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标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
0 c' Y; k) r  S
. b# v1 L/ x: V- m8 v4 \被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。  D+ ^, h3 ^+ L* G
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。7 m8 ?) e4 J) L
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：7 n' o0 [7 c. j8 t
1. 表面清洗
8 P: U  ~2 @6 T+ i* u7 F+ f3 ]2. 预处理, O& h) Z! c, V+ q: F
3. 甩胶, {" q- z) }3 M& U# K3 n
4. 曝光
! h  J3 P3 J4 r3 _5. develop（显影？）& f/ D9 \0 L% x4 A9 @' F2 \
6. 刻蚀/离子注入
, ]9 L  J: p( W9 m7. 去胶5 O* _0 ]4 y  ^/ q
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：! b4 Q5 _; |6 `+ h/ f
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]! W* K& g7 g1 J# m0 j6 O6 ]
对于光刻机，公式演变为：. v. d+ b: _" m& h5 f
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex], ~, g- \" @9 i
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
7 j8 E$ ]) J8 ~1. 436 nm (水银灯"g-line")
2 b  c% {! X0 C; w2. 405 nm (水银灯"h-line") / q1 W1 y: T. c! j1 F& T
3. 365 nm (水银灯"i-line")( J" |& y  i* g  {0 @
4. 248 nm (KrF激光)
$ ~  [9 O4 L6 ^5. 193 nm (ArF激光)7 c' X; k: q7 }4 X7 V
6. 13.5 nm (EUV激光)
9 N) X0 d$ F! [; {1 ?. M工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
% ^  C1 G8 J  C! h7 O$ s按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
, n! n3 x6 N* ^! ~3 \1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
! W+ ~2 _" S/ X+ R# T2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。8 `/ @4 S4 x  B" `# ^2 r
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。' ]! H& J4 f- J
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。7 O' b5 Q$ f( P- T+ e; ]
# n  ~( F( c5 ]1 H
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
5 d4 U0 {" V% e2 G我还以为你才30多岁。。。

& k1 l+ s! W' _; t西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。8 S0 N: b: V! h) d7 |
' x; `: q, d+ \2 X, \: ?( y( L5 T
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
6 }, q% K! ?7 O, f: t( y" G  Q# y& H$ s
) R( e. b1 E# S凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
2 N9 d" f! u2 r9 `, b! u% U1 c' @0 P9 V: }
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm" G4 Z0 N5 M. x% n
9 T; `* W2 D3 L/ A( E- u
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。6 f- Q* a$ D) f* k3 Y
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
7 E8 ]) Q" U# g' Y/ I6 ?( J
& v0 v5 [7 d" r2 C+ p" Z延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。( j& e6 ^& d* T) d
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。9 X) j8 f& ]7 W& ?% _: ~
/ D/ y% s6 F" V$ w, d$ k; V
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
- F! W, H$ x9 f& k. P. C& r; F5 {和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：3 E+ k+ n- g) ?3 m; c6 d
2.1集成电路生产装备
: U, m7 h7 N! c' G2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅# ^5 s/ L$ t. U# L' E* [5 u( ^
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗  D/ M# ^( ^8 y" e
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
+ E/ S4 A; \9 [3 f" Y2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
  M" k! F$ F7 t% d2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
1 X& h) V  D( R+ e1 v2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
% |. w+ x! z0 v: S* T$ i+ m0 ^2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
0 l! i4 v1 F/ n* C& H2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
- w3 Y8 k" A$ M6 n2 z9 n: w2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀' E9 ?/ [- p. [2 k( }
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°# O, c3 ?* y' T: z
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
3 b6 `/ A' J3 w% I, Z6 s4 ?& i2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
  v: l: r9 ^9 R5 v4 n2.1.13化学机械抛光机 * _; A. T7 e% h6 ?' Z% Z, t" z
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
" v, F9 Y4 b9 W* m1 @: O    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
5 U/ h. `" o; z2 d8 y    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
% [" j4 B; Q) L! C" ~    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min. |4 s6 Y7 e# q- z( g# ]% y! \
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
% I! }& u7 Y* A+ F2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
/ z; |# ^- T3 C+ k; H2 D" c, B8 f/ V  l9 |
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。+ ]( I: ~) ]; l4 j* B" g
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
* i3 G$ W( q$ e" A4 x公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
: Z# h$ `- D- U5 p
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
% ^  a/ W7 Q. R; l& ~4 I5 E感谢感谢' h' {! w  l: l

4 G" ^  ~  E- a/ z工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

9 I% X& g. _  B5 K- [# ?2 p$ {也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！9 z$ R# w' j3 E' V
6 B" l1 }2 r9 l: i  X0 `
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。$ E; x9 _7 S) U$ y# n

+ C/ f9 {( z: r7 I7 ^* A3 P1、内行人一看就知道，还在65nm
# w  X+ D5 f  C2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm0 n6 v! [$ S5 f5 ~8 C
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平# s5 u9 E& n: g) u; f
3 W3 K9 D0 X3 o4 ~* @+ L+ j0 y
然后就要等EUV了。
/ q0 N3 D, A* @! Z& l
% I/ b* y# H1 X/ O( U会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？2 S6 c0 M+ G: I( {2 ~! j7 e) W% \' r
, D3 a" J8 k3 Y6 Z0 S, i
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
) A: m, V& T$ ], ?* l+ ]( b# _. L- s也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
5 `3 e2 G8 q7 k2 l3 m. Q1 ~; V7 \! T! R$ k
个人感觉：相比于前一阵 ...
0 A# D3 M& V8 g) U9 M# @5 K
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
& t. [! {" N3 s: e' J; A+ v6 W: Y, ~
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。4 }$ B* U& y, {- E

! l5 L- f/ I) \' x1 h% s; x3 T% p0 F以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
$ _: N- \& f) h9 O' p) T5 V
9 l+ b& U' Z6 m7 E* e7 c. ~$ K
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。+ z- T0 w" A& m$ u/ @
6 G" R! [( e& S. [

3 B% H/ v' x; X8 L) I8 B8 N/ o1 C工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
$ G, g8 `) w$ p8 O7 y8 REUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

3 K6 O& f8 E1 N9 i) o2 H也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
+ S: q; i1 c; d) e3 |; C7 i% g不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
5 W- v- G  e2 f, y! Z8 t1 n  u- o# N7 |8 n/ Y" n- d
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

- o; [; j0 L; Z不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
, N' W" d) o. k& b% A也就是说，EUV用浸水没有用？
* v7 `2 o( M1 _/ K8 L
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
* H5 k7 w0 b* `9 b- C6 j5 K+ Q理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
% `# Y) Q9 m! p& D+ q
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39+ ~7 D+ a, N1 Z: A
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

1 I! H: u& n1 F' [/ m/ [相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。( ]2 E% Q4 j5 Y$ w
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。9 [: [) [# x7 y, J' Y1 Q" h9 j
9 M5 |) m( \4 G  V
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
7 b+ k) S8 b* k8 r也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！6 q4 y+ R1 n' n$ n- F7 O
) q$ H' E' V" x1 ]$ @4 ^; M4 e
个人感觉：相比于前一阵 ...
# u+ k3 w8 z/ t; Y' [

/ v8 ]- P! {1 Y- j9 L/ @, _* Q
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

6 Q4 c0 C" l' w! s8 a应该会在5年内实现吧。
6 f( U# }/ P8 d- G$ v9 P; e
! i7 P8 U# O: U. R微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）$ Y. g1 v' L3 {: }* |
24-9-16 23:55
* c4 Z/ }0 Z5 j9 m/ _, h9 E发布于 湖南$ d% h$ @3 R) _
来自 微博网页版0 c& g( n4 \) i7 z! l; Y
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
0 o! I6 t/ M8 O不是运过来就能直接开工的。
6 r+ c1 z. f3 t" d他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。  O9 o7 X7 j8 L/ [: L! `
+ X9 q% `1 {& t9 M- k; f, ]) v" s2 A
这个时间很长，也是我常年说：
: a( r% w* b1 j- p7 u9 h' h. _就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
- P% v' s8 e) z2 F1 O/ t/ Q' U9 A4 w8 [* g5 _) l
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。7 j& c" D" a8 L

+ v/ q9 a3 a. p4 U9 j9 p' T  y2 A简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
& B( A' z6 G) D7 y/ ?1 t" u9 W干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
) z( q$ @1 e/ Q/ B, s多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）0 n9 j5 K+ ~' c" Z
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了  C9 P3 }1 c8 O0 `0 g: v
( o6 s! _( x6 i' M3 V0 o5 S
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
( E' v, j: j% M! t! c普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
. ^5 d4 H2 K( M0 d9 m#华为mate70# 也没多久了。! M0 u+ e6 q) j9 B- w' t
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
$ D& G) O! _  T, [8 d- \应该会在5年内实现吧。; J! w7 e7 q9 X9 [5 C0 W7 Y
' b( Q* B# u# W7 ^
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

, ?/ b* [7 r& ^, P; y2 k
" V$ F2 l+ a8 u8 Q/ V这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:158 b& Y3 B& p* ~0 G5 p. Y* {1 Q( ^6 }
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

, A; E/ C# k" m& |但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
/ V( z) E+ L2 a
晨枫 发表于 2024-9-16 16:395 V" c  d1 A, M3 S
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
3 V  b# B% I# {$ S! Y2 N$ K8 V+ ^
; m1 ]& N6 A, |5 N  b4 t# ]
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
3 E( P* `# Z7 M# P- ]所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
6 v& p: h  a' l5 P6 x不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

  @* \7 F$ u4 @2 f- g8 O理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:546 I/ K  `' D% V# V) C. Z
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定4 I% Y- d& ^% ^: M
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

5 c; h9 @3 K! S0 l有道理。
( v' V1 E- _) J( h, f' D
$ w) p8 @; i6 D# T6 S不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。2 @1 E5 W: J+ P) ?# ?; o

: X" n. ^& V( k) D8 p5 t+ T中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。- L7 O$ ~8 E1 X8 D
& S0 r% v9 w7 [  m
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
4 k* ]0 Y9 _$ u3 x理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
7 h7 @' p2 e7 e' b% Y2 Y
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
: j8 X/ p* {, x; {按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
$ w$ X: W$ ~, x* {* o& x- F所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
# q! m+ d% F% F9 Z/ n! U. [
还没搞定？
; K2 T& v0 l7 l8 v6 a我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。9 f0 }3 m0 {$ N! k# L3 I
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
6 H, Q) \2 o9 T0 `8 |3 o& C4 b' f
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
" {& B- {1 A( B按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* l5 ]# O+ {. Z" F* ^
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

' f$ r& O0 `- r7 h) k) [; J突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13+ _2 n; [# R" D7 z1 g9 Z! ^
有道理。
+ {8 V8 i7 t; _1 O. U
& I- s, `% m* @不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

* c) Z; G) W" x8 D8 h6 c1 U( {% K3 x可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。6 i( d8 C. E2 Z$ G5 R
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 5 ~3 i" h- I9 J5 z
雷声 发表于 2024-9-16 19:19: F) |* @6 p' u. m$ ~
还没搞定？ * V1 F( ?2 H2 u) E
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

4 R  M1 ~9 R9 B1 B6 E; x4 a5 j  {0 O+ D- X
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
* Z) L7 _/ N* i2 a/ L有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
' O- |) p5 A  U3 ]/ f9 F突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

9 [9 X! }# `' H& s存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31. U+ Q6 o8 a/ F5 t
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
% P( {$ D1 R" b
需要用到浸润DUV吗？
0 E/ ?( t! c6 |
  H( `/ Z) a; \7 W我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
8 ^: [* ~& Y  |+ G$ D需要用到浸润DUV吗？
* D  G" k' U% v( L; p2 s0 v) r/ G0 b! p- l1 K+ p; M/ a/ O" _
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
# C' `* v' R" V
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
1 i2 k' p+ s5 a6 L, M可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

1 d, \/ x; H, g6 B: E是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
; n7 u$ N( _+ X2 u. B. A
7 E* E# `/ K+ `1 f/ h( V硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37& b0 K# o7 o# r/ U- Q% F  ?% E& ~
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
; |8 r9 L+ d, J; n2 k4 j- W8 e
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
8 L( L- d/ a: f. Z4 o按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定( B2 k% @# Q( w0 `; ~" [
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

2 [# G: `! G- x( x) ~具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 7 w3 K0 x) r/ C# {$ n# j
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43: X& R! z  X4 A( @+ l+ o
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

! G; W# n2 E5 M* ^, u6 k2 X% Y/ K" i, G$ y3 v" D
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
1 `: _/ a) Y4 \4 ?; l都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

% u6 A" _2 |  _! U: |; w2 K不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:134 u" O  @% ~3 X5 q( h
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

+ ]. D/ E" {, h! B, C9 X6 _/ G% k0 Z中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45) `5 |' t/ g6 ]0 W0 U
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。5 t( A5 }( U, ~2 F' a# P6 Y
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
4 I0 q3 ?! r) U( G" \
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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