爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ( Z% C* p$ F6 [/ _
4 B/ k* N- {, n# e
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。3 {% j0 R) o1 \6 L" `
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
  e8 _* N: o3 ^9 H! l) P. v还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
5 \% p4 X9 M4 V- |" W, h1. 表面清洗6 ^9 k0 |  h4 I0 e( P' }
2. 预处理
9 j9 S3 P6 W$ A0 Y+ o0 f3. 甩胶
' a: B" m. }$ M  i6 Z4. 曝光
! T6 n' c9 x7 I/ ?: n+ \  i5. develop（显影？）
+ o$ [: E2 w0 n8 J' R1 b6 O* d0 W5 c6. 刻蚀/离子注入
- `* n1 n+ {/ i- m0 N5 F& Z8 r7. 去胶
6 J! T- d% k! Y* `5 R1 ^6 @光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
$ s$ `8 {( d" w[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]$ k5 Y6 S! c9 s' D5 `. M& {
对于光刻机，公式演变为：
0 a& u. e' _# Q# O6 N( {[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
- p8 U2 r6 s) c& F# m4 x6 l5 U# q这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
/ h2 j% S0 |" S1. 436 nm (水银灯"g-line")
' i' u9 N6 F9 I2. 405 nm (水银灯"h-line")
7 p* E' o- A# [) y# l- e2 \3. 365 nm (水银灯"i-line")
. I1 _2 w1 S+ U& h& z4. 248 nm (KrF激光)
+ h* k4 q  E/ w5 s1 d  i$ B5. 193 nm (ArF激光)8 J! ^3 I* U; z7 @
6. 13.5 nm (EUV激光)8 S! b% Q+ g/ H3 |
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
( r+ W  e( O5 H' I按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
" D4 [- i: h, k1 U. i1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
2 T9 z. Q: u  A0 S" s0 W2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。/ F. E7 n9 k; t; S
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。, _. v; `0 K3 z2 P! m
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
& |# s: i8 u. P2 N9 r; \( [7 P! a& B# h4 ]$ w2 X& |
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18* o) F4 R' u) H; K* h
我还以为你才30多岁。。。

  H7 @0 i: s( c4 k5 K西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。+ E4 b! B$ C9 `4 E: b- y
! J' u+ i/ ]0 Z! ^, _5 B
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。) ]" K  }) H' x5 c% e' a
6 l0 b3 P/ x5 ~, R
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢8 ]4 e( ~" }/ H+ j6 G+ ~: S8 Z

3 N9 d" y& C* B5 ?3 t2 X工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
2 X, |4 \8 K5 H, k0 I# U
3 Q. _8 n* D3 R6 s! c. ~按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。2 ]! Y% H. m" G; C. S/ _+ ~8 g% D- y
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的" K, {/ X" e* d/ F

/ X- h4 u2 Y6 }% F3 b' ?! s延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
- v+ f6 g( k8 R那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
% `1 }3 N9 ~8 P/ l7 C: }: q9 t+ F- }% n0 P- d0 m
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html! B  i! |. J3 a- G5 s
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
4 _- L+ {1 p8 {' R1 g" D8 Z2.1集成电路生产装备
' P2 y: S' o6 H& ]/ A2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
4 T' J7 b' H! {& P; ]2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
% a/ D4 I0 p3 H. X+ s$ {5 g2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
  ^8 r* h. o, _+ [# n) W" Q2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
2 p9 L+ d1 h7 u$ u2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm: W! ]4 \/ N  [
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm7 |. K$ ]+ f# O! U1 u: e6 l
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
8 [! T- o0 B, @. N2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA- W3 D) y1 R( v  P3 k
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀7 w3 _8 M8 i  P
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°4 Z# D# y- z, t
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
3 c! k. W3 {* M+ r; Z6 P4 e7 c2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
0 N6 h8 `, B6 ?" A3 |9 ^, X) z! A2.1.13化学机械抛光机
) f! T+ p$ d5 G4 F- k    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
! D7 s$ Q% t( v' E# \) B& d    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
2 ~$ u' o1 T8 Q) c0 @' T6 m    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min1 t, u" z) T& F
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
: {5 \# U" c. f; {  E, v/ N1 p2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
! K, U2 m: M9 d1 V+ {$ s2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm$ k: x; w+ s8 P7 `( ]' n0 a
; f3 m* ^4 I6 f$ }2 A  v" z/ e
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
3 ~/ u1 u7 L8 m+ l" E
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:465 g5 L- \( K' W3 g0 [% _& J
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
# x& ], Q+ o7 m" e/ A
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19' V  q# m; f7 \3 w  L6 C& H& E
感谢感谢& y3 b9 n3 X* N

' \: {$ w) @7 y9 h工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

% S& W/ e$ `. g/ x也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
* b+ u2 M# \0 D% `% N% O
# E0 P' T& ^" z: R: [4 _% @9 D个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。" {: B% d! T2 O  ^
3 g  F1 s5 O+ s* c9 `& }
1、内行人一看就知道，还在65nm2 [8 k3 {& Z1 b) z' ]- E  o
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
4 N( L  i* g4 S8 F3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
& X# M4 k- V. n5 ]( P% Z8 R( J3 U+ \+ y# s8 x
然后就要等EUV了。' m3 h. H: q/ G! r" t
$ W6 s* k0 m% C: v/ n+ F+ j
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
2 T# s( f1 ]( _* q5 w" a7 d% l
5 _8 |* H3 i% l8 |4 P% W/ G在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:005 Q4 J) ~8 ]# D, V( j$ v" r
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
" a* g( L0 ^, C$ D/ i- X7 x8 h' J* m5 O' ~9 u, s
个人感觉：相比于前一阵 ...
! N# L8 s- C! A: h2 I8 V. `
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
" G9 }$ y, H5 t" F! p1 j8 S
  I* t3 n0 ^8 \. d从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。' k) g8 W. {0 u
+ o( j1 w6 I) g  g
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。; o2 \$ G& O: r: u+ k
. u4 M. A. x) `7 `5 o
$ B/ {$ X: a4 @( B$ q
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
: {3 X4 u9 h1 \( ]
% |7 ~, D) I2 L7 E: S9 p! S& C. @) U5 J, p( x- H% N
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
0 X4 [% b0 i& p% W, H. n$ REUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
+ t- D5 m( Z) I0 {9 w
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46" p! F) z5 y) V
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
7 o! P; E& Z; O; K+ J2 O. A7 h
: A" Q3 u5 E8 L$ o1 U: I7 o0 p从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

7 v5 o. ^4 q: ?9 ?) |% G不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21( c3 a  f  y% H5 A3 S7 h
也就是说，EUV用浸水没有用？

/ b% U9 ]! q: x: i" P理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38  b- j; \3 s: b4 [, I$ l' y
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
4 ~8 x/ g! K' }4 o; j4 X( @/ k* Q
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39# e: z1 a% F+ q$ f$ Q. O
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
/ @" u+ y, G5 S( o
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
. V6 \. M$ w5 u/ U我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。$ v( j+ T+ F/ m. {. v

3 H% J- {" A* ?( h2 E  }https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
6 [" t. `3 \& w& w) @也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！" P, a  ~" t% r/ g# f

* j. ^5 _; k! e8 q( h( m个人感觉：相比于前一阵 ...
; {- {* M: X% m! _! d0 G

! a! n8 S2 O1 O
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
3 y3 R+ W, \& ]2 H1 ~5 m
应该会在5年内实现吧。
* L7 w! R7 Q! }" D6 T1 X- n8 M/ ]8 s) S* Q9 D- R8 B" {+ B- e  x1 ^, X
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）" V6 x0 S3 ~1 r' u8 `' z
24-9-16 23:55
6 h8 H; |1 A7 e( A# q. R发布于 湖南
6 M7 Y( t; e9 @  Z: Z% Q2 l1 M来自 微博网页版
9 |9 T8 d# f( {& |3 j啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机/ v7 G+ E0 }/ Z3 W# a, B, J
不是运过来就能直接开工的。
, m- s3 s5 r0 c; }. @1 `他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
. `, K5 l- `* g0 N3 b2 g) ?, W/ }5 `
这个时间很长，也是我常年说：9 Y' ~: ~) x% T. u7 v# W
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
" i) p( u' ]$ S5 k5 t
+ X$ g) D& X; a$ t; @现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。* e8 ~5 O& i2 V$ V
4 @; y+ d/ s  o7 k: W* D
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。: N. J5 i% s0 R, ]5 _' F
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）4 }, C& i' R7 e& S$ ^. `4 y7 o# k
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
; q5 g( j% N3 t9 c0 ^但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了" @0 U; F) r0 O

1 ]1 j/ `' n9 `, c8 [没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
( E  O: a% q9 M  X8 m普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。* J9 a: z& W( K. ?
#华为mate70# 也没多久了。) g1 q! c$ f, ^( e
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
0 L$ M0 }& J" O# n9 k* @应该会在5年内实现吧。. L; h1 u2 k* R% V+ \" P
8 V# \9 e  `( X2 L, \
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
0 p- y  a) h+ x- z8 k; Y2 ^

. J/ B5 H3 B) g6 M3 z这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
+ B. U* {* {4 n, Y这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
0 C+ V8 {- y  k8 T0 S
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 " B: i& W. E8 m7 Z
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
+ C' j7 {9 Q( V但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
0 u0 f0 N/ M, J

# }$ V  P' q$ J5 f7 W4 b3 T按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
: p% [4 B5 C8 S: s* W& \所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
$ n4 {. z" l) H; F- @不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
( s7 {7 }: u/ k; `& f7 z: U
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
  r' l  j5 o% f" m) N& Q2 K按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
; w: |) f: i- d8 k" T所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
8 N7 Y. @; b5 O; ?3 k$ g' a
有道理。2 Y1 e- C+ K5 f6 O" H3 K
/ [7 l4 Y- {  V& l7 K$ j. X& Z  y
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。/ R1 q& X4 b5 y6 q9 n$ Q

2 `4 e  U! p8 l1 I7 U' L" |中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。& S" s, Y/ z  G2 o
3 f- g8 G; g, H! k" V  p" S8 u+ e
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
' |; ?! f; t* v4 H* ^! |理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

1 U! m! T  L' ?3 g. w3 ^这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54$ H! c1 ~, j, r! a8 \7 K! x
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  u( K5 Y/ L4 k/ s% E. R! o8 a5 @
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
' o6 ?% z7 n8 i5 v
还没搞定？ 1 r* }) l7 a8 s- R+ \$ _- q
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。- R4 z; n2 B6 [- h, u/ ^; o
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。$ O8 m4 F6 T% Q
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54  T- w; r+ F8 i4 v
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
9 ~# Z/ R. t( S! w( Y1 _所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
5 N" V# e& h# x1 _0 B0 B( G+ T
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:139 a2 n1 {( M5 c# d
有道理。
* Y% |! V1 }8 c4 |4 a& D6 [, C) S/ l9 d- h' l0 `2 @. _
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
8 W" }$ r: H) C& V: N, _1 E! Z
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。6 H2 u- C$ j9 ?8 S4 z+ ]
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 1 t; O9 e1 F+ w( P1 n; a# U; z
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
( k- y  q  T; G' @0 ?还没搞定？ 5 K$ k* j8 i* o+ |3 P9 n# t
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
4 V' r. z5 D) Z7 }

6 ]+ ~6 R5 s/ G7 }& [Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。4 i- @+ f  Y* P5 M
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21. z% g0 E, s+ h- v% q+ Y3 c
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
3 Z2 ?, J3 ^) o1 ^3 r
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
. B! a9 w$ r$ _5 b2 v5 d存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
& @4 E( }0 w" h' e
需要用到浸润DUV吗？& q- W8 N2 [' T1 x( I
& {0 c2 A' X8 M; p; D" z
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
* o" y$ k/ K9 U9 V需要用到浸润DUV吗？) t' W, Q, c  _+ G+ ?$ p

4 v2 S2 |. g) A6 D" P我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

# x' \$ M: e6 W( x4 ]; G* r浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
6 Y* i5 _" i5 W2 [( A) L可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

3 ~; Q! S& G; g9 V6 T是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。- l9 H: P* {: l$ J

9 b+ b! z8 w( D硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
2 @2 O& f8 q9 f: J. s* D浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

" ]  C" s8 D8 G8 Y3 |都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:544 a& f, Q: C" Q( q% q( J! ]
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定7 O9 c) U: r1 T) P  Y1 w; c* c
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

# c! _- f7 X( A/ h8 K; D) `) a6 R具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
% @& T1 ?5 n3 E9 h1 A
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43% Q1 o' ^6 ]5 @6 U7 A5 J
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
3 q0 p" _$ k$ B" q/ M
6 I/ a& I# x; |" P* {
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
0 W& f% R! l* g; |$ O: R都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

3 F6 W5 d6 P- g/ Y9 o3 W% \% h  v- }不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
5 H. z/ P& U* b) q6 M. `& A2 w这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

: j7 y8 i9 d+ u% ?中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
4 O$ G9 U, N1 U' C/ L1 t0 [* L) v. l: Q) @在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。" R8 e7 S1 g4 \8 Q$ |/ R( u
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

2 e+ X# r/ w7 M$ W6 K; i我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



欢迎光临 爱吱声 (http://www.aswetalk.net/bbs/) Powered by Discuz! X3.2