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标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
! z4 B$ n6 j6 X4 s  D7 b
, j5 o" z9 K3 H, [被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。, {$ t6 ^+ L% ^$ B, v8 T4 C
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。% A* e4 o& s- \, ?: B0 X0 ^" I
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：) h9 f' S( I; G/ x1 _( ]1 x. ~
1. 表面清洗
; |4 y# t, p6 F6 Z1 }2. 预处理
/ H+ X+ A, o+ n( x& m3. 甩胶
5 J: E  `2 a- Z: [( o; L4. 曝光9 E2 O# d( o6 B7 s+ P
5. develop（显影？）
& X) q: B- v" {" w5 _7 H' H5 S0 Q6. 刻蚀/离子注入
# g9 B+ S3 N3 K/ Y8 n" r; B7. 去胶
: W0 j- I3 D& u; J7 N* P& v3 [9 L光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：! d5 Y4 B$ P! @& n9 f( A0 F
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]' _, A& b# [! R
对于光刻机，公式演变为：
6 k0 Q; _. C- _; c9 X0 ~: R[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]: |+ a, r) U! @* b4 i
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
2 V% L4 |0 K/ L' F( W* D, d8 c1. 436 nm (水银灯"g-line") ' g4 }4 x- N3 t. q
2. 405 nm (水银灯"h-line")
( E: `8 H  n4 |3 L% j: S+ x3. 365 nm (水银灯"i-line")
& |' W. \4 M% ~2 ^) @# t! W& r/ Z4. 248 nm (KrF激光)
' s, r6 |$ F0 e$ \5 R4 N5. 193 nm (ArF激光)
1 f, p8 t$ r9 c- B; a1 l& r- p  L6. 13.5 nm (EUV激光)
- n/ W* C' i+ K$ h& j工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。  T% V- E& J: {$ `8 V  [) U
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：9 E3 w8 W+ a6 C, B8 ]# m5 x
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
' U% M1 B0 I; T, J, H! A% \  I2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
7 b. c4 \" q+ r$ W% M3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。/ z* X! @& j5 g9 Z1 }& ~3 G
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
5 m7 u! @, t: C  M* G1 l' b& R, w0 z0 P8 k
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:188 x6 Z8 m% J4 l$ ]# U
我还以为你才30多岁。。。

+ P  e$ t# Y  |$ X$ P2 w西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
3 x% n0 b) t# k6 ^6 H; }2 ^+ u" y) ]& K/ ^
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。$ X& x% R* I$ \. y6 M0 b0 o( l: z$ o

# v' f$ c* K' z( W& r# l/ n凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢% [5 b9 L# r6 d) ]; p& q
( e8 U0 G1 q* b, x0 b/ A3 {
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm( {8 A# m# N% _+ m6 Q- h! T
& L' s/ R  v+ a% P
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。, [. m; ~+ m( N6 |) n+ [/ Q
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的  H$ A; s6 ^* t! V/ ]
* A" I& a4 P. m# n. C
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。  S. ~( f! L7 [6 b) l. B# G) i
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
6 U2 w( W* I) Q8 \  x9 @2 a
) R5 I7 J3 L$ M+ X另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html+ t+ T+ F0 h' B& v' r) }; b- ?" Y9 n
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
8 [3 @9 x0 K% p  W6 N8 U: r2.1集成电路生产装备& ~) H* y) E: d* E" w
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
0 t' n/ J( z" O2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗1 ~% {& @$ k; e0 H
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
6 z, Y- v6 k) Q# [6 S2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影% L2 j* G: c) R1 R- M, }! v
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
6 [+ x# i$ ]! I2 L5 Y6 t  ?/ V2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm% j/ r, N5 F1 O' _$ H# s  n
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
' |: _# i2 N# @2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA6 ^/ G0 t; _0 c0 P* F
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
! d9 E; ^, |# l2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
. ?3 A! _% z7 a# J2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积0 [9 x+ ]6 M$ i# a: B
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积' u0 q) X7 w: G' f8 f& b5 I, c3 N
2.1.13化学机械抛光机
+ H3 g" _# O9 o$ V7 G) `    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
8 E. T9 W$ c- t8 a    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
& c) V  s9 C8 b( |& _; T    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min- H! F& e3 p+ R6 `+ n2 |
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
7 A- Z+ E% f: u% x3 g% f2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm8 a1 j* p! m! ^* B
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
4 V! S8 F/ ]/ j. D: C: E2 s
. C6 r( @& R$ u7 ?: N; T! q很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
4 D5 J6 F2 |) I. b# Y* ]5 F/ ]
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
! I8 B5 W2 \) M公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
/ q5 B( D: o+ ?
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
9 j8 z* l  M0 S; O* U( c感谢感谢0 w- r% K+ C/ c, c% H
1 A$ n# }1 M, |7 J8 q
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
7 p+ f/ Q! L* q7 {2 w+ t
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
3 I" `& P  w: s8 r2 i- _6 d
: `, a9 k- B5 N9 H个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
# {- V) Z( b$ n1 _& H, j4 d" S8 ]7 F% H2 Q9 Z+ q; M
1、内行人一看就知道，还在65nm
7 W2 v9 ]8 I- Q5 H/ c: V2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
  m3 \/ [. K+ m( s3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
9 w5 t* i" c; L2 X7 L
- ]( G/ C7 g: Q然后就要等EUV了。. `: v. q5 P1 H  h  W2 ~! ?
( X+ Q- F2 n6 L" @0 \, ~0 o
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
: o( }& a3 K$ {4 O6 T6 D% ?$ P( f: O) T" a! H
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00  u0 Y9 K  ?8 G7 ^5 p( j  W+ u
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！- N) N3 @  e+ f

3 G/ A3 f0 z0 C" k% b" P2 j# d个人感觉：相比于前一阵 ...

+ W6 k; h. K& k) x. m- c不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。1 A7 ]% m; q6 U: \
, ?& l3 G  m# y2 j
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
: l$ n  _3 }. `2 A& r: J0 H# C
2 Z$ d% f3 F3 |/ @以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
% B# {8 u. R1 v$ R+ ], @$ i0 ^" g; H; j6 Y' \* ~

! K# {* @  H4 j3 vSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。; E" u! M% Q1 f% K

; _! ~4 Y/ v  x
, y- g% {5 K/ e, _2 T- o" G工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:422 _6 T/ i7 M+ l7 z$ N, t* v  u
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

8 R# [$ E4 |+ }& z# c) G- }) h也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:463 L7 b& C2 b/ q. z
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
, y  v  L; e( o3 j' a8 Y% W' n% y3 u
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

. l! R) `0 t  r+ N不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:215 I5 J2 y+ R9 o; X2 Z( t' j
也就是说，EUV用浸水没有用？

* b$ \7 k/ d, l# [理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38! F% ^% ?* l; G
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
: k+ j) Y+ I3 F$ d& d6 [3 n
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
6 M/ B1 u7 N, R8 J! w6 }/ d是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

" N( ]6 C* K# c/ a相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。# v( r: T! f; o
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。  R2 y+ {6 f' B0 h* {
1 k7 I  b2 A% L
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
! ~" y2 L; n/ Y1 U; S6 @' o也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
( z& X* P4 i! N+ n2 I/ I- e4 P" F: M/ p; ^  E" s+ X
个人感觉：相比于前一阵 ...
( ~4 \) |) _0 ]" h  u5 D6 @6 E) ?
1 E4 T2 z& O6 S! I! F1 }2 F' s
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
7 A; ]! D, H6 w0 n. C2 _. f  v/ W
应该会在5年内实现吧。
( J. {. E* V. }% l
  H6 \' e  K7 H: v4 s微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）) @' r; Z* p, ]' F! K
24-9-16 23:55
6 `+ J: S( `$ n, y发布于 湖南
4 p/ n/ ~2 P3 c& Y3 W# v; U, _来自 微博网页版
9 \. e  r! W+ u% n/ Z7 e2 j; w啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
2 O/ x) a2 i& }$ ~* F5 o不是运过来就能直接开工的。" l+ c; N0 |( V2 G
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。/ w+ k' h  h9 h( w! A

' L& R6 L; q- `5 R, r. k- k这个时间很长，也是我常年说：
0 W( t# T8 M. _! C$ m就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。; `7 w7 {; v  ?8 n1 o: `$ o
# Q: F: S/ Q$ {
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
8 I! a! ]( v' H, E- U  c' m* W
$ K) ~2 E  T! C: s! I3 K% C3 n简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。0 n1 w* F/ ?% P. k
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）: o7 X0 l; t! R
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
  p- A/ @# U; ~4 }- n$ j+ x但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了( `/ @7 \8 p. T( }( n' z5 [$ @

+ Y+ r" B3 b0 v# C# g7 `没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
& t$ _% l7 t3 H7 G普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。5 |  h# E# i9 ~. l% g
#华为mate70# 也没多久了。1 [$ y3 J1 l$ k" t! s
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06, [4 }% h! E% Z% ?# K9 n
应该会在5年内实现吧。7 H" a0 B- p: g
; I/ b/ ~. M) F3 X
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
; Q2 }; {. s6 u

4 \$ y; a) W; x( B这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15  d. n" {5 G) F6 N3 i
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

& f1 t& T+ U6 x) l但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 9 l( _6 s/ D+ j$ ]" p3 q' O
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39& \( a4 B6 }; D. x
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

+ s- H2 e* s$ E: Y2 ?0 O2 E3 y3 G1 }
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
7 v8 R) O4 P. @( t+ V) h所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34) A# H9 y$ n: k
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
( N- Z7 m$ U8 s4 P
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:546 ?# h2 _% z3 `" q0 ]( @
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定! J% l' N1 E  }; F9 }$ n/ j
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( s+ {- l& k% K4 G# Q有道理。7 d  s# {$ k& W, T
) R: X9 Z$ p# h7 p; P9 r/ Q: u
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。1 w4 h; X* O( i  s" V2 \; m( Z7 l9 P

8 R( M& R9 X) p中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
; C; ?' t/ e+ y6 B
0 h- l* Y% e6 o' }这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:086 E# G( A2 \/ G" V4 H$ u% B
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
4 A3 k1 j9 ~% j  P/ f1 e2 ]/ K
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:541 N8 t' H6 H+ w/ C3 f# y9 s
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% r& w$ H8 }+ |* j4 z所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

& f" d% G, G' s2 {还没搞定？
# c% [6 ^8 B1 Y& y$ T( N1 P9 \0 d! _我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
! R" ^3 P$ T, M0 y; Z7 I尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
; p( E& ?( v2 h/ \, [2 s  N
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:549 V! B2 X$ ]3 v5 V4 ^% p# n
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定- _6 }  Y2 ~' T8 `1 ]$ M$ }
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

9 c( Y2 ?8 S+ b8 O& I突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13. e4 n+ B5 v) d4 W
有道理。
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不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

& ]1 z& Y1 v1 o+ o, |可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
8 |* ]- v3 ]. ~' z( j) x5 [很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
! F5 Q1 Y3 }1 k  {, E$ A' ~& U还没搞定？ ( }4 g# G3 l6 y; @3 i
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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, i2 z" J+ H& Y, B6 W/ U: r
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
4 b! Q1 m# O% h& l有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
6 ^0 _' {) C9 m8 t7 u! }3 U1 L突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

+ q5 S: k1 `0 [存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
* q* M- ~  t; i* u* y存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？) C, k8 l% D" B& f  j
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:344 M  a4 X4 A- J
需要用到浸润DUV吗？
3 ~& S% j0 b0 ^8 l) P3 ]" C% g2 Z( O
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

! k" ?0 m' {8 V3 b8 ^/ E浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
* P. [6 r# F! F可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
6 m* `0 y) f1 N1 q4 b4 N
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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. u  d9 z# `2 k: E0 k6 J# q硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
+ o, n5 `# W( O& ~浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

& _! I0 K6 T, \! n6 r) w/ z都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
  X& m/ |$ c' m( G2 y4 v( W  ]% k按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 h$ S3 [/ N! z$ @9 P9 X
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

0 X/ Q# J$ L8 d" r# e" u具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 1 Z& {2 _# f- D( _# a, A
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
  @8 P( X3 J, S( F" V5 _) N+ l9 S) X具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40' F; q7 p2 N* ]) D2 d! l
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
( v) y4 N3 }1 g: x# X
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
. ~" e) N+ I2 ]这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

* v2 h1 ]6 A6 z+ {% Y9 q中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45* h7 x( h, Z2 v) y# O
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。# K8 i) _( O- Q. o, D
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

/ p3 U) U" ^9 i) J% F4 I我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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