爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ; h/ e8 y2 U4 ?' F0 a
  T0 H  S( O# e/ \1 ^* j
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
% W' A0 ~$ d# e% U5 K5 P! `7 s光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。& S# i7 a( t; v
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：9 {0 o+ b' w7 ^' B
1. 表面清洗0 Z* r1 W* \$ w% C
2. 预处理6 O4 Y1 ^' c$ D+ Q  c
3. 甩胶& y+ H% t7 `4 z, {* ?* R% z9 }! Z, Y
4. 曝光
  Z: s- j' a8 m7 \1 V& z2 c1 `5. develop（显影？）
! J$ |4 F5 V& Z8 A. f6. 刻蚀/离子注入
4 x. h8 b4 F3 h8 a* O7. 去胶" X; s3 K. _4 O/ _8 B
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
9 ]7 ]' }% H% Z8 ^4 Z3 R[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
4 I" Z& |  R4 ~  O% N/ C对于光刻机，公式演变为：
! H8 l1 ~9 q* D% k9 M/ F1 d* ~, `. G[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]% F# M% c' x3 Q# W4 [9 V
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：! w/ U) [+ y7 G3 v8 H: D
1. 436 nm (水银灯"g-line")
+ ]0 ~: [8 z+ I) x2. 405 nm (水银灯"h-line") 2 X+ b+ G. M, b3 ]8 y8 u
3. 365 nm (水银灯"i-line")2 ]- }; y* N$ f
4. 248 nm (KrF激光)% z" L/ C' [8 ?+ u' g
5. 193 nm (ArF激光)6 l: p$ w8 f% B! D  T7 h
6. 13.5 nm (EUV激光)
* e2 b* ~+ U: m  s1 U工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。8 O) w# Q1 X( B% D
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：2 P8 V  p" ~" h, c# w/ y
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。) V6 ^3 S6 J7 p% ?  ], d
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
& u" E6 X7 p( C; x+ R- i2 r. \3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。; J8 n1 R3 i0 i( M9 @0 K$ [# H
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。1 M" w" a7 g7 B$ B( v6 |; ]6 L' p4 l$ T$ ]

+ d) c1 D% K$ |, ^+ ?* N, d9 a网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
+ o4 M) G6 [! N4 q我还以为你才30多岁。。。

: Y; }; j* b  a9 Q西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。9 X0 ]. @0 z$ r- k* i/ j0 ]2 s
4 a2 e% `2 t2 X; m
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。! k6 C& @( U3 p# f5 N# l
; S% b1 v* u. V5 o4 S- ^% ?
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢& k* |9 [/ F' E- L3 j* x, c

4 a5 i+ d9 E- M3 _- s* Z工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm! s; J" \8 w# q7 B4 U/ x0 M
$ s  F& N# ^+ s: @: g9 L7 f, |
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
3 ?) m+ P; }7 B) [/ H8 K确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
& A/ C( P2 h  S0 A+ v
0 z: L) `* f4 B# O# h! a延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。( X5 r" K$ \) W
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。) l9 \# O. U7 u. s* k) R

+ }1 O' E. u- w' W& A* {& {( {- Q- `另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
: C: ~- y1 h6 r1 B0 q和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
: M; F! ~* z' W$ O2.1集成电路生产装备
, T$ u' a$ O0 _3 y6 ]" F9 H, C2 x2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅) h9 Q# n# P# a. U' m
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
0 C" L, r& h& @" {2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm7 T# [# B9 u& R# }# }/ B
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
! @- `( t, I6 K8 [% g% j$ K  q2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
3 K( `* f/ P! m; ^8 `2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm7 L$ u: }& |* O/ W
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
% p5 d6 Y2 w5 y+ a8 n5 e8 \& z2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
, D$ m% q8 A; D; a2 c2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀$ R0 ]8 O; s& X" F% [
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
1 }" g' W1 o4 h7 q+ e: @2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积" p# ^5 D! m9 u4 D( ?
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
5 ^4 J8 `& F4 L) Y% q+ f2.1.13化学机械抛光机
: \/ m, r% [1 A' r0 N$ u( y    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
9 q3 R  t! N* M9 m( ~* s    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min! m! h; s" m- |
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min: u( S+ M: w# M0 ^
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
7 j$ [! y0 m  D0 d& d2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2 w7 N; m" [+ d' c1 L2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
7 y- \2 L1 B3 H1 F( E/ K8 A4 Y# r
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
  ~) J% l- R6 |  w% K
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
' N& Z! G& [% R! M公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
. D. l* P4 ?5 J2 h. V
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19! _9 M- |$ [5 ~" ~
感谢感谢1 g" |) {/ d' J
  b4 ]7 B# `) |5 a# d& Y% g$ h
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
- X& l$ N1 N- q2 g, H
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
* L% w) H, B4 }9 T5 J
" Y5 P# g7 b2 w/ X- @9 V个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。% p) b& [& m6 q8 y6 z. T4 K

3 l8 B' C3 l" O) O1、内行人一看就知道，还在65nm
* G! F6 S3 t, `2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm- [! Y6 @7 U- F# ?* D" G
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
- {2 n6 M+ D8 ?& E
. j0 u( C9 T7 ?  |然后就要等EUV了。
" Y* R( I7 k- _! B8 m& Q3 w5 B4 \
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
2 m6 x# |, o- m* |3 E- H& R' }5 t4 }3 A2 L1 ~) j" q: Y3 W" }* C! v) g- H
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:004 }- M2 J- z: t1 k* X2 y
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！8 C% u) @" T" T  f
6 x) g7 t7 M+ h: D4 M
个人感觉：相比于前一阵 ...
/ B) K' v, E: i
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。$ ]9 _) U* ?# b+ w' v

! @8 |! e' J$ i$ p8 @+ V& V从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。* y$ \) U5 l% X" m
6 L0 {3 F. s# u! j7 N2 i
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。6 q1 @, N$ j$ b$ k( m+ t
- ], O( G' h2 c- v" U+ A9 x, g6 {9 A0 b

/ a: z) l, y7 L5 ESAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。- x* R  m$ @2 |+ l% y! M/ v) t

6 m' E5 a/ {6 `- Y) M' m( T6 m, t/ Z/ A6 D# `0 X) l9 e
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42/ l5 y0 Y8 Q* c5 B
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

6 _9 I& j& `9 D) c# N7 e也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
8 h) I; @* P& W7 [" F不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
. y, M3 Y$ x3 K. @' M- J' E
2 ^5 p; o  v1 J; Z$ W, y2 w从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
  J5 i( O, k/ ~, j6 ~/ Y. |4 {
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
1 u; c+ D9 ]) a9 O* R3 y" x也就是说，EUV用浸水没有用？
% k0 V  m: r+ a
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
( q3 K3 V( N" a+ y理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
1 O1 D/ U* _$ q$ I1 B4 z- G( a# Y* S
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
. r6 a  Q& ?9 d7 a: ?* y- [是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
, E4 i( b1 ~$ {
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。0 U+ R+ f: P2 u8 b3 Y/ X2 i4 q
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
9 N0 w2 f! x1 d) n1 y
/ I8 V; o: T3 E, L' Bhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
. K* S8 i2 P9 H2 X) G% Y也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！5 Q1 H5 ?- k# l  z
6 K" H- s$ B3 t* T3 ~* y
个人感觉：相比于前一阵 ...
- |1 @* N$ o% c5 T; z
+ d) j/ H8 [# p5 U
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
/ q: U5 s0 L: W* `. B" \
应该会在5年内实现吧。
8 n2 ^, g' Y9 p! {+ l; ~# e
2 y8 b$ }6 ]" l* |, T/ T6 r# Y- Q微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
% V" U* L0 m$ ^6 u, w0 W24-9-16 23:55: y$ Y5 T# \# l, O( t0 s$ e6 S
发布于 湖南
' _6 r; G) X" e: t: F来自 微博网页版
9 D  W/ ]: @* h" t, ^$ \$ O/ }啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机" U& _7 s5 w# w, h& G2 ?2 ~
不是运过来就能直接开工的。' i8 d* v: C- x8 M( x
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
( v' g* U. l; F3 R0 |+ s  ^; C4 X7 x+ y5 [9 g7 `& Y  e  O
这个时间很长，也是我常年说：
6 _' l% j. J  Y- ?+ t4 e就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
8 @$ I8 i( _2 ^6 e* q% A% U
2 j, R5 }! f8 D3 D$ }; t/ f/ u现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
2 x. X( z1 e8 z6 I8 z% y' U1 z
% E. R' ?3 t% X4 s  G简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。2 q/ C" L: W' d( z
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
$ m4 Z+ V) x/ }7 r8 X  `多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）4 V4 Q- ?. o9 X, Z6 o& o. p' l$ Q
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
) r4 a! l' w4 A0 ^5 f1 }
, W! {4 S( K" u! \没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
2 V* Z& b' K' h" h普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
) G7 H) G6 v0 h- X#华为mate70# 也没多久了。. k8 T( o" Z- i
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06% K" O  f/ y6 n$ p1 M6 [
应该会在5年内实现吧。
4 f6 S) ~( L( v/ E& }) B9 O7 v5 k4 V% Z! Z: i2 Y! v  S' F
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
: I- Y. r- O7 C) \% _

  W- ]' v% P& k! _# H这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15+ w- q  M4 s7 }! Z2 S
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

) g) j* k6 U% _" K& g但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
/ a3 I% }- Q1 _8 \) ~
晨枫 发表于 2024-9-16 16:399 x, ]- }" Z$ ^0 @, @
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
  P& ~4 e) O% {! f3 v2 o6 G  G8 h

6 U- @, G( }+ W0 B" i. p按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
0 E6 `- E; w6 i" c$ Q: B" M所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34/ N# h8 s& \# n3 [
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

" m5 r; C  L9 [: H5 _% C' s理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
% z. r4 A0 L/ S+ g; }5 x. e/ J4 g% [按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
0 Y- F) A8 \- k+ [! ]* R所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( O3 @6 j6 x# I6 l: _+ j) J+ G: E, p有道理。
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不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
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, l2 e$ G( o. x7 U5 Y中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。/ I. H; N( M3 B1 s
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这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08! W' R$ \3 f% }( e; l) X
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
, \4 j* ~3 k9 l& U1 f1 _4 e8 F' ]: C按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
- W5 i. q4 P, l所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

% v+ f. D' b0 c还没搞定？ 1 Q& q1 V, T7 ~- x$ @
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
: p9 l1 ~4 M6 Q5 i7 {! r尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
" l. G9 n' b8 z3 r
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
% D! X% Y( f% L. q3 O$ l按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
" G# R. I2 w4 p) M# D  u- G所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

4 f  s# ]. F& \* i" G' Q7 w. m突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:137 m- ]$ J. ^: G. L  a+ m
有道理。1 n/ T+ D. B+ U- o- v+ ]7 [* B
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不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

" F9 Y2 Y6 |7 A% Q. b可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。9 O1 K  t% s7 Z/ @; u: h& [' C
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 . y' h: T. L* u: \$ T
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
. k9 T7 z& U# {' I- a还没搞定？ . t- Q/ r. Q# H
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

! X, e  }: c( P$ I0 P1 s+ i" {4 U  v) |" [& {+ ]
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。; f9 X" g( o* \" |7 r( Z
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
, \1 W6 ?$ D4 I% r" D" ^突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
$ O4 c; Z+ f; E存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？; ?2 a* @- ^/ E+ Y+ ?1 V
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:340 O. ^6 w) z$ F3 w* z
需要用到浸润DUV吗？
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, [1 l) a4 |. N& H  S4 |我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
. L2 Z7 o) @9 Q' P3 q可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
8 F' S$ V0 N1 o1 q0 K/ W
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。( \. X9 V8 g9 v" y$ ^* f! I) @

6 |) m) N* N) g9 }硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37# s2 {5 L7 v  v; ?7 ]6 p3 m, w
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

( U- W% T/ Y) l+ q) Z都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
' [! N0 q& W) ~9 I3 M8 @. q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* l, q1 Q# u+ m/ L: l: O5 m
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 & O2 Y( ?4 ]* j
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43. p$ ?( k6 m3 X5 }
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
2 u$ Z% p" z6 w6 @1 J5 R

6 o+ _3 h/ u; O2 B( C5 T这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
7 o4 C& g: N0 b& k: u都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
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不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:138 s& M6 Z8 S( C% U. e2 z
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45& m+ \( {0 q/ V6 O; l
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。5 [, V; M5 ]6 F4 @$ ]1 u0 U* j/ }
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

  H1 k- i: o! g7 F1 [1 J" s3 I我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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