爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
" ~. l% K  u0 E( I3 B7 n6 W: ^& ^0 Y! j
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。' A7 M4 F( X: T$ Y% e1 m- Z' R7 t1 L
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
" G4 v9 K( E# B; P6 A还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：  y/ l& B- b+ o3 p4 T# c
1. 表面清洗
; Z8 L7 N6 G# t1 H4 B- j, J2. 预处理
+ [! y$ C/ v0 u- X; d1 t# y3 F3. 甩胶0 C1 ]( H5 }6 f: w9 o5 Y
4. 曝光
1 y/ V6 V  B. y. a# s2 O- E* A3 U5. develop（显影？）7 `' D, s- P( V2 |
6. 刻蚀/离子注入
, _/ `! [1 V. c7. 去胶, _- j" l1 G0 O7 z8 Q
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
" G; }! ]2 n% \! P) e[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]. d4 a, _3 ?5 D) y
对于光刻机，公式演变为：
3 g% |4 Y. n9 L" O/ _& N[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
) s, O) c+ D# L9 v1 ?8 }+ v8 @" }这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
8 S7 O* H5 p2 d) i! {1. 436 nm (水银灯"g-line") 6 u. }( l7 u. Q
2. 405 nm (水银灯"h-line")
0 {% I5 o# j( ^: ~+ L8 B& r3. 365 nm (水银灯"i-line")( Y$ f9 a( u( f6 f) e
4. 248 nm (KrF激光)) J  |3 d7 o1 k0 ~
5. 193 nm (ArF激光)3 {: j* z, O/ c5 g3 E6 G
6. 13.5 nm (EUV激光)
/ ^8 G- d9 a8 J1 @% W, f工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
9 q, p& n- C& Z) B6 h3 q6 b0 V按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
- J- _- N! ?8 [  C& D, B1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
; I: i. {1 J1 x3 d* Y8 D& p" {3 `2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
4 [$ Y! k; n" M0 \5 q; H3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
% a. q( J( z1 U  W! q: k4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
  B* c4 n; e# y5 j! d- P3 ]& x  G# x2 e% }  w- R2 u! S
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
/ `9 b6 q3 b. {我还以为你才30多岁。。。

8 G* f1 Y/ e  q1 M+ L8 K$ o5 C西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
; V2 w! P6 ~* {9 U( |
( c7 P, b2 v: h国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
, M, h# j# m$ `- m( w5 a# {
6 K+ b$ j7 S1 F凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
: b7 l# _1 C, R' O6 ]9 [* Q2 ]; {6 J4 i; [: U
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm' j+ j2 F9 B% A8 b

6 U6 m0 @2 s& P2 G- R; T按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。8 t: t: r; ^9 a" t9 B+ p: B4 ^
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的  J; m7 L0 y1 y# ?( K" G+ c
- l4 O9 Q! l# a; q
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。/ Z; Q# H* h! x' ~3 B
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。3 W7 Q8 z& n9 E
. B6 H, A' c% d  z
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html  R) ^  D% K$ Z2 @5 e" @0 T  d
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：& A2 R0 e: I' h8 W6 H+ Q$ B
2.1集成电路生产装备( I5 F9 `! |/ R2 U$ ~, I
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
! U. i* U1 }8 B; x1 h0 S2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗8 b1 [. Y. o+ s1 z1 m' x" f0 X
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
' h+ I* C; g+ d5 c5 G. j. d1 f4 L2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
7 E- X5 H9 {1 P, \* F* E( u2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm7 M$ O; M" b! b, o
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
, g. I( S8 ?# \& G" p2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%9 T6 \; \. P4 n0 r' H* s9 k
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA4 v" q7 x- e; U$ j9 O2 p6 Q% B' L
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
# b  H/ E) w/ q7 O; d# s2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°% ?# D6 G3 ]; a( Z$ c
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
& ^; h$ I  A! A/ K  \' }$ S2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积) ^7 B  l2 ~5 P3 S% I' }7 u
2.1.13化学机械抛光机 5 a  N3 c7 K" B. ?# v
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min$ U9 o/ X5 H2 h! x1 }6 x
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
  y* Y/ I8 v+ Z9 p5 N5 Q    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min7 {# ^' O) `" `' F3 |
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min. h* O0 K* s8 p# Q# L5 B
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
1 D, c: z+ b6 a& {1 {/ V2 J6 }2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
" H0 K- V% a3 K* C3 }, O
4 Z/ m% r8 m6 X& }很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。4 X3 b6 p# u, Z( U5 h& B
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
  n  p& M# R, |公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
- l# D; A- Q* a/ R, Q+ U( J. _7 |
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
/ B+ Q1 X( e! o$ b) }# d- @感谢感谢1 A2 X, O3 u) Q) S

* P' _1 C# B  x2 C, P9 j6 V7 C工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

7 C* u$ `% B  A# Z也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
9 k6 \- g) g! D. b: e1 B1 U- h  w1 J5 ?' ]3 \9 s4 s
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
- F! O  B2 G1 y) A* `0 c
% O' z  Z# l1 X4 N3 o1、内行人一看就知道，还在65nm. v) i2 g/ Q& y1 S: z8 ^% y
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
, W+ O0 V$ R: s* W0 w8 j3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平( J6 h2 ]2 y$ ], E
4 r9 Z) k0 D6 p4 P
然后就要等EUV了。+ u3 z+ v5 s* C( H1 ]$ S

8 {* W- j2 b) [" ?7 Z会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？; b7 z5 L  w+ A' n
6 T- r+ V. B( G( O1 o( I
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00; V) T9 V9 N% l" z2 J/ ~9 E! B
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！1 f( W$ O9 w) p
4 r' P" A( h7 ]
个人感觉：相比于前一阵 ...

! O: h2 A7 X. x不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。% _/ d1 L; O6 ~; m9 R! E. H) Y

( @1 m* ^5 I/ b; V& e; {从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
* ?' P# _, l6 y0 \( t9 P1 k; z/ @2 z9 S! K# e
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
- E& X+ X! W9 ^8 B7 E
$ V) f- U( k( v) b3 c, r& Q2 W; p+ C4 m: v& S9 d
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。! m# N0 o; C) W5 g' u
! w8 U! k' X- l3 O# ]
8 ]2 P# v! u' o9 q
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
- [' g4 Y* ]1 U$ `) _( qEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

+ y6 v' n) t% L& W3 A! g. v' J& ~4 c/ z也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
  {) r9 `, o2 u4 G7 B+ L1 h1 d3 }不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
/ S, K# `0 t0 E; V. s1 h# g/ `  a# m, K6 M; [# y) R
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
! A# L) [2 s) W8 g) d
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:218 o" W7 c1 o5 P( q0 p
也就是说，EUV用浸水没有用？
$ P8 v: W0 |5 T! O
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
1 h3 d) ?/ C: J! {7 p5 ~) V理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
4 `0 R- X6 X- s$ S. w6 L( h/ ~+ Z
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:399 D2 ~7 j+ G. W, A# z
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

7 Z* m! G8 W) ~相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
; u* y! B1 W/ M* D/ e/ A我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
7 E2 o6 G  |* B8 D5 ]1 b# }4 |
: u; J* \, H1 f% C/ N  }5 Rhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
% D3 g4 Z- z/ W& z) I0 ?也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
8 e& q* i' m# J: e8 Z. d, u
' v& F9 @% V( p) a- Z9 t: _个人感觉：相比于前一阵 ...

5 n: ?4 k  X% I0 ^" x& c% f) @7 V, z9 ?- P! Q
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
+ M% z, f4 w; e* P8 j: ^1 c
应该会在5年内实现吧。
5 I  k* ?3 C9 i
9 F( Z+ H2 n$ W$ S9 U9 H7 ]! E* Y微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
6 p$ T% {. b7 l6 o/ r: u/ h24-9-16 23:55( K9 a$ p$ G/ X+ {2 n' o+ H9 v0 ^
发布于 湖南
8 P6 I2 Q, N5 M- s% j% J0 O来自 微博网页版
+ u; {6 ]  M- T6 u啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机, I  p( G% Q; ]: v/ e
不是运过来就能直接开工的。. M0 z3 Y4 C. N2 e
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
* D: r. \; E* P0 U- [
3 S/ _, T$ J( B* k这个时间很长，也是我常年说：3 u8 P$ Q1 |$ z0 P/ Q0 {3 A
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。1 N$ G  ^9 Z3 V* E" L& Z, h5 r

, W8 W: {2 ]7 k4 f现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。& k- x/ Z" O. i, g3 l6 K

: t) m! O9 S2 @简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。5 G" L( n# g, t5 b- i% e
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
4 g" s2 z, Q0 ^5 W5 }2 O8 n多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
, M" W8 D$ Z1 v! u( m  J) G但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
9 A7 {% \( @6 v7 ?, O4 e
+ T. ]0 }) J( w6 F4 ]没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
6 V. c, n8 A6 Z普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
8 e2 ^% H9 M, p% O% J! K5 ~1 X#华为mate70# 也没多久了。
3 a2 p- m* O' |; @6 T* n, N! }
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
9 E$ a( ?: k* u+ S0 k6 L; b应该会在5年内实现吧。
; h4 C: a& Z' V5 y0 I+ ?: ]* l5 Z$ V" E+ R
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

7 {1 X1 Z4 K9 H: z
' Q4 M3 \$ n% p! G- |& h这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15' a. h1 J3 k* w1 g% {2 U9 x
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
8 q( c& h5 F  X5 I6 C& l$ L& A$ i
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
- C, |: v" M9 x
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
7 V7 J6 |3 u8 S' I3 T  `. e但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

) _$ p, ]/ l9 f" V/ L
  e& b  P3 |) _$ |0 p& z按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定: W5 |& K: m% I
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
# O- j% W5 d+ _: s, a/ S; U; I, }不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

! B5 ]3 N. s- u理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
. {% i: S' S/ e+ `( k7 ], m按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定8 ]7 E  T# z1 }& E4 D& |
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

  z0 p* J- j$ _5 G$ v2 d有道理。3 I; ]( J" S5 o5 u8 n0 k, ~! k

2 A) @4 r1 Z6 e  e不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
0 \' C* Y: @) o! t7 p& r0 g) @  ~; P$ H. O
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
& F( \* j3 D$ W' ^- Z7 L
6 v- q0 g: p7 A. g这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08" [* O. W( s. L- x6 n
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

0 j+ w. K: `; H: w% {! K2 Q这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:546 h. ^( U9 v, [2 F! v
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定2 C: ]: B% J7 q1 n! \2 H6 Y
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

9 f6 t6 k  `8 G6 d( ~+ @! Q还没搞定？ * r5 Z& |7 b5 q9 T! Q
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
1 h1 x0 ?% l: O5 A: E' O尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。0 ~% j5 [0 N6 F* z
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54  Q! ?# K4 M( W# h+ i
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
9 o/ D* k4 R# h' o! W所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

' b3 {( H/ C" T: V8 p5 y突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:139 O! E* Y5 z! y0 |# _) I
有道理。
! v9 J3 y" X; T" p$ V6 w8 c/ \9 I. |( o
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

/ \$ C. N0 Z6 f: N' K  U可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。$ }; J$ @( E8 W# ]' ]  A
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
% M2 {* g# r$ f, Z- G6 w0 h还没搞定？ # q" F9 y+ B6 O) W0 g
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
" R$ s, l/ H9 S. C3 \! U
, W" B0 L0 F- A7 n" B
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
, n3 l/ Q* d% N% U( Z有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:215 ?3 u: ^7 E4 T
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:311 A( o, o% C" v) W
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？) }& s6 D" K2 K$ X
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34* Z) |4 h8 k( i* F; R
需要用到浸润DUV吗？* [8 Y8 L5 v- `3 }4 @7 K
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:232 e& ^3 l' G6 M; t
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
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是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
* y9 x$ B. t4 L# A
4 \' y- b% M" t) J4 I, ^1 X, E$ a硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
0 L- n" t' l0 T浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
7 M, g$ n7 `7 f0 n
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
. W. P/ U  e. D/ {6 c* R: N按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
3 Z. a2 |3 b& K3 }- V5 _所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

/ O( o6 C) \$ l( \0 s5 o% L  ~具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 # d1 f9 V8 Y$ {. Q0 g
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
' R  y, R( H  F# }# X- z具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
. l3 i* n4 y/ E5 Y% H; o* z3 H

1 u; m4 K/ W4 |7 d+ {8 s这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
' h  c( D$ V( X3 R2 o; ~都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

/ @) F' j& I8 L2 @3 _不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
( ]7 Z" s" u$ f+ }这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

- j% I; [% b" b7 c( \. k+ B中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45. U% b7 T9 u4 k& ]5 m% x( u# f
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
/ W0 X3 n5 j5 K+ t) l" C' I我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
% q# r8 V" v; Z# N. X9 G
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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