爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ! ~+ r1 N8 r# c+ N3 Q  [
. N2 L- B' B  F4 n% D2 C4 U
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
. m( k- G: ^# N4 _) V. ^# u光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。1 f8 ]6 t8 U- p( |8 q; ^
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：7 E$ K  m. t9 v7 w1 t
1. 表面清洗
& q3 W& k: I2 `0 k2. 预处理7 y( |5 I$ t' G# v7 P; R
3. 甩胶
, a; x/ o" l: N4. 曝光
$ P+ y9 Q0 `/ O9 C6 v5. develop（显影？）! E4 `/ ]- H" x, ]5 v
6. 刻蚀/离子注入" M/ [# i; ~, E% `1 o
7. 去胶  f+ d4 F0 ^* s+ z
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：( m6 P! ~6 @$ K$ j& i: F& m3 l
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]7 l5 v: x8 X( J, ?# U8 g
对于光刻机，公式演变为：
; o) U" J+ ~  F0 t[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
. q" S2 N! I8 ^8 Q% G& S# |5 l这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：& }! F' a. @5 D. p# p
1. 436 nm (水银灯"g-line")
6 d3 s3 G3 }4 w& D4 }9 c) U' M& n2. 405 nm (水银灯"h-line")
3 U& Z/ I0 I+ V* J8 @8 c4 d( G3. 365 nm (水银灯"i-line")
' H" k+ W- s" N* g4. 248 nm (KrF激光)
3 ^/ t2 `, Q& q9 T5. 193 nm (ArF激光)
& I' a- k% K, R4 c2 O2 Y( i6. 13.5 nm (EUV激光)' j7 X3 f7 Z* r+ z* V, L
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
# T& W0 q8 K& D* i3 T7 E) X按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
/ L/ u- s. S) l5 m! N, A1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。( t* T; \/ s4 ^8 E* v4 f
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。' s: W5 d2 D% e0 b. P  ~
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。5 U5 B: T) g$ ^2 \9 x: Y0 ^( ]& q
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。# o8 f  e& o. b: A( I  y( l6 I

  q9 B. g$ p( Y! [. E; x3 y网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18  Z2 I/ {) s; D3 V
我还以为你才30多岁。。。
) y# n9 n1 Q, @
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。- F% V! u# J; Y( S2 P6 ?

6 U% t& k6 w+ K: ^国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。- V4 l0 Q6 d" g
1 n6 J0 P' G$ I  D
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
% p' @$ O% f% f! v$ l+ r3 E2 o* Z8 m% ^
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
/ W9 h6 P1 I. T: N8 z& V# y2 ^  y$ D- B. ~; Z: T, O' b$ l
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。) f& w( ^) b+ R7 e9 O- a- w2 c
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
5 A  [. `+ s6 F% P# l' e& G: a+ \
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。9 r. ~" O! M; V9 k4 `4 E  e; ^
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
9 M/ I$ x- J' Z' Y1 ?+ G& T
# U  v( _. e; W$ W另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html/ g+ }* J+ I4 i; G2 _. r3 U) g
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：; t6 M0 I5 P" u8 f
2.1集成电路生产装备6 k3 ~2 ^2 i: p) z1 }* K3 t
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅$ Z2 ^3 m0 t, A+ a# P3 D
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
; X( G5 o6 X: I6 S2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm! w, H- H5 O( |2 B4 a2 R! K
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影8 X. p2 r: Q5 P. V- T' o' i
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
: W5 ^6 i; a! F& w2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm* a/ l" v* l5 u
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
, b7 h; e1 ~' v2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA9 y7 n6 x4 ]% I+ y6 z
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀  F8 \/ B: L" o8 Z$ P3 M
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°! p5 H- r  O* P- Y6 J% ]& V
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积# X, S; K9 |6 h0 l
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积/ {5 m* c9 ~% m, `9 S. i
2.1.13化学机械抛光机
3 h6 w" }! A7 z6 m    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min9 Q( L/ e8 R4 ^4 |- l  X# a- W1 P/ C. v( K
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min3 D; _2 V8 p1 R4 H
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
7 z/ V8 m, e6 l" e    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
& I2 q+ {- [- Z& o2 }& n8 I0 Y2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
- s4 P' z1 z0 J* c2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
- R6 }6 q# ?) S! G
* I- _" }0 F% S! O7 p4 _; L7 B6 o6 H很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。, t2 }# ]+ a0 f" R, h2 j- K
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
' g3 N' K3 \. @7 s2 Z5 ~8 t公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
+ k, R; t; Y5 q  y, ~3 ]9 p6 Y4 t
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
+ B% J# h" u* F' A: O& E; N感谢感谢
/ O- r" _- c. V. J4 Z2 L
& h7 j4 |# W( ]7 }工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

, p1 e% \1 d5 z8 \也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！; X& c4 A+ ^  \( c4 c
7 C: p/ L. {: g5 V. U
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。5 x) \% m* b. N4 b. f4 n/ g2 i# F% P: W

% X3 K* G" T; g& c! X3 _) P1、内行人一看就知道，还在65nm' X6 {" T2 \: W- f% z4 ~
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
- J. J" j% q5 a6 R% v. K3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
6 a' H1 }/ L% c0 }( N% X) d$ a6 D6 ^! k+ W4 ], Z
然后就要等EUV了。
  ]; n% h* F; W4 W7 R- I* f6 W8 p# J  U
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？  s0 V. y4 X( s- @

' L. ~# h; S0 s2 f. b在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:009 R/ T3 x) p4 `; A- x
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！9 \, d2 B" k5 V, j1 ^; {: j: A
9 m  k% W& ]; x. v4 Y8 h
个人感觉：相比于前一阵 ...
+ ?& p5 d/ ~" G9 B
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。( L3 U( e* w" i
* |. f/ A+ k# H& b6 z1 m: J1 I
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。$ B, \- e+ v" j: R6 q' ?

9 U3 G/ g$ ^3 W. D- g以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
0 Y" ?! j: D. s' O. O
, |8 N  k- C& _. y. y& n
9 b' `9 Z# r2 O) N2 fSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。8 G/ f: J$ r' T( `4 g6 q: Q2 y

1 `7 }5 r7 B5 V5 d; x- B' O. j8 t8 F8 E
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42  A; v* Y0 H' G7 [( o
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

* ]9 y% o; V! w' `7 \0 h" h5 T+ \也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46: m9 ~' C7 z: P2 t$ A
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
# }( `9 F8 F$ m  p2 s- K2 Y6 n$ F' n' M2 g+ q+ u5 c% U
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

, C2 V4 D% I! n5 Z% D不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21# I% S$ x, m2 L2 |# ^. `' K
也就是说，EUV用浸水没有用？

8 M. ~7 H3 L# R2 m2 Z3 g  I理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38; B" v- @. c: j! Y% D
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
" I, M( Q, f8 n/ K) [9 n/ _1 ?7 G
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:390 G7 f3 Y% U6 N6 d' r# O9 `
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

" J3 }, O' r8 F: S7 E3 w相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
: r  ~" d0 h2 K. x% Z我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
& a( S( G. D* ^; S
/ b5 [1 }* ]0 D- V1 D3 p0 S2 k0 ^& Ahttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00  `& Y9 H- C2 P8 l; |/ z; U
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
: j4 S, h# S  x! ?' p: f6 N8 D$ l$ G
个人感觉：相比于前一阵 ...

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0 M3 w' `# z! k/ R  k
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
$ p; u/ Q& d4 k- `
应该会在5年内实现吧。% R* J+ v7 A4 a6 R# K, l9 F
5 d- k0 S7 _# l8 b6 X) O
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）1 Z5 o2 c* Z# u; J  J6 b
24-9-16 23:55& S1 H$ V) F/ z. a
发布于 湖南
) p. K2 B; D" L" o7 R来自 微博网页版
8 ^2 q$ q% T* z- i/ b- b$ C啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
5 N/ G: x  ?) ~* \6 ~6 M& ~! |不是运过来就能直接开工的。/ t( G4 g& _; X4 F( M
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
- U9 F; M8 }0 `1 r& t8 X
- G# J! L8 m) m% y4 q这个时间很长，也是我常年说：
! d2 P/ S! _& ]  P( P  r就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
( x$ h. l9 j" Y! |+ l& _3 T- m1 {/ ^' `2 p1 z6 o
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
: P$ O5 a4 N& C& f
& e9 K1 q4 e2 S* J9 t. n9 H- k简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。; U5 O7 c, M8 @
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
) K+ F' p; e) g- w3 f6 j多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）; v: y/ e* N  i, X3 h0 k. S+ L
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
7 w8 M5 x: F. U$ z8 ^8 ~
1 [7 B- H( [$ Y5 C  K5 O2 O; X没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
2 [4 Q' n, w4 O( l9 i+ L; q$ ]5 Y" v5 s普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。/ _# y. w+ }* H- v" S
#华为mate70# 也没多久了。
2 v6 i; V" G0 Y5 d5 ]
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06: O: `2 O0 H" `7 ]8 }
应该会在5年内实现吧。# H, `  c; f% Z; Y+ S, m) s; F4 B+ a
; I0 o- M0 D% M  J
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

0 ~/ p/ n" t1 i; F4 `! G- @9 @! }' `. F$ j* {( Y
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
, G4 g6 K& e9 @6 [2 |2 R4 x% [这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
1 p+ l* W) Q6 E! R. k# X
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
: I% `+ ~4 \8 _
晨枫 发表于 2024-9-16 16:395 ?7 s. l" w! I
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

9 E" y0 K# [1 N4 W# Z4 P, F) Q7 m( t( y/ d; G& \
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定8 _9 e2 U  {# P4 ~$ ]! W
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34* v& D, v: ?' l2 U* g7 D" k3 ^8 {% w
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
: u1 v! J) S) A5 \' N- e! L
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
. E, \5 B5 d* w& H按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定6 o* A. O% c# E+ i3 V
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
( S: o3 |$ ]* r" _8 m; k
有道理。
- Q; |( D% d" p* O; E" r9 |
9 ^1 o1 V3 g: I; D4 A8 f不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
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: b* e4 e4 I% d; {; C1 m" X4 o中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。1 d6 N# S: L4 O+ j8 @
6 t0 {% A  }! L! |- ]2 `5 `  z& R
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
8 G* Z  g" _6 k3 B  h4 O, c8 {理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

. B% U, t9 _$ h6 l8 h- {这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:547 @* ~$ K" ^; i' X4 l# @& _
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! s3 _% L" \4 Z6 T. |1 T: d$ f所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
7 i: J/ P+ ]' U& N( L" I
还没搞定？
9 ?! h- T' W+ D4 j我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。3 N# ?; H) k. e, B" c( ?- N
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。, B- w' j* A: \
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
  c3 V5 I0 a0 {" ?- Q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定# h4 u8 S5 {' ]$ U3 Q/ o$ P
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

; a7 U$ B  S6 q' Q突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:132 T: r3 j1 W4 i3 c
有道理。
0 K( j  p& z/ m# m+ @, N0 U( {3 N0 s. ~/ u4 V" r
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

! {+ [/ l5 D* }9 m可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
( R' r' |+ S& W- W很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
1 t; v' Z4 B( V1 X) J6 `/ X还没搞定？   @4 n' K& Z, J* c. g
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
9 n/ O( C1 |% a* }( O  E& `& g  K
- o& k1 O6 ^, L& W. W* s3 V
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
' X1 u( Z6 E+ Q; T5 s有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21" x# S- A) b6 G4 a
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

9 q* C+ m0 c& [2 c: F  }: g* H1 R存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31: R3 Y# M' U2 F& s9 i# ]
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34) V; W: r/ `; y$ S
需要用到浸润DUV吗？
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" u7 x2 G2 K" G' ~6 r2 c+ A我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

* |# r2 o# j1 D( F7 v) P- E浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
  I% ?2 X5 ], q+ A9 u% Y可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

( Y3 p- ]- F3 F) U: q" Z是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
! {' o+ N, T  ?7 x" B
9 }( h- I# {0 p, y- p6 V硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
! y4 [- F! e3 y7 V浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

9 {# h9 k! C2 x% z8 l3 \2 A都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54" o. m7 u) t0 B# @3 h8 {. z2 e% v
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
) P, A  y8 z+ |# d& K所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 4 [* k" a, z7 C2 @% H2 ~
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43$ k8 s4 v3 o+ r2 ^  S4 u
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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6 e) Q" _2 x* U( q3 ]2 N" W- y1 i
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:402 V( V& e) z2 y  E% }4 G/ b
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
# E7 H; P: w4 V6 e! o
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:132 ]8 @' w1 |0 h7 D: C9 T
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

- ?; u, c  t1 J6 q. ]中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
; k: z. d- D& u. `3 H- I& g在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
9 S) x$ o# g4 z9 ^4 v我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

& ~' |9 n3 r; o% v我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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