经由增量市场走向了存量市场的争夺，今年整体上市场接近于不增长的态势不可避免，营销和设计上短板补足也成了各厂家的重中之重。单纯的希望拿高通处理器吸引消费者越来越没有那么大的作用，这也是有些厂商2016基本上成功把自己的品牌从200块做到了500块的核心因素。花有再红日，人无再少年，再见！另外我想说的是，三年后，中国半导体市场一片血雨腥风可以预见到，过剩的产能将会嘲笑那些对经济规律毫无敬畏之心的肉食者，洗洗牌是不是坏事？不知道; 3065 次阅读|0 个评论

分享丁荣军：汽车功率半导体器件的发展趋势: 热度 2 gordon 2017-1-18 17:34; 　　我的报告分三个部分。　　首先简单介绍汽车功率半导体器件的发展趋势。　　功率半导体器件最早都是由晶闸管后来变成 GTO到MOSFET，到现在用得比较多的IGBT器件。IGBT器件跟传统的器件相比，主要是驱动比较简单，同时损耗比较小，比较适合用于牵引传动包括电机控制器等。IGBT器件包括原来讲的功率半导体器件，都被誉为传统系统，在高铁里一样，把它称之为“心脏”。它主要起到能量传输和能量的点的转换，是电机控制系统的CPU。　　目前电动汽车器件大概占到控制器总成本的30%左右，目前在国内市场上用的电机控制器芯片基本由外国公司提供。　　就控制器技术发展来说，第一阶段是单个模块，到第二阶段有些定制，现在慢慢进入第三阶段，采用双面冷却集成，发展到最后不管是旋转电池、吸热用电池，还是未来冷补电池，可能会把控制器和电机集成到一起去。　　现在IGBT发展到第二阶段中间这一块，第三阶段双面结合的正在研究过程中，发展很快即将会推出。　　目前，国际上面绝大部分公司汽车用的IGBT器件都是定制的，国内基本采用比较标准的封装形式。下一步估计碳化硅由于它有很多的优越性将会被用到汽车上面，现在由于它量不是很大，再加上成本还是很高，目前在汽车上面应用还是有点困难。　　第二部分想汇报一下株洲所这几年关于器件开发做的工作。　　株洲所1959年成立，长期从事电驱动系统，口号是“把高铁的技术应用到电动汽车上面来”。最核心的是1964年开始研究的晶闸管，到2008年收购英国Dynex之后，进入IGBT。到2014年开始建8英寸线，2015年建成，现在已经从650伏到6500伏，全系列IGBT将进入市场，并且在去年已经批量出口到印度。　　从并购以来，这几年由最早的Dynex平面栅技术到现在高性能沟槽栅芯片技术，我们全面掌握，这为下一步汽车级IGBT开发奠定了非常好的基础。　　针对电动汽车应用来说，目前已经开发了三款，包括750V/200A、1200V/200A、750V/300A，300A是双面焊的，后面会介绍到，今天也带来了，有兴趣大家可以看一看，总体性能无论关闸性能还是过载能力，都达到了国际上的领先水平。　　建立了完整的8英寸IGBT生产线，从芯片设计、制造和封装都是自己完成的，采用精细化的沟槽设计后，对产品性能有非常好的提升。　　这条生产线是世界上第二条8英寸的IGBT生产线，第一条是英国的德夫林建在马来西亚。目前形成的能力是每年10万片芯片，大概30万IGBT，按原来的封装形式是这样的。　　功率半导体器件从未来满足用户需求，现在已经可以提供第一代采用平面栅标准模块，到第二代双面沟槽栅，包括同件建核的，包括平面双面焊的，根据用户需求可以提供。　　整个工艺在这时间关系不具体介绍，如果大家有兴趣也欢迎去株洲看一看。　　从功率组件角度，通用IGBT建了生产线，从这可以看到，框的这块采用双面焊，把控制平台和整个器件集中到一起，这样也便于整车企业应用，相对比较简单。并且功率密度由原来的每升10-20千瓦，最高提到24-25千瓦。　　这是功率半导体组件的建设情况。　　采用双面冷却之后，对散热的效率有很大的提升，特别是现在采用智能，把驱动系统和器械结合在一起以后，更加可以提高整个驱动器电机控制器的安全性能。　　这是最新批量生产两种型号的产品，第一种型号是额定功率60千瓦，峰值功率到120千瓦，还有额定功率85千瓦，峰值功率125千瓦，功率密度到24L，重量可以看到前面是5.4公斤，后面是5.6公斤，今天把样品带到现场来了。　　这是关于功率半导体组件，这是最新的，左下角图可以看到，器械都已经集中到一起，已经不是原来单个IGBT模块的概念，是变流器的概念。　　这是下一代正在开发的碳化硅，正在建设生产线，预计今年6、7月份这条生产线会建成。并且现在碳化硅采用IGBT和碳化硅二极管反变量二极管混合型，1500伏的器械已经在地铁上得到批量应用。　　下一步发展规划。　　关于IGBT在现在工业基础上，下一步第一通过沟槽栅精细技术提高功率技术；第二采用同功率损耗，降低控制器的重量；第三通过开发智能节能芯片，对整个系统是一个健康管理。下一步过渡到碳化硅上面去。　　目前产品规划，今年开始将推出IGBT功率组件这个产品，到2020年，希望碳化硅的功率模块会推向市场。; 234 次阅读|0 个评论

分享模拟电路为什么被数字电路取代？: gordon 2016-12-26 08:25; MOSFET 的概念来源于 J.E.Lilienfeld 于1930年申请的专利，然而由于制造技术的限制，MOS技术走向实用的时间比较晚，在20世纪60年代初期，早期几代产品是n 型的。20世纪60年代中期发明的互补MOS器件（CMOS），引起了半导体工业的一场革命。 CMOS门只在开关期间消耗功率以及只需很少的元件，这是它与相应的双极性电路相比所具有的两个显著特点。此外，人们很快发现，与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按比例缩小，而且，CMOS电路被证明具有比较低的制造成本。紧接着的一个明显的进步是将CMOS技术应用于模拟电路设计，较低的制造成本和在同一芯片上同时包含模拟和数字电路以改善整体性能和降低封装成本使CMOS技术更具吸引力。但是，当时MOSFET 与双极性晶体管相比，它的缺点是速度相当慢，噪声相当大，这使其应用受到限制。那么 CMOS技术后来是如何在模拟市场占主导地位的呢？主要的推动力是器件尺寸的按比例缩小，因为按比例缩小不断地提高MOSFET 器件的速度。在过去的30年里，MOS晶体管本征速度的增加超过了三个数量级。 ******************************************************************************** （1）模拟电路涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷，而数字电路基本上只需在速度和功耗之间折衷。（2）模拟信号处理过程中要求速度和精度的同时，模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多。（3）器件的二级效应对模拟电路性能的影响比数字电路性能的影响要严重得多。（4）高性能模拟电路的设计很少能够自动完成，通常每一个元件都需要“手工设计”，相反，许多数字电路都是自动综合和布局的。（5）尽管模拟电路设计已经有了巨大的发展，但模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在难题，这迫使设计者利用经验和直觉来分析仿真结果。（6）现代半导体工业一个重要的目标是用制造数字产品的主流集成电路技术来设计模拟电路。由于这种主流技术是为数字电路开发的，具有数字电路的特征，它不容易被模拟电路设计所利用，因而为了设计高性能电路，需要开发新颖的电路和结构。 ******************************************************************************** 其实很简单，就是微积分的 “逐逼” 法则，还有就是自动化；量级的增加，性能越来越好。 ******************************************************************************** “文明的进步，乃是通过我们无需考虑便能运作的重大活动的数量来实现的。思想活动一如战争中骑兵之冲锋：这种冲锋在数量上受着严格的限制，因为它们需要有新马匹予以补充，所以它们只能在最为关键的时刻发起。” ——）怀特海 ******************************************************************************** 中国的教学呢，过于强调经验，事实上也确实如此，他们就是这么学过来的。但教学要解耦合，不能这么讲。这不是讲课刚开始，它就没有按照抽象的原则跟你讲，所以你不明白怎么回事。 ******************************************************************************** 电路设计中的抽象级别：器件物理级晶体管级结构级系统级 ******************************************************************************** 系统建模随着近代科学技术的发展，特别是大规模集成电路的出现，电子系统越来越复杂。因此，系统级设计与仿真分析备受重视。一、系统的概念关于“系统”，很难用简明扼要的文字准确地定义。关于它的定义，国内外学术界从不同的角度提出了种种不同的看法。这里给出一种普遍接受的定义：系统是由相互联系、相互制约、相互依存的若干组成部分(要素)结合在一起形成的具有特定功能和运动规律的有机整体。 ******************************************************************************** 丁仲礼与蔡静的问答这种胡搅蛮缠的说法，谈判可以这么谈，为自己争利益讲课可不能这么讲，这不扯淡嘛，科学就是有主流的 ******************************************************************************** 标新立异的说法，引得无知者、看客，大声叫好哈哈哈整个都是一群糊涂蛋。 ******************************************************************************** 欺负我读书少，是吗？ ******************************************************************************** http://video.weibo.com/player/1034:333bbf4de673a8c0e569bda7c0ddf2c7/v.swf; 1326 次阅读|0 个评论

分享半导体的电子从哪儿来的（二）: gordon 2016-12-7 16:16; 聊聊这个事，也挺逗的你要从微观机制看啊，安倍定理都不是那回事你说了，妈的，我把物理学好。呵呵，物理能讲好的，也不多。 *************************************************************************** 它跟你说的是一个简化机制，根本就不是那回事，只是为了便于你理解 *************************************************************************** 看你的性格了，你的性格要是死较真，学习成绩肯定好不了。（在中国这个大环境下）反而是耍滑头，做做题，考考分，反而容易成绩好。 *************************************************************************** 有真本事的人，在学校成绩大多是中等。 *************************************************************************** 参考阅读：《大多数人都是蠢人，阻止他们干什么》 http://www.aswetalk.net/bbs/home.php?mod=spaceuid=663do=blogid=64276 电影里，Honey和小四加上后来的小马，这三个人性格的共同之处就是对真理和正义的执拗式的秉持 *************************************************************************** 那个电影是滑头写的，因为滑头考上了师范; 131 次阅读|0 个评论

分享半导体的电子从哪儿来的: gordon 2016-12-7 15:50; 半导体的电子从哪儿来的？并不是像水流一样，从正极流到负极。而是在加场的情况下，半导体材料自己产生的，和原来的电子不是一回事。 ************************************************************************ 大部分的普通教材，用的是简化公式嘛所以看起来好像跟电路一样，其实不是那回事。所以，必须从微观机制入手，才能搞明白半导体的问题。 ************************************************************************ 从微观机制，这就不容易了，这就不是本科生能搞定的事情。 ************************************************************************ 打个比方，就像 “压电材料”，那是加压以后产生的电子。（比喻总是不确切的，你就这么理解就完了）; 161 次阅读|0 个评论

分享计算化学在半导体领域的应用 —— 美国的劳伦斯: gordon 2016-10-17 08:10; 这个说什么呢以前啊，欧洲是世界科学的中心，那时候，法国有居里等等加速器建立起来以后，就都转到高能物理上了 *************************************************************************** 就是这样; 169 次阅读|0 个评论

分享汽车和半导体产业（转）: 热度 2 gordon 2015-7-11 11:44; 类似于过去20年汽车行业。随着去年国家加大对半导体产业的扶持力度，我国半导体产业将在政策支持、下游市场和工程师红利三方面有利因素共同作用下开启高速发展的黄金十年。 *************************************************************************** 一个台湾朋友的看法愈來愈有一種感覺，中國開始變成從前的日本，在很多方面，都是一個先進的國家。特別是全民生活的數碼化注： ” 感性认识 “ 这种宏观判断啊，很真 *************************************************************************** 随着智能手机、平板电脑的高速增长，我国智能移动终端品牌商迅速崛起，带动芯片设计企业实现较快成长，国内IC 设计公司有海思和展讯、RDA 这样移动通信市场深耕者，还有一批崛起新秀，格科微在CMOS 图像传感器领域占据一席之地；汇顶在其传统触摸屏品牌业务基础上研发推出按压式指纹识别芯片，迎来新的爆发点；全志科技借力国内平板电脑产业机遇快速成长。苹果公司提前收购指纹识别技术供应商AuthenTec，并垄断其产品，导致其他手机厂商无法获得合适的指纹识别技术。汇顶科技等按压式指纹识别厂商技术的成熟，有望促进指纹识别技术走向普及。当前中国集成电路设计厂商在3G/4G手机（展讯、RDA 等）、平板AP 处理器（全志、瑞芯微、晶晨等）、IPTV 处理器（澜起科技、盈方微等）在全球化竞争中已经崭露头角，逐渐步入第一阵营。注：兄弟能说，很早就接触 ”触摸屏“ 了吗？那时候还是 core 3 时期，没市场，没人买 *************************************************************************** 市场成长的动力来自于行动与汽车应用的需求带动，特别是汽车方面，随着Tesla、Nissan与福特(Ford)等汽车制造商开始在汽车中部署更多摄影机功能，如倒车录影等，为为这一市场增加了显着的比重。预计在2020年，全球车用CMOS影像感测器市场将达到8亿美元。; 170 次阅读|0 个评论

分享金属——半导体接触: gordon 2013-12-9 12:56; ××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××× M-S 接触指由金属和半导体互相接触而形成的结构，简称金属——半导体接触。 M-S 接触的势垒模型; 0 个评论

分享双M合并搅动半导体江湖: 热度 5 hanhuang 2012-6-23 11:47; MTK和Mstar合并了！这绝对是半导体行业的新地震。手机芯片和机顶盒又将剧烈洗牌。其内部的整合对业界的影响也让人拭目以待。; 个人分类: 业界|725 次阅读|2 个评论

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