爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 & g7 ?5 k1 h3 ^3 Z$ M6 U+ X1 D" |
% s# a8 ^2 }" d; J  `
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
' @5 d8 s( y% `: m2 d光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。% u" L' G2 g: b0 ^8 v9 L$ N& ]
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
. K7 g, o! ], t, I' Z  o0 _0 {: L1. 表面清洗. L4 k/ n4 J  y+ @. Y
2. 预处理
9 ~) E9 V4 c0 _! m& @4 B( [5 f3. 甩胶; i; y7 T* V" M6 e4 U  `
4. 曝光
. f! g. J% d+ z) F3 f, a# v/ i5. develop（显影？）
0 A% h7 q8 E4 s' ]6. 刻蚀/离子注入
5 _0 |- P0 q& _" Y' H7. 去胶
9 v+ V0 z" k2 [光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：! q( U5 Q8 z1 b- `5 I
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]) C& {" B: Y% P
对于光刻机，公式演变为：" I$ G  d" j" n! W3 h! l: \
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
+ a. i; h2 X. L1 G( q" H$ K0 X这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：, t' A; B# E) h- H' ?6 f- J1 Z6 i
1. 436 nm (水银灯"g-line") 1 |0 z& F( m; O  n. D" M
2. 405 nm (水银灯"h-line") 7 r# _# G) t* t1 S1 n5 S
3. 365 nm (水银灯"i-line")5 |5 r. \9 M$ X" E" H% \$ y
4. 248 nm (KrF激光): y% k  F7 i& W( n/ h- a
5. 193 nm (ArF激光)7 |9 e6 `4 F2 H6 l  \
6. 13.5 nm (EUV激光)2 }+ J( R7 Q$ x6 ?
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
; [- _4 s% R+ [按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：: Y1 |2 r3 f0 |9 l. H- l
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
# q% V; @) v  T4 R2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
% X& m% E! K- m7 o7 X) l6 d3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。' w8 a2 c, H$ x: m+ ~6 P( w  G: X
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。! _$ y( _9 y. x5 d$ A2 U, Y$ I
1 ~9 H7 z! Z/ j% L" m: ^
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
  Z3 F; c3 E% M% Z7 }& i我还以为你才30多岁。。。
5 ]/ ~! T8 Y# U  @. d, \
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
  @/ o5 C# @$ V, W5 D) f) F) Q2 D1 q* Y0 K9 q; H
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。- R9 X" I6 \2 y# O, b

' D+ L1 d" U, y凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢$ q/ [, j( Y) K  Z/ q( o8 [' G

$ I4 v) m; f5 o3 z3 v, V工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm  K0 J* x% `. z9 O6 w" E! f

! B6 J* S) _/ G; O/ ]8 n) n0 }按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。" w0 X3 f! x9 Q; _9 l: f
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的5 p" X4 D  z2 V: p' R+ `2 i+ P' p

0 r& \2 O3 S& M+ X延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
$ [9 v3 r8 o( F那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。% J& ]! ]5 D2 E

- z1 B& J  l5 N* F7 b0 J. a另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html! o6 p$ |9 I# Y' M1 x
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：4 j; p4 \9 w, r
2.1集成电路生产装备
8 I$ E9 D# n" D+ b6 H0 {2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅5 Z* g2 i0 V) r5 L2 b
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
3 ~- F" o# ?4 b9 K9 v0 S2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm9 X$ E% T& v0 X( S) \
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
; y8 @  f9 }2 E6 Y2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
- J$ ]3 _1 d  R- u: _$ h& u" w! e' L6 ^2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm1 \4 `# q: y2 n( z1 p& r
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%5 y  [8 i4 E3 ~" b) o
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA. w$ T4 S0 }  ?7 k
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀/ ^: k. L+ ]1 V1 X! x9 {
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°2 a+ k9 z# u! Y- P* x
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积# `$ W9 c' J+ w8 s8 [# {  J+ l: ~$ Q
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积5 e/ M& e1 T- X7 R( b
2.1.13化学机械抛光机
4 }, _5 Y3 b# Y8 Z( e! N/ l    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min: j% Q: J+ E0 l( |
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min! l! u! C, u4 z
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
" q" n" t- ?# d* B    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
' R! p; R: I' n, }2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm) Y4 y( v% v  G1 ^
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm: r& ]2 l  d4 J3 ?5 J/ t( K
6 e; i; C* H3 I
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。" h' h8 E; r) `' Z5 }9 O. a
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46% I  s7 [% P  D3 }7 R4 J: E
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
# a2 `" s% b6 P  e+ R
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
+ _& a- r7 @7 A, ?$ X. {感谢感谢
, N  H' I$ N" f6 j, H( l1 p3 e2 d
" Z% t; \8 T/ X+ W7 p工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

6 H5 d0 C6 N- _# L1 A# L7 ^也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！4 @5 r8 B, S0 d% _

- I7 t( G/ ?& e  K4 q个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
) A2 ~' @; e& P; X- N" \" F# ~5 Z
5 s9 s! f+ }+ Q7 M/ P1、内行人一看就知道，还在65nm
$ D$ ]. w: j- R2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
8 c3 g  x& e- }) o- V3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
, n- _( f$ B5 U' T" z. i% p7 d5 u3 }
然后就要等EUV了。: p/ n# S+ j2 \* S$ _
4 d" d& m2 q2 f* T1 ^- Y( p4 `" Z7 d5 _
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？! I- d2 p2 Y& D
* b& y4 J5 N( L# e4 \& [8 }8 v' Y( A
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00- n6 E; D3 K$ ^
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！* l5 h, c5 Z- \, s4 J* I: y4 g
/ A0 n% h0 f$ A  z
个人感觉：相比于前一阵 ...
4 S. O/ m! \) L$ [1 c
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。  E1 C. m6 p5 Q3 g2 c/ |6 }

* ]8 @$ v( [. @& U' o1 N$ H3 S3 X9 e从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。. s, D  }& F% X5 D- L- f4 u

6 Z/ P/ T( U: A% S% b( U& N7 P* m* R以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。$ t5 l) N+ y, T# z4 n

/ p- L) \% G5 J2 V, X# j5 D& _, i! Q5 v% s, G4 b
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
1 y1 B9 F1 s4 a- v. r
! A- u, A/ k; Y5 I$ ~# q# \0 V! K4 W1 S1 U5 s3 Y* @
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42: ^4 U# h* J3 h; F9 h6 @6 u. u/ q
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

' B# d/ I5 W% W& c也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
# n+ w8 u) M. h8 D不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
' i, c7 ?) I$ ~8 x% D
- m5 w6 O/ V5 s+ g9 G3 r从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
" C3 a/ n- o0 p6 \9 ~* T7 I% Y" N
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
" d, o( t( G: t8 N3 A( J也就是说，EUV用浸水没有用？

( v* p2 z% x' P' s2 ~理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:380 d4 l. F. S2 k$ F5 g) E  |. f& `
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

$ h" Z: o( l( }( w$ k# Z: L2 @是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
7 D7 |% D( ~0 Z5 ^# Z# W. U# Y是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

, m- B5 ~, |! q) x" Z( \6 t相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。7 `$ \5 e, e( s% J6 b
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
" _0 ^  N$ M% J" F+ T! W. U- [& C9 {3 V+ @( w' D4 v7 [' U+ h
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
9 P& T' i/ R+ [4 j8 [. E8 h& i也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！% x% s6 |( ?5 I) r

- X/ r4 F1 z" _6 {个人感觉：相比于前一阵 ...
; ~4 o$ f' Z9 I# R" P+ j

) A( Y; ^( `% c# R. c9 y; G
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
4 H; Q5 w/ G/ L: `2 r7 D8 ~" t
应该会在5年内实现吧。9 K, L7 \. U$ d) L! E6 z$ X

- j  i4 ?2 J2 R% I( A微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
  ]* i2 T* @7 |24-9-16 23:55
6 v  u2 U) ^/ S发布于 湖南! I5 j# J' N" ?/ D1 C9 l
来自 微博网页版
( D% J: D$ `9 k9 u7 v( Q啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机! H$ \6 Y- R0 q, Z: o0 q
不是运过来就能直接开工的。+ {; b% B( t% A1 ?: Z
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。) S9 q, k$ l7 g2 z& G
* H1 c8 v* y% d0 \2 H
这个时间很长，也是我常年说：2 ^1 W3 H7 z  Y$ L
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。! C6 k2 A& y6 I* _, z5 N

! g8 k; @& d+ Y8 G% G; z  Z现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
4 V7 U: o& R5 J& z
" R* X( p. C( U5 q( [+ a简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。0 A4 X6 {* X8 v# V0 @+ s
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
) ~: {: g. R& X# n多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
' L  U& {& ]$ l但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
/ {# V; Z9 b5 X9 B0 g# V0 r( T7 ^
. h* G& |' L0 P/ r; [没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。# i7 @% p" w0 I' n# ^" c
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
" J# A0 y! X* q+ b8 D#华为mate70# 也没多久了。+ C/ T6 `; O- }* x: g
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06! X+ l0 f7 P2 Y: j
应该会在5年内实现吧。  v6 ]7 `) w5 I  K
4 p* u) S0 l* Q6 b) n$ Y
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

5 i: F; D0 c% A9 C! j& j0 A- R% v+ |* y/ f/ l3 W4 V
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
. b4 G: k. \9 y) f) {1 ]8 c' {; h这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

. d3 O; v( ]2 _& o8 S但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 0 M! W& _# e2 t) v* t
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
0 \, \0 W/ u1 x8 O但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

8 V+ m; G- b$ k: }; v
0 s* D  W6 y7 \2 R5 [: ?# d* O" K按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定0 I8 T- r) |: [! A1 w
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
$ e0 k9 v) f) M* d7 C2 V8 K不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

" R$ ]' u6 |7 q/ a" ]理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
3 i' o" p) S# Z$ G$ y按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
& C) R- b9 p# N: d0 s3 v) k所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

" m" b; j4 ~+ v4 }; F有道理。* b+ [8 I7 b9 F* Y

% n1 X) V* D! [1 |3 M不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
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中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。, F, z0 `5 H3 T
! P  @7 {$ Z+ L# v* T
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
& g7 N: Z# s! \) k. ?4 _- t理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
2 H, h$ [: {6 p3 P2 J
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
( x: t9 s. c, O7 Q/ P- J+ q# Q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定- M: r$ ?) m! p
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

0 C+ t; t6 d2 R% S7 V+ q$ k还没搞定？ 4 r# n4 O5 K# K9 L' \  ~( a
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。: t! h3 [# o7 c
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
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作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:545 i6 y* K7 f' F/ D5 p' i! l
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定) @/ X$ L! R- a; W
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

6 H2 c  A4 S& ^$ n突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:135 J9 _/ ?* Z, t
有道理。
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# |: t9 l; j5 k% x5 n: {# ]不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
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可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
  @  j* x+ G/ W6 ^6 k9 V. K很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 % ]$ m& |0 [7 c; G' p7 @
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
$ Y1 ~- K$ r4 p/ q) w还没搞定？ * c2 a' j& u0 N$ }
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

" a0 j# c  c8 u" ?' E" F5 r: ?9 s/ ]2 Y6 e+ K& m
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。+ c5 c3 @* ~: E' B, C/ K* F
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
  W0 `6 `+ H: R. |# [& L突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31# |% M' d5 \- ?" B- F; ^, c
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

( w( ]' R! R7 K( K; P* G需要用到浸润DUV吗？* |$ L/ t3 U8 b3 c: e$ b! l
- A9 g) m* _3 A) e& A, H
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
: M3 z5 P" J3 x需要用到浸润DUV吗？
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3 Q- }; {/ i( n; G3 R, C我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

, e# J! A: n$ Z5 e/ e, `浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:237 `; u- O2 I, N: j# k2 E
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
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是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。' B* X; f4 T6 X: e6 J* u4 M

+ r2 y, Y" }8 d' q2 j6 l" C7 c硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:378 V. Z& r7 v4 K6 V7 ~7 q
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
7 R9 ^6 X7 f  Q0 h  ~: e* v% v3 M
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54( r+ ~& `' S# l5 @' b5 A
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定) [6 {3 D: I# j: @; \  s2 w
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

0 _! g6 T, C; q! d具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43" w6 l! j- j. A2 \8 Y- L
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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- {& v7 N: X: z' W4 s  e这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:409 p% r: T3 v7 p6 Q
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
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不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
; x; t  ^: ?9 o" g7 c& b4 r- T这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45$ Z' v- C  m5 y. U: B, B' F) a
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
+ N/ m- f+ m2 q0 X" {我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

8 k" O, F' A! q% T我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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