爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
. ]0 t" g& e8 V; _4 {9 l' C) \/ H( x% D( d. n5 S6 C0 p0 N; |' y
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
$ |6 a* m. M1 K1 ~7 c5 a光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
  w: j7 g9 Q% S' c- O, p还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：0 r. |) ?& H+ U5 w
1. 表面清洗
; w0 w5 h/ m9 M. @7 t2. 预处理
: ~9 a  |4 z0 ?- ?* ~8 Q, f1 w3. 甩胶& I' A7 f0 T' ]& i3 j
4. 曝光' Q4 ^4 z  g4 q3 ]/ J" `
5. develop（显影？）
2 b( v- F+ n* P, p2 G, @6. 刻蚀/离子注入
- o# j2 y0 f! h1 Y3 ?7. 去胶0 N: a& y  p7 d* }; z: b
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
3 I. l, n! |( |( u. m[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]1 E% |! y! {+ N$ b- A5 Z' S
对于光刻机，公式演变为：
: T  h, \0 [5 u+ E4 T[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
/ G  `) l# t6 n6 P  n* k& r. `% m这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：# t5 W% }" I# E: {
1. 436 nm (水银灯"g-line")
, l4 q" B0 Q3 U8 Y2. 405 nm (水银灯"h-line") + f8 \9 N/ r1 Z7 W
3. 365 nm (水银灯"i-line"); k! C, m  `- Y% Z
4. 248 nm (KrF激光)
& c2 ^$ n( o1 X- D( j8 Q) W3 p5. 193 nm (ArF激光)- Y9 G  P, u9 s, C
6. 13.5 nm (EUV激光)/ ]1 S0 ~, l  W1 C/ T6 }! @
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。& M* F5 o9 N' ]4 A  n; }
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：1 L. v7 q3 U/ r0 f
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。7 k/ o; N/ q6 C! h0 O
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。# H8 l- b% Z& ]  y
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。9 e% L% H; Q6 C3 P: {( T# L# [
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
# s# m( r/ h8 _: \5 r4 c+ I
- D+ r8 F4 Y+ Z网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18. @* D! P% j; ]9 G
我还以为你才30多岁。。。

2 S8 Z" ]. `! |0 G3 c  B# N' ?西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。# C5 f" H9 n7 B  F4 h3 I

2 u& Q. L& c  Q, A国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。9 [0 A+ R; w/ {4 b
3 k! O6 q! @& ~$ e2 g
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
6 g" q+ u: O) \9 d- p* H
, S7 a9 Q4 ^, i" U; z3 E工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
- g/ B( H! K) Q1 f+ w3 n3 A6 G* |# D% K# b5 R: W
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。) q8 ]  z, ^" c
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的7 g  R: \; d! i' `- x

" H3 y8 p% X2 I7 s2 {  @延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。- P" j( j+ }  M9 S
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
3 o8 l; {* L& \4 h$ Y+ R8 F+ c. A7 F
) S; {/ U- R5 B另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
! L+ s) l7 e% k( m和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：# x6 t, O; X8 A4 q) R3 O) x
2.1集成电路生产装备. E9 r$ P' y0 y1 ]8 [
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅5 P8 p; r2 n! ~7 r
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
: e; n0 g8 x0 j3 N2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm) B" }; A2 C+ |1 o9 O. [
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
# i8 F$ H% Q! j/ H2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
5 o9 r+ t. b; b' P- y2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm' o3 }; x+ Z. F$ G
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
' [! i2 X/ d" X5 M2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
$ S6 D8 z* E$ I: m. W* {2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀% Z8 v9 w# X: F" L7 N8 \! k
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
" e  F8 q" Z+ ]; J9 s) P2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积7 x/ g& h( {0 P9 P: K- B3 N" ?
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
; Y3 _& _# f" j3 C2.1.13化学机械抛光机 % D1 D* ?; T8 m" I# B& q
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
1 {3 p5 Z3 \1 i0 m# v, e6 o    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min0 G- G0 y- A2 S4 T# p  v
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
) u( ?! }# o) w. G    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min3 w% k- [7 I5 V0 {: y
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
/ t0 g6 R6 m# o' W) |# A4 `2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
: S* u( i* Z6 O
  W7 `4 O! }9 x! q2 v" j很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
% x% @4 W9 K# q4 j
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
4 h7 |" q* {# I: c% v公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
) ]3 C$ m6 v# E: q1 o' D
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
  N1 F0 y! f- A: l1 }; A7 e6 f感谢感谢
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2 Z3 d( W7 B/ ]7 V6 l( s工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
, l  w9 [# ]- F
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！; n9 p, V7 V1 t* \
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个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
3 H2 W( D( M/ W/ R  m: a& q2 o9 T, ^2 M" _3 X; O4 E4 R+ I7 J
1、内行人一看就知道，还在65nm+ S& Y& @% L" Y  X- R9 K3 l0 n2 u
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm: E0 ^) r2 L& a. R7 [
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
7 n/ Q8 ^8 I9 `. T3 ?7 s
( o* w9 j- o4 ^3 N6 L/ ?然后就要等EUV了。3 {+ {! J+ R2 z9 ?

  Z* j3 j( |2 U  ^) f+ C会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？* |+ W; A) M% C' _* y1 [$ M
3 W6 T7 Z, V% Q2 Q$ J3 ?
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00  e! k/ H# A8 J; j7 l
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！8 C0 X& P  m2 M% W
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个人感觉：相比于前一阵 ...
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不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。& ^% r9 d: W3 ^6 |4 v7 g
+ Q2 f/ ]( }0 g; M; p7 U9 b& @
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。; h& z% ]1 k" ]

. B7 d3 @7 q, p: u2 a8 p" E以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。+ R8 p8 |2 M6 m( g: o7 O
0 V0 H$ k2 `. L

7 Q7 v  M# f! ^/ y$ C5 ?- f; O6 iSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。# V+ w) v) `; l* I

6 j; _3 N# N# n9 e. o5 P5 t% K3 a+ \" S; z# S
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
( v3 j5 V  x. y+ ~+ k$ gEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
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也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46( `3 a5 @2 s& q2 d7 ~5 R6 E
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
* s/ V! ^; ~7 w$ |8 l/ U, g( W$ `0 a7 p- K& Y$ b$ `3 B
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
8 F% P7 }% v2 X6 i2 D
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21- B7 Z0 P- u! d) f- V
也就是说，EUV用浸水没有用？

; Y1 A6 {3 U7 P4 J" Z. `/ q8 w理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:388 h) s, c  b2 _- U( ~' Y* ^
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
  l- j5 ], a; ]; P* h' A2 d3 j7 i  n
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
; I/ A# w9 N5 F  ]/ ]9 v+ l; X是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

7 Z  A& f2 T4 O3 e相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。. `& ~/ D, T8 k& Z/ ?, k
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。$ P$ _1 ?0 O" w' z

- W9 `) ~( ]3 {& D' q2 L. Q; `/ x- Hhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00. c. P! s9 P$ p  H, p% I3 j. X
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！. v1 X' U* ^/ R2 c% P

2 e4 _7 ?# C( U; M, I个人感觉：相比于前一阵 ...

: e! `! x+ c' ~9 ?4 m7 \& z! M7 w7 G9 ]  |3 M) B9 t2 n
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
4 ?% V# z! R  i
应该会在5年内实现吧。
; d. T. E" {# R/ g( b/ L6 E- |: @  ^+ P# l  \( I) a  W( ^) {
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）# K* l0 V  {  t& \7 L" Z
24-9-16 23:551 o, ~2 s9 c( k6 s% \+ e( b
发布于 湖南
7 w* z  }6 c0 ~+ c) f. E5 s来自 微博网页版+ h$ S0 x  {  N+ o! a5 d
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机% Y4 O7 v4 Y- O$ U) \" D
不是运过来就能直接开工的。
* n) P) o& u0 m, |# w他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
" a7 H, X$ `" q, [/ Y8 X6 F2 V6 |+ @- k
这个时间很长，也是我常年说：+ x! n* {4 b& _4 ^. _0 \
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
" @4 I- P1 z% m6 f% |
: `: {$ N2 `+ e  C; \/ @5 r现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
& d  z6 l, U+ m2 D" y+ ~- u2 A6 K  W1 q# E! h$ X5 e
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
% l8 y+ ^0 T2 [$ T4 q1 m3 p4 b干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
1 G3 j7 l7 Z, D$ @$ `/ k% ]7 V& v1 f多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
; s- b9 i* j+ W! V但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了- u  D+ P1 T' d+ L+ h# b$ F

( T7 C, J* f8 N" Q% L没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
( P+ c$ v! k' ^) v: t1 Y普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
- E% R" q: H% H: s- [#华为mate70# 也没多久了。$ k) e) E$ M# U" G: V0 p4 t& |0 D
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:066 K- i% u, q5 v# ?' W4 \: I
应该会在5年内实现吧。1 m& e1 d. U2 }' A7 S% `
$ C5 O# C$ k. {$ G4 v+ r4 O0 I
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

( \% T: I3 R  s- A! ]: ^- h1 a7 O, N# s7 P5 {2 c7 d
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
, k& ]% [2 f* h6 Y- r& M# }这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
( A/ D# H$ o/ M2 f1 F$ c
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 0 ^. V# B/ g7 R4 r9 V6 g
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
& m7 Y+ i/ r& k8 S6 {) I# l但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
7 p* G1 e# G) O

! L+ p" t: m. ?9 H3 z按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定! e# Y- W: G, C$ t6 |- d6 h
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34+ E  G+ T& [  a# a: }
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
" T3 x, W/ s. w0 l' \
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
8 @7 E! ^$ x0 R, y0 }按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 G. l( Y' l( l* }8 \& \4 E# M
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

- y0 X8 x  @5 Y  i  D8 C- z有道理。, X9 n! I1 [0 h7 k  R& F
7 y7 I3 K9 u) g# R9 }$ x/ m
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。2 a. n8 d" i" P

& W& A6 d- o) P中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
+ z1 C1 U8 ?! u% A, ?1 O2 h4 K- D' X' d! H9 x. |3 g
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
! A9 J; ?7 i0 m) R  ]4 |, Z; {, C理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

( \0 B  o9 w$ `* z9 e这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:542 T& w! i1 R* p: [) X( E( i
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
( x& O/ T3 L! X& U, d* _  V1 S( q所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
- e, k# y2 b% h4 o, c
还没搞定？ 9 _) e* E0 h0 i7 L: j3 ]  N' D
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。; ~  j# Z8 o: b6 }
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。8 m3 @8 F5 n# Z' M& {& `) ?! C
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
- @" h; M: c( C: A3 _' V9 ^按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
6 _: {5 ~* f0 O  ~1 p所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
7 @! Z8 j6 x2 P1 h
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13) z  x( U% C/ i! F3 i% b
有道理。: [* O) X% A3 R' [) D
* c# n: G+ [6 d8 E& `- H4 \
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
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可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。0 {5 o8 v4 N- q, N
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 , \6 K- r: \* f. a+ o
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
9 i9 a8 H" D4 y, ?3 u$ R还没搞定？ / x0 l4 E' L3 d/ A# P/ f2 x4 G
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。! e0 q0 i/ P8 ~- Q* j" e; j
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:211 p* @) \2 k) k' E8 K: r; H
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
- v% M/ e( _! j1 E存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

7 Q. C* H5 e; V' Q2 ^+ k需要用到浸润DUV吗？5 `5 e, O3 w3 F

6 g3 O. N2 [- S0 D4 x我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34# b- {0 h" J; E# _/ j
需要用到浸润DUV吗？
3 \$ \2 G# X3 E! ~, K* G) p. K0 L1 P/ V# I& c5 ?# |6 d# O
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

" ~- S2 g! `/ G: I浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23# Y9 ], S3 ~" ]  Z; y* d& W1 j6 y' O
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

" B) M% m4 B- `是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
" f7 t# n$ a% G9 U4 p6 N( ?4 q' s3 B% ^. w0 ^
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
% M/ k; y7 z6 _6 I) p浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

. [/ W8 Z. `1 ~+ X" N% V都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54" o: ~1 c7 d" s) Y
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定4 |6 I+ }' X& ~2 O$ P
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
9 O( X1 V/ M) f! f4 T) B
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 4 J# l' C+ u4 J$ u7 I2 a3 ]* F
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43' S6 g* _+ Q3 R
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
) V' D4 _% P; X* Z5 |
7 h; L& F/ F; ?
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
! _+ ~; n/ T; x+ X2 N2 [! K, I都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

5 M& w6 q# B% a8 F$ M& L2 B) c不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13& k; D. C2 z: m* E7 e+ l: d
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:452 S: q* I* v5 y
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
7 X  _3 x. e, N7 ?& e( F2 A( }7 r我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

2 t0 I+ W: @3 [: R! j# f7 M9 i我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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