爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 2 t" U: w# g+ l2 G) ^

) Y. k) p& Y' Y( a  U* v被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。- o( x/ D( p9 z
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
; u0 [, B# d7 H1 U1 l3 g还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：7 e8 G4 x. p3 z7 n( t. ]
1. 表面清洗3 m  R6 T, k. H' F) x% e* W
2. 预处理
- l/ Z, F  Q9 F/ s8 N3. 甩胶
* }; H- ~& k* T% x* l6 l0 Q) D. H4. 曝光
1 X6 c/ \6 T  s+ E% W; g5. develop（显影？）
1 r  B, V  ?! E5 K" M6. 刻蚀/离子注入
. e3 n! v1 b- t; L4 \, T& s7. 去胶; a% k- ~- P( @- Y3 u7 t% N# t
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：, |4 U# |8 G$ Q' n3 n
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
) l5 a4 S  m6 F1 q对于光刻机，公式演变为：+ k$ f% P! \! r2 T3 c9 y
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]  z/ K7 {) t  p; L3 X: L
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：1 n6 G# u& @; r0 P
1. 436 nm (水银灯"g-line") : b. O$ ~* Z8 B9 O
2. 405 nm (水银灯"h-line")
4 m/ J2 a& n, e( x2 v1 Y3. 365 nm (水银灯"i-line")
; `* P( P( g: F* U8 I4. 248 nm (KrF激光): H5 v( b/ o! g. J) c$ _2 ~
5. 193 nm (ArF激光)
3 b! e4 Z5 u7 @- c3 n% B6. 13.5 nm (EUV激光)
  @% B3 s  M0 h6 l8 I" p% G工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。- m7 {, T, u  R& f
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：' O! X8 ]/ G/ e% u- t* [! B
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
/ k' S& a2 b7 j( f' O( b' {2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
0 O( _! x  C# z& \& ?4 ~3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
( [* w8 t5 M) R4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。7 \' a" j7 N% {: E; E

0 U6 j/ N* ]/ b9 @% H网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18  @7 E0 G6 o' s) l+ @
我还以为你才30多岁。。。

4 e0 `1 ?+ D( f* S西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。" `  d" A! x- r( I, R9 W% n1 T

2 P2 N& n2 B3 L国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。: O( V4 _, F- J5 n2 c# W7 U' x

& k5 P( ?( P6 [! ~- d% c0 {凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢( `& y* K. \  G( m3 @" A
7 y1 t0 k+ q; S% H7 ~7 q2 u
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
. O( _! J5 p' C- Z& o! g$ m* ]% D
$ ?. d4 ^. a$ l! x0 \, d按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。" M* E$ m. I* u0 }* J; _
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
/ [! ]- }  _. Q" @0 x1 d* Z% P+ A4 Y* N% D
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。% l  _( M+ C, s' B( r+ m9 S# v4 P+ Y
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
) ?) \1 M9 z$ E2 @5 b  H# J$ n* O
% N' l9 `0 t( B" l另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
$ T2 p4 h6 }: A" g4 ~8 P和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：+ Z: P0 u, q5 M, F' B4 A8 D' J' L8 K
2.1集成电路生产装备* W" T3 z+ f% g( L, \
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
: T) g0 M/ e2 L) \/ d3 a. W7 k8 s3 K- Y2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
4 _0 n/ K8 [4 I2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
5 E% `; x1 ?9 ^3 b$ Y# i( P2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影$ o5 F1 Q- i1 E5 m5 {/ s
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
' H- ^# ?0 M: l( w% R. J/ R2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm9 {  T& B( T/ O8 F  q
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%3 L- I7 ?% \+ u1 @4 l) i% `0 Y
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA$ Y/ Q5 Y% ^+ c4 `
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀9 i9 d- p' `, I9 H3 O9 U
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
" f7 m7 a5 Y: c  C+ I0 t2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积- a8 \4 H6 v7 w5 J9 U
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积3 |* S" \5 d. c2 i6 Y7 g( D
2.1.13化学机械抛光机 % E* p2 n) E+ a1 o7 Y
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min1 p5 b- {2 I7 o& k, D
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
2 H6 X/ W* Z& s    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
+ h0 P6 Y8 P8 b) U    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
$ t' w5 O# C9 c/ l, S% C6 g2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm* V0 F& D1 _7 G2 V1 ~+ _; I
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
( O  C$ @2 q' }7 \
+ C+ h# G% S# x: z% B* w' M# i6 }# o很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。6 B2 r9 v2 L& @! h. {
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
0 o: [' U' v/ u公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

' ^, q+ |1 W; t) `4 ]个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
6 c$ y. L$ W4 e. Y感谢感谢4 n. d- u& E3 S# |& E5 [% I
9 p7 ]' d) o( m; G
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

4 D' B% e1 X  Y, E6 a也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
. s' ]- o0 ^: P- B# d0 H6 Y" Y* n* x2 S; w' \$ x
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
. a, D. q) }- N+ ?! v; r% a% {
' a" S# N% F; t7 M9 K' F1、内行人一看就知道，还在65nm; U$ @' y) y+ [7 T% i  E
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
$ o+ D) K$ L$ w1 F5 S4 [8 X& L3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平( E# ?" v$ H, H6 @/ c# H# m

' A# N: C' i" A9 a+ r5 q然后就要等EUV了。
; B  v  M6 ?/ n; X$ t# q, H' l$ N# t% V9 y/ c0 s: P" G
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
# y1 a+ K/ A+ G4 a8 s
  s* z0 X2 q. K2 x9 b在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
2 t8 a( M$ \' d+ _( L" t也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
! I2 Z8 ~! L  k$ t
' @' d' S; S- Q( @9 q  m个人感觉：相比于前一阵 ...
6 T: k7 ^" B* E7 W" G% {" ^9 g
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。( s; ?3 _* q, _" [9 k- u: g, w3 j# k

+ [9 `5 M4 d: K( F! [& [  O0 h. p/ }从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
) j7 i: L; g; M5 e$ U2 C& ]" y& k* a/ F" v+ i& R  z( o: F# s
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
6 q( @" E4 H- q/ a0 f) M  r' K, _" r* f+ q! C+ Z+ }; N
8 z7 g- E0 ]. q1 ]: v
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。/ D8 C9 ?1 \0 Z& M9 |$ ]
; G) L; M: @6 [

3 w- V9 Y3 b! y: T工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:421 @" c5 y, }1 v( \
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

. u- U2 P% M) T! x! g也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
. Z9 @$ s' k5 I8 v' _! r9 F) Z不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。, R! Y# A% [9 J
1 i8 R* `$ r- ~! h. }) i* ^8 ^
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

! Z0 b. D7 W6 h3 G: F$ [不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21. R1 Z+ S1 S# q2 w+ [" c
也就是说，EUV用浸水没有用？
3 @- t- r+ U: z
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
" n* y3 Z( G% o3 d4 e理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
4 [( v% t% D6 u* O4 P
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:394 p" c) |- [( g& s2 S) y
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

0 n' I3 B: x# d( P8 ?/ j: c# k相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。! b1 e* [' g( m1 f/ {
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
$ _, B- W2 k; e4 W: H
$ R* r4 V: t2 E) G* C4 l  dhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
* V: P5 }  }" e. A8 w3 i4 m也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
  c, Q+ U2 P% x7 G8 h( r
' S& [0 \) o4 e! w9 Z1 p2 Q) V个人感觉：相比于前一阵 ...

9 s& N0 H1 J* u+ W) R
0 j# F# k. L3 K% |% q, j' L9 e
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
6 ]: s- Q( c' v( a/ Z6 W  X
应该会在5年内实现吧。" {% Y! u* {( g- A7 d) e
' I# i6 ~" _) U' P6 I
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）8 L% m4 D! l( l9 @# g6 V6 L
24-9-16 23:55
7 p" `- W# `* N  J6 {发布于 湖南
) |  q( y2 G% n; I来自 微博网页版
4 C7 K1 u( C( g9 ^, l/ F啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
& h. H( h/ ?: b7 g& p2 f不是运过来就能直接开工的。
& }0 @4 z9 O. q* l$ o他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
4 s( C% x. J5 q, W8 i+ f  X' B
3 I* U6 ]0 B: m) ]9 Z这个时间很长，也是我常年说：
5 {6 b& I% [$ P就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。# W1 p: G2 f5 D7 _. A: k) F: z

- M+ {3 E# o' y5 G9 q3 K" z现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。% `) j+ x0 K8 |/ a# ~' U

, J) W4 C9 `, H$ z3 f1 y( a简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
: b& n4 f# N( ^% T6 S' k5 S干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
( z7 S% g# E6 h& K" v3 b" i6 Y: `多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
/ _+ O; M' ?5 d但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了" P+ y/ f& A) B0 j) T  R8 H
- \8 l7 Z. t3 z) ^( J! t0 p
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。0 ~2 e* g% g+ T
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。; q0 B0 m/ J/ Q+ W1 |
#华为mate70# 也没多久了。- v& }7 k, [  ?4 d# \
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06# e# G5 _, i7 N7 o, n' l- s
应该会在5年内实现吧。1 T8 A3 Y) `1 Y$ ~$ S8 ]- t
4 \* X/ n) c- ~9 u& |+ d
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
1 o/ b0 p$ E* r  V$ s. R

  n) F8 @% z% n/ `这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
6 d/ [8 U) k* }这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

% K' y4 x5 d/ ?& Z8 ^但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
: K3 z2 t  R* f- v2 G
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
8 H) [, ~) g0 p0 z但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
) H+ Z; n  Y+ u# G! ?9 J

8 I0 m' J$ a% ^6 K按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
9 Q$ P3 D. R+ z# B, a" C4 b" B所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
2 }& f! Q, U* {2 @8 v不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

5 K6 c& _" g( x" f理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
0 r: {  p  I7 H按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 ^& f+ Q+ C4 w) i
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
; s, W  N% ^) n# v- `) T$ [/ R
有道理。$ s* I" m" ?6 l6 o% ]% ?  T
* l7 j8 ?4 M/ B2 D" ?
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。7 {# \) W4 \: ^5 ^
$ s0 D4 O* k" z( z0 V7 l+ p
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。  |) l9 D9 O  J5 |0 K1 \# ^  S5 W
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这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08  I2 |/ {$ T/ b, X+ `. r+ U" I
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

# h% [8 ]8 e; `- q; Q这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
% _4 x9 Y# ^7 ^8 h$ ~% [: A按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定3 e8 N" u+ V0 Q2 \: j" [' k& K
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

% Z8 T3 J+ Y- A9 a7 u* G# ^4 Q! I还没搞定？
- ~( e6 @( n4 G6 a: L( L我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。5 N5 v' k& e( U+ k  N
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
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作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54$ y7 }; m* w, w/ F8 {! J
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
/ i0 p0 X- L$ y( m所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

/ X; A; k6 [/ t: L7 R突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
4 |6 w1 n" e+ U7 m2 F! d/ M( b4 s有道理。6 e. K2 z9 L7 Y/ F
# N) t9 s1 O# }" G. k; a8 w
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

2 D; g1 [1 f0 b) \$ x5 g可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。) {, N  _; W9 y- @( V
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19- L, I% N) L- u5 L
还没搞定？ ' k7 p* t% T5 d- N& f. ^
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

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Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。/ ~0 S6 o5 |4 t
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21: e" v# D# y8 m" M4 y- d2 E
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
  C+ B, E( c; Q# f' j9 l
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
& Z3 a0 ~: j+ Z1 Q- ~( L" o% w存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？7 u, c7 M: U$ f) q
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34# N2 C1 A9 B! Z4 v& q/ K$ i; p
需要用到浸润DUV吗？$ q2 f, L7 Q+ d/ r0 r. @$ y; J& f

) E0 u; k+ l1 R* O: ^我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

+ n: ~$ q3 ~5 q5 U& g浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
# M# t, S7 b0 j可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

  }5 T0 l4 O% [7 o是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。0 E, H3 f( x. ^; n/ D; \
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
. n6 i' j  u  o/ ^浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

# L7 V% A2 R: a" |' ^' o; U都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54: N1 V& ~+ z% I  j, ~
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定5 B' k3 q7 @* {) A+ _5 x& R
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

+ ]' p* W8 ?( H+ d, h5 O具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
0 ?: m  j7 u, v0 c" U具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
0 u: Y1 c1 d8 q; K! e' q7 g都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
  N' }/ C$ q2 `  g; R! w3 }# d
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
; D" U2 Q6 c7 p4 V2 o. |8 U3 v" s这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45. }1 `6 l! s# |: S  P
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
( E% r$ t$ u+ f我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
, O0 q" d' L* W% [' Y$ W( c5 x8 \7 D) e$ T
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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