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标题: 半导体节点定义 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-18 23:58
标题: 半导体节点定义
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑
$ b4 p5 x" o% f6 u  S. ]& T6 D/ ^& {/ b
看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑，这里解释一下。4 |! B, Z& @3 T1 B) V
其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义，逻辑电路就是执行逻辑运算的，而各种逻辑运算的器件都可以用反相器（非门）为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器，而一个反相器是由一个P型场效应管（MOSFET）串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式：
0 m$ k2 ^0 Z9 J8 H( m* `8 j; U. y[latex]I_{D}=\frac{\mu_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left( V_{GS}-V_{th} \right)^{2}[/latex]
3 e( \, O( [$ _: U* k  W' _这里D是漏极，S是源极，G是栅极。un是电子迁移率，Cox是栅极下面形成的电容大小，Vth是阈值电压（MOS管形成导电通道），W是栅极宽度，L是栅极长度。
+ {. p1 n- z# Q* p. H/ T. w我们平常说的XXnm节点就是栅极长度，所以工艺进步就是要减小L。7 B5 L2 p5 s2 l3 M* ]' j6 P
提高W也可以提高ID，但这会增大器件面积，减小器件密度，所以不会做。) d  O& V4 R+ l% C% j
现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W，不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L，现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。
) `* ~& N" W& [( |现在减小尺寸的主要动力是降功耗，P=IV，电流不能降因为要保持高频，所以降电压的同时要降L。
* _7 ^! W) N1 Q& y近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过，就是因为ID稳定的原因，而90年代主频是一直在升的。
# g" ]& i  L) B! _' m4 a% V
作者: WiFi    时间: 2024-9-19 00:27
这个真是太好了！总算真正明白了。
作者: 隧道    时间: 2024-9-19 15:52
搞个图就一目了然了。
作者: alaok    时间: 2024-9-19 20:22
隧道 发表于 2024-9-19 15:520 m/ f0 c* a2 H/ o
搞个图就一目了然了。
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想进一步图文并茂科普的话请移步下面的链接* k% f: j) G. I
晶体管的发展史：技术如何逼近极限？https://finance.sina.cn/2021-03-14/detail-ikkntiam1218666.d.html
$ m7 J# _* ]% z! n% Q晶体管基本概念 https://juejin.cn/post/7010690489741475847
作者: moletronic    时间: 2024-9-19 23:44
隧道 发表于 2024-9-18 23:52/ b* w6 B) ~2 f) V0 J: @: r
搞个图就一目了然了。
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一直没学会搞图床。。。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-20 04:16
上学时候学过。。。后来做电力， 不接触这个了



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