爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
4 k; z9 ^  T. h) y
- ~- T" \( B, w被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。' `$ \: z5 D) A: L
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。# r# H" q& C# e
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：2 p( m! D) N6 ^& r1 \
1. 表面清洗
! P6 S1 ]- }, o2. 预处理* L6 g9 l" U* a# Y6 r
3. 甩胶
4 Q0 Z8 C+ A/ J6 b/ C4. 曝光2 b8 s& c, x9 |( W; ?, E% f9 b
5. develop（显影？）
4 ^  X1 e9 _" F0 x6. 刻蚀/离子注入
1 T2 I+ Z8 A# W8 F7. 去胶% H2 y0 y. V/ W- O7 Y
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：; r* Z8 {- N0 y; [% V# z
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]* O/ W0 \7 A- k$ a  @
对于光刻机，公式演变为：# ]& I& Q7 q2 T2 G; M) t* |4 Z
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
5 e6 A! Y, Y) F- \4 n- ]; V这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
3 V+ }9 ?0 Y3 t4 w" D( j- V1. 436 nm (水银灯"g-line") ( U9 Z  r6 _4 x
2. 405 nm (水银灯"h-line")
- V- N5 S. h  F* o/ n3. 365 nm (水银灯"i-line")
3 q7 _5 U7 H5 ?% U( }( _2 f4. 248 nm (KrF激光)6 b6 D( Q) P" c0 j, S6 v: f+ c% p
5. 193 nm (ArF激光)1 ^. p* F7 u3 N; L7 ]  E: c1 p" f
6. 13.5 nm (EUV激光)
, O" m$ `* r4 R6 M工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。- u, n) S% ?- b% h: R5 x, K
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：/ h7 y/ w. m8 h* V7 B$ E
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。' m) U3 b+ H8 A% |2 b5 r% ~
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
! m$ a1 g/ c% s! y1 ?2 a* E4 Q3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
6 y, C( l" ^1 a/ g( P( w4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。6 }+ M: _, R. y

0 ^, Z: e% r8 L! G网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
( @0 `1 b9 x) b1 T: u" C我还以为你才30多岁。。。

3 G9 x" M, D% r西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
5 \( B! ^5 V$ R" X* `$ \# t$ k3 g+ `% e- J& k: T& z. Y/ s
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。' L7 Y' k. I% F- g+ \

+ v2 j; ^9 ~* p/ x$ P凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
- ^2 n/ m3 M! A! w; |* e2 p/ ?
7 ]7 L/ Q. \; w5 f) g8 J工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
" a2 h4 j1 Z7 U& N7 l9 y) c, d! h( O( f! [* m2 y
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。! j% }: E  i! L% y* a4 b$ x8 d8 T
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
  V9 {  R2 E% s2 A
) M: A2 P& s% t  o' j: r- v延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
. T: q  V1 k  a* o- I那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
) b. B- d6 N4 i4 @3 @
5 G, ~. n2 [2 R+ c7 u1 L2 z8 N另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html  L: v$ k% g+ Q* I3 G& u
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：4 F9 w8 V' k6 o. a; ]
2.1集成电路生产装备
' U* C) V% U# r5 P0 q  l2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅6 _% D+ `7 \! A8 u) M& g; d* w5 b
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗4 ]: T! S& v$ c1 ^
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2 N( m9 z/ H5 w0 o2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
- J: ], t7 _6 a& _$ W0 u2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
, ^' t. Y* F! ]. Z* U+ b2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
% I7 f6 l* e  M3 i6 |0 Q+ d2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%4 n, q9 ]3 t) C1 @4 Y3 K
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA& @6 e/ o# O4 U2 i0 t
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀  c7 a! [: y3 c5 I; L+ m' L
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°& g" r' n$ I- V5 r
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积; ^4 J5 ?/ `9 Y
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
$ k. j6 I9 Q# k4 B1 c% N8 T6 o2.1.13化学机械抛光机 , N! P( j1 n2 u, D
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min* `* \+ y! q/ |6 k* d
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
' n6 R2 S' K+ f    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
. M" o/ j9 i9 L4 L) q    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min6 V2 {8 b- b- {8 |8 v
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm& ?7 n( m5 ^9 A& {9 ?) {$ O
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm0 I- G( `6 G; H7 k$ U$ Q
; v1 D- ]$ {0 v8 Z. M: k( w! \
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。, e1 X6 A5 C# e& K$ X5 t- ^2 v+ G
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:462 O1 ]# m9 t. S) D6 j( T3 @9 h) M- O8 G
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

$ r0 r0 Q, |/ P- c) w% G6 X个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:190 ]+ y  q, K7 A9 t/ y0 w6 u
感谢感谢
# @/ d  i5 k" ^! |% g0 k0 E/ x& Z# I. E1 e' ~8 w5 ]# k
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
% u; B$ Z5 a; `/ W& m$ M
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！* L, Y$ t+ M. B2 {: m1 j
4 a+ ]( o( K: c) V7 w* t$ \
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
( I* h2 B7 k0 G$ F- [
" g* J* M) z5 X' `9 @1、内行人一看就知道，还在65nm! o+ e0 A5 z8 x$ Q2 h, }0 o* i
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm7 @0 y' Z2 X3 [$ [3 R$ v) C( s
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平+ O1 k) d! r3 b+ _$ Q' w( n: y
7 i( ]7 x& B' X9 V
然后就要等EUV了。
$ y- R4 O; u. Z2 _, G0 N* P( Y& q7 G
  b: E! R& U! l  S; ?会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
# f8 O/ n/ t/ n9 t, s4 a, k) s  o
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00! t( }2 V. v8 T. C& v
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！+ @% O5 S! Y: _9 L
+ d; Z- i! N/ z1 w
个人感觉：相比于前一阵 ...
) V) Y+ A' u" a" O
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
2 V, j( y# p- o( f7 U  Y7 }2 W6 C! o4 ~
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
! I( n% P) ^5 I) C/ t6 G
. u3 }# s+ H/ i" G7 v, H( B以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
# M# r+ q# Q0 v  r  n. ]$ \- u+ w  v0 a5 Q( N

# w/ N0 S  F0 wSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
  x- l8 m# g1 p
! U' Y% Z) U, u' U3 g
; K5 ]5 c! U7 `! ]# B7 T工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
( A" |. b5 a8 g% fEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
- o7 U$ e, {8 S* ?9 }% I3 I5 i
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
2 [, a/ J" C8 m- P* F. F4 `- H" N  Y不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。! b, k" o- `) m5 h% A

( g7 F- X# H( R9 I1 G5 t从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
: o0 M" S0 Z' \* F# L2 x
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
# S/ k# D7 n' O% Q4 q也就是说，EUV用浸水没有用？
0 ?% M2 K8 \3 o. h, ?
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38' M. e, r4 j% _+ \4 s9 J
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

6 R, E1 n$ ?9 g- q是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
% g) _) y" `# S; q6 J. B  A8 G2 m是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

' D) _3 ?  d+ ~% |相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
5 F6 F: e/ H2 _& @, W我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。, O- B3 M8 `0 I( j  c8 E! w: Y
, U; p2 v& E. q1 Y, d+ N" ~( c
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
2 V. p* m$ ~& ]( G* x7 A5 {1 ?也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
: j: _/ |8 S2 L: r- w7 B. l0 I$ q0 d1 {" o
个人感觉：相比于前一阵 ...
" q  R2 L8 d: }7 b
7 {) x2 m' k0 I5 N  _! _
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

7 p' Z0 H4 x( d2 L( Q% S应该会在5年内实现吧。/ M; Z% H- g' Y% a4 h

/ o4 Q/ f1 Q3 ?. p$ Z& l4 e8 a微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
5 g2 X: d8 D- V' Q9 d! e24-9-16 23:55
0 G4 Y3 Z( h+ K5 P发布于 湖南& K0 {) x5 I# `. `, c8 l8 U
来自 微博网页版6 \* v( a) ~9 R: h
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
" J% I! w/ U! H$ A  ^* r. I不是运过来就能直接开工的。
7 N  ?8 ~3 F, r他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
4 X' ?- M! e+ o4 r8 {
+ F$ M7 J: M2 ]$ p这个时间很长，也是我常年说：- C, p) Y) a' i8 Y# _* x
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。; p( b4 \) P. d; H

# U6 `+ E7 d* `1 z& y现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
5 ^6 y* A* W8 z  D2 |" o- C  S  N  ?; r1 F- n
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
/ h/ k: C; O6 p8 o8 a干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）! i) ~) d1 h$ b
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
$ B2 k$ w9 \) l* i5 h# d- O2 B但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了6 d2 o1 O6 V- q
# @# v. u: \. V, h) k3 B: _
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。+ @! a1 P: R7 l2 v
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。* D4 W" }' F9 A" L3 C# K2 P) K
#华为mate70# 也没多久了。
' e- F% l% l3 z6 p' C4 u' @
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06) |! Y1 K- @% v1 r* ]1 m
应该会在5年内实现吧。
# E  o4 P5 ?& P) k9 l1 W- J0 b9 C% d; q3 X: L2 [$ ~+ P
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

# b! ?% G5 i; F' A0 L
" ~0 i6 j6 D1 i8 a0 F$ T* f- y; b$ w这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:156 \) e2 ?: ^: J+ R
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
4 v; ~; \' `  I" ?9 S
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
5 a0 v' g1 M8 a( i- J
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
3 R" q$ g; D3 W2 |5 T7 H; A但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
7 z) c7 B2 T; E: o$ b
% D4 Y8 |1 l2 r  B
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
, k2 {: p5 e3 u+ T% g2 U2 f所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34# {" r' l0 S# @$ ]
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

, q1 Z" A, j5 r理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
7 v) M( h0 K4 A按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
" }7 _& z; B; E. _. Y! d" k$ b1 Y- b所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
! r" d2 C7 E% ^' T0 c
有道理。
2 x* N/ @7 t; |+ i4 N- a$ X$ a2 {
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
' K: @6 n* z1 y% Z& Y
; y- R8 p- B- D中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。& u1 {3 C- d/ K9 p5 }' ]/ b
0 A% s6 ^* `( G4 S; W
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08' m1 Z2 L' W- w& V& A5 o
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

; a8 U+ d1 F' A( ?  @# @& @这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54' w- [# a8 C, i4 l$ k/ d& I) I
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
7 ^+ D7 u# g; Y; L9 z) {' E/ R所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

. @6 b9 l4 l6 j9 N. J" \还没搞定？ 0 n1 h" R3 V# G0 i0 h+ J
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
4 H# h8 A: [" T% n2 G+ m尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。& j7 M" h( o7 l7 x9 H
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
# O/ \% W4 y" e0 t6 }按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定2 W2 W3 q+ i# Z% E" D
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

0 [! c! x5 v  X9 E突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
, ^5 `* |' ?) T( l- K/ e% I有道理。8 v2 c+ T0 _2 L# U$ Q( N; L

( r5 k) s5 P7 S4 d+ V, o不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

9 P8 ~+ F( m5 v- M可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
" y: r+ e6 _6 T; |; A1 O很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 & k8 e0 N: K- m1 j0 q& u1 Z
雷声 发表于 2024-9-16 19:196 _3 d  r, g3 {' L9 r, u
还没搞定？ $ }# S/ z/ F0 q
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
9 G' s7 c+ U& J6 e
" O8 K0 i5 ?# g3 B
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。) m* a% [- n; L, s1 {) b7 x
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
+ R# u( m& r/ j) U5 ?突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

7 v# e1 t: O+ l4 o! k; P5 M) g! n存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
, O: ^# T$ R% O$ A% b存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
# W1 Q& q8 V- P' f0 }, b$ `
需要用到浸润DUV吗？
+ z' r$ p: P* a: u% A/ Z+ G- Y! t4 ~7 K: h+ a+ i
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
1 E. b, B2 j3 @需要用到浸润DUV吗？
7 T, R) @) S# R  x& Y: n, F& f( q7 O
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
; S7 r& x' J, W4 B4 C& }' I
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
1 X- u& k5 @& H: F3 q可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

% U, _* w+ U" R! j5 f7 a是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
% V5 K' }. Y2 h# u3 i, ]. s
4 @: V0 x7 P' p+ [; g8 r# d% i硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37; y1 T: C3 |: F  O3 x% M7 `
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

: a% X% p: Y& F1 G8 ^( A都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:542 a- x/ D/ A1 I) m: z; \5 h; f- S
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
7 W9 X# K+ Q* o" ?, u! M9 W所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

1 I9 v$ B! U9 e具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
6 \4 k5 j/ j' n, R' L# @
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
" e. |6 I& m1 t; i) l具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

5 V1 |/ X; R4 c3 r2 A7 a( c' |) K6 p7 Q! G
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
9 D( f; w4 r3 x7 o都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

; X# C$ k( N% {9 B* o1 E( ]( [. C不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13& Q# j& P5 a3 x4 q; U+ E
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

' e0 O: z6 Z/ k) a# D0 s. g4 C中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:457 S/ N$ h, g. `$ }& |" u
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。3 @5 t" `6 [$ P$ c
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
+ {# D' o7 }% W# T
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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