爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ! f% ]6 D- }3 Q) b
/ r- K; ]7 t% Y0 L9 y
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。# o7 k+ Z' T, g% z& r
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。+ \- y9 S2 g( T
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
# o$ R+ S6 t3 P4 A7 U4 Z4 e+ w9 F1. 表面清洗1 b* x3 U3 S% T5 y' b
2. 预处理
, r. q- J" k) z: b$ l3. 甩胶
3 }' u  |6 s6 q! M; u& J+ M* D& t4. 曝光
6 N4 Q/ b' z' W2 G5. develop（显影？）
2 Q+ Z; [/ n6 Q* s) L6. 刻蚀/离子注入7 D8 x* n5 ^. d
7. 去胶5 h) g0 A+ n4 O: k# y9 J! k
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
$ L1 d& Y+ C4 [/ x: e[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
( r! G" b( P. _对于光刻机，公式演变为：
  T- M* C" N. }3 Z[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex], E/ ~4 y7 E6 B# ]+ H
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
, \" q4 ^7 ^! A" F  p$ J1. 436 nm (水银灯"g-line")
" r# f' f0 G4 ]- ]; `  v! {% ?: J2. 405 nm (水银灯"h-line")
" b* i+ q9 e" R4 ~+ }. _5 |3. 365 nm (水银灯"i-line")+ f/ \( a; z. G) Z. k
4. 248 nm (KrF激光)3 N3 D5 ^1 B9 C5 K2 P
5. 193 nm (ArF激光)" v8 e3 x* }* S. u/ z
6. 13.5 nm (EUV激光)' L+ |( }1 j/ u- D! A
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。9 F3 {2 K0 R; O( @! K
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：; u* J& b9 w. Z/ I2 ?) q
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
7 o3 O8 K& `( t8 D. ^3 L! F9 P! J3 l2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
: _  c& X+ P3 q: v$ N3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。/ P; Y% [7 h* M7 o, @
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。9 X' X8 s  E/ t; {& L
! a" l. K1 ~1 |# s; t5 z) R, A  t
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18& t6 J2 T8 \8 W" q6 x
我还以为你才30多岁。。。
% c& S1 d: J/ Z* _, d7 ]- h6 l0 E
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。' }  z0 z  k3 I  u
9 n! J* ~& ^; G
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
: c7 p: L0 V% X
7 d& L/ i  q% U4 I: J8 B( l凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢: w# Q' D, L% {1 E. Y

% h$ ^6 y0 o: k( w3 x. N) x1 x工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm, j; Q* P; j; B# L6 Z+ T" m
: e! q- N  ^- G- L! R
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
3 A+ q/ }: D3 [5 ^确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的4 X* c2 F; p; w6 j; v

# |9 w5 s& I4 s1 [5 q! q0 [延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
3 b) [1 i) b: r$ `那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。& k4 t! R9 C  L* @  g# G9 Y* y4 u
4 ^) S! \' m, g! s- R
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
/ ^/ X# }, `2 T8 w2 M+ w和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：; v3 x  K% {/ U# }
2.1集成电路生产装备
3 X% s8 ~, }1 b5 F1 W! b, @, ]2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅- ]( U& ~, ]+ ^) D
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗; |8 v$ g+ Y! O$ W  @( ~' }9 o
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm! c/ v7 _* D0 ?( S1 R& J
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影- h2 a; X+ h+ `: o+ h1 X- E
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm2 a& u. ^9 E7 h( ~- ~
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
* S! A- K, _1 X5 P# P" m2 ^" g* W2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
& t8 \1 i: M) d1 @# A& P2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA. A5 B1 h5 }9 p& X
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
" X$ N* F6 I. E5 K2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
) S( ?/ s2 E! I+ q2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
) N8 _- Q5 ^# V- H5 j8 H: w2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
9 I( S' K2 @2 G# R2.1.13化学机械抛光机
" ~% C1 Z. ~4 J4 p: l5 _6 `8 l. Z    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
. l/ Z0 X4 p: i% U, j    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
) r" U7 \& c* |    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min3 F" Y3 k/ \( t" u) r' }2 _
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
2 {( t; W& K! A2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
5 N; R. o( X  A2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
$ z& c3 B; W( r) i" F" c2 o7 H( I& l* F0 N. X+ H" @
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
. `+ |6 t3 V* w- ^
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
4 i/ ^. W9 x; b- T, J( n" d公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
# z8 q0 Q: T. y+ p
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
+ _5 z2 \, B, n感谢感谢5 H% P- t# ~4 C: T9 L
! p  u0 k8 _0 k$ s
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

5 v8 Q2 r. U; J5 F: |也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
( J+ T8 J" ]4 n2 i4 [  Q9 K
& u  j' W9 J0 V/ A* c个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。6 b2 N5 E9 y) k" l9 H7 ~

0 [: A' ]3 c- a3 l2 q: @1、内行人一看就知道，还在65nm9 u# k$ @0 V+ H, q- f
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm, g# }6 S8 U8 Z
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
" F# ^# b0 v4 Z) h) A3 N% s
) D  F/ I9 Y6 h1 K. ^- l) I' q7 t然后就要等EUV了。
1 |% |& v$ D- g- m( c7 |" u6 K1 j7 b; k$ y1 \
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
! v3 Y! p0 u7 q- {
7 F! z* N# A* X9 w& H$ o4 d在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:000 l: W# U: `7 C/ p" f5 a
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
$ G7 }( {) @% C. H+ }
* L2 e# _. d, P1 h) }4 k$ Y0 O个人感觉：相比于前一阵 ...
3 @1 X, q& G! P, Z6 w
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
( G# \0 E+ F3 L5 w; r8 i8 _% m& G* z0 B2 z, w
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。7 F9 _) q  W/ f& L- a* B/ O" `

( d8 _7 R6 l$ W4 ?. Q3 j6 E以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。: \# a7 b, C3 m  _
. I  n! k+ c! V$ j- ~

4 ?+ c6 _2 m3 w8 @: e( E6 M1 M* X8 }SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
3 M3 _+ i6 O- b. i$ O0 q
$ Y/ c( v, N' L0 g1 M
  n! h& z" F4 _3 H工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
6 [7 z6 j* J; _7 Y% v8 g/ z0 wEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
9 C% ]( w1 a2 f3 K; ~) w8 t
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
6 f8 K. {( S2 i1 R1 p( [不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
# }' O4 i- n2 V' b2 A8 x# a  f5 g: {* Y( m& k# u
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

' r( L# H1 h% h- F) ^- M) ~不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
% r( h$ c& x7 T( ?也就是说，EUV用浸水没有用？
7 P) n' d  C' A$ Z* p. \5 [; o
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38# m0 q8 c  A- W+ D! u2 C$ N% r& U* g
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
* V( R3 V1 v: \' b# N1 C
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39; z/ ?2 l. _8 B
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
6 S1 A% S$ N7 g8 M' r: I5 n6 p
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。5 E" f3 t9 i, q. G
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。' @9 j/ c. c7 ]/ o/ n
& D1 V& o' w2 _+ }+ y% _- D$ k. m
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:008 K; p7 Y$ M* x' {# m
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
) f9 a0 E4 x2 @/ j$ _9 i# b, H7 r/ O' |0 A! h
个人感觉：相比于前一阵 ...
+ K2 b$ ?; Z9 z" z: y" j  L. j
. k; T* @9 D  V% C1 M+ a6 X  {
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

9 J; H* f3 {; S8 s5 c" q应该会在5年内实现吧。
1 n0 J( G" `% s6 |1 `1 [7 ^1 a2 G8 P; C# e' v& W- A9 ~' f
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）% Q- B  Q" B5 S6 V2 S4 s. G
24-9-16 23:553 F" N2 ~7 g8 R1 L" o
发布于 湖南
. |5 Z" B8 X, Q! g) K" P8 B9 s( w0 {& B来自 微博网页版; A( Y4 N- B3 M
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机9 D% z% Q; A1 |3 ~6 k
不是运过来就能直接开工的。6 w8 n. P2 d2 G2 H! ~  [3 s
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。- ?/ L( f3 i; ?

+ z5 t' h& F3 W* w9 e这个时间很长，也是我常年说：1 I& B8 k( {. s4 S' K/ R9 k0 l, e5 V
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
( R* V- V& {% ?; `# h' M4 l% A
  Y8 f" w2 r0 P  M现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
/ o# A1 T7 T! @$ ]# g
  z8 ]* f2 u# T5 v! e简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。( Y, s% Y9 K- C3 v* D* z
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
* d9 i; X1 h. g多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
! B' B2 R( \8 w( S0 }2 i但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了: P% J, |& Y* ]6 b* r
2 y) p& u, c# C
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
6 ~& {" r( ~) G; D! F+ r普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
1 X9 {9 q) q% _& W6 p#华为mate70# 也没多久了。: r9 X& r" V1 ?( @- O  m
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06/ c( R5 @8 u9 k$ f+ [( S# F
应该会在5年内实现吧。2 [3 f3 ~1 [5 W% Y
9 V8 A% U9 w% X6 `+ y: Z
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
$ l# u5 Y" r% J1 |
2 [5 J  i$ ]' z, s4 Q- s
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
4 f6 L6 b& B# R& q这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
  _" K$ Y" P8 ^. v4 F3 @
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
$ ]7 Y. L3 n  m( ]
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39$ x' G; ]) J; {: {! ~3 |3 P- d' K0 m. N
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

# Y+ y" [! a6 G1 f7 y2 I# b1 B
- ?/ J5 W: i. t" W按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
, N( M6 v8 Q! M0 s% t* S所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
% e+ L% L  U5 |( c- O0 \7 s. g不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
. i3 a5 R3 L1 X+ I4 E+ w' }
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
$ X+ o0 b2 y* N/ v4 M7 f  U8 w按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定: a- [3 N' x" k' t/ W- E  ?% ]% n7 U
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
; V5 x0 ], X9 z0 S
有道理。
$ Y0 I1 {: ]" G: p" g" m
! Y- I/ [5 R% ^. [( R不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
  A8 ~# R% ]* p
4 _- j  J" z* Y中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
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这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08  s& m5 A# G# }
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

% j4 Q7 `' n* q8 r$ q, [这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54( X- s+ o. P, q0 T4 k
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
; Q/ c7 `+ Q: G( S  c/ Y所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

' m, d  z4 h# b还没搞定？ 9 n6 w& l1 E0 N! `$ O- V) ]
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
1 a& R7 ?2 Y7 O4 N* d+ z3 |尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。& |$ v( P2 B  U6 M4 p2 O
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:545 C  F* T: E: m
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
. c- P" I- E! x" U. U& l7 w所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
5 w$ A( I8 m. a3 l
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
3 O) p* K; B, y! k有道理。. g( M  ~) T0 K

4 @" X2 T2 U) A% \不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
4 w5 F5 {/ {6 a/ V* G
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。% Q% }3 Z1 q  j" G
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
0 _: e$ y1 ?4 c' ?
雷声 发表于 2024-9-16 19:19: Y2 ?8 U; E1 Q
还没搞定？ $ o  `& a7 L7 B* k+ j
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
) ?# G7 u% z& K- p6 R
+ n/ e) P$ Q6 X+ h
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
  e0 |/ h0 U- f  g$ X) j' k有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21& |" {8 b$ ]8 q9 }5 ?( \  v3 g
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
7 s, R, A% v3 P) f4 a存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？
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% d; e+ Z, ^& j" T; ~我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34$ W# {: P# F8 }- V# n
需要用到浸润DUV吗？7 S) @' _, u- B3 y2 p
" Q& _- q' r5 U3 b( j- B
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
# V# R, b7 @2 T. M- u$ @$ q
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23+ ?' k3 }* D& E1 M4 l. d( H
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

# i0 Q% h6 t0 v8 V- x- a是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。6 Z2 J/ A0 T2 H

0 j& q% o4 |; H* A( j硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37  J- g) T! [8 B. u
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
5 |4 R$ n9 Q& \( K& k: ]按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* K) x4 L/ ]0 k3 G- K+ g5 Z: |
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

* D: I. k0 ~4 i7 k# ~具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 2 b' O1 u1 {# P& V+ n! L' Y, h
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
+ f% U; r$ `; B. t: W5 _& [具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
8 z' l* R+ T/ g6 }

" p& d! y+ M6 X* i' M1 P# j这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
, T# I9 z: E- G; i+ C都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

  P' Y, k3 f. K6 ?% r8 h% @/ b不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
2 V' h3 H6 k. t& X这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

) ]6 P0 p. U3 }% o. z8 }+ D7 w中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
. t% v* e& p. m9 u5 ?+ Q: }  e: J在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。# t, s; O/ u6 H' I2 H6 E6 D' R$ ~
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
$ k6 B4 T* T" P: D# W
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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