爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
# I- K) a; ]8 {8 s7 |
2 {1 w. M0 Z; j! l被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。2 z0 f8 W5 P) R1 i0 n
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。( |6 W$ m' f8 \0 p2 ]( D) n
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
/ ]+ d( d( P/ n' L1. 表面清洗7 O& K1 ^: ~# j
2. 预处理
3 }& v. v  X) [% Q! ~) \& u8 q3. 甩胶
" v. f7 b5 H! D1 _4. 曝光8 G# p9 U- R( S7 ?* {( ?! n3 H
5. develop（显影？）, a! s1 N/ v: W( q# Y
6. 刻蚀/离子注入
. r- F" E& ~; N6 b3 l7. 去胶
' e' |7 u8 {- s2 N; y; m光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
8 |( Q: @# @- g: Z& O( T[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
% y" T) S. w$ V6 A对于光刻机，公式演变为：9 O. A3 Q( b$ ^" e' H: a
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]9 [( P( P/ B8 G3 Z+ m9 P* y8 b4 X
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：$ b7 N3 R: E+ b" ]
1. 436 nm (水银灯"g-line")
% h7 k1 _8 P) v5 }; I2. 405 nm (水银灯"h-line")
0 \3 m& r2 Z: ^9 ?3. 365 nm (水银灯"i-line")
" @0 q( j/ \; M+ O# ~& {$ v4. 248 nm (KrF激光)7 X* u2 ?6 W( v
5. 193 nm (ArF激光): |0 Z, d5 O8 {. K
6. 13.5 nm (EUV激光)% x! ?/ u- d$ q
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
, f9 H& I0 ~0 `2 @2 ]按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：8 R  H5 p) Z$ s% B8 P
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。+ p$ w" {% y2 T
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。( J4 C0 r! p. \3 u7 F  f$ ^
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。" a' N) l/ l2 U+ l8 N2 P
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。5 a9 _9 x) o( C* R

+ [* @( o- V% ^+ }. k( h! }# U3 V网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18' p) q& K1 ^; U4 |1 d
我还以为你才30多岁。。。
9 x9 u0 n9 @1 b3 \8 X
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
* \9 X6 J, c0 B! [- K! ~/ v$ _  f$ z+ w7 n3 n8 P
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。( q5 E/ r$ T3 a% W* s

5 b8 A' ^  K$ V" v凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
2 {& D9 l# M7 V# [( ?
2 [6 H+ X. a4 m! q工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
4 e; X. r7 D5 B2 E- f  u
, q( G% |9 h( h1 W+ M" V按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
2 u& M" Q, \4 j9 V2 Q确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的+ _1 V7 D5 S! I. S- ?! l$ M' u

% B! N/ [% I6 Y, k0 b延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。# U, M. T3 |, z# l
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。5 S  p0 O5 C) E2 |  S

3 x4 p7 y/ _& |2 Q8 p6 s& N另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html% G; H' C5 B0 D& s  u% X
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
' x' s. [, P) ?9 f9 L: [  [2.1集成电路生产装备  u% _3 K3 V. L- f9 R9 W; ?
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅% I, z* O/ _* x
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗4 W6 O7 j" ?4 ~( _1 A9 A
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm) s' O' i6 A3 A; H0 N' `
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
9 L4 |0 x% f1 W" p' \2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
( o+ K7 Z6 T3 ]* h. z2 M2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm3 E& c$ M2 V# T3 R) T8 x
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%# B- l( y  C: @5 a$ c
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA$ D1 K# M  y' W2 y# F
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀0 M, o1 |2 d; \# d
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
) Q7 c7 S! d1 O" P: v. v- E2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
% @9 t, d$ l& n; W; o1 a4 d: {2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积& q  z$ Q; ~+ t% \
2.1.13化学机械抛光机
4 z$ X' P& Y( Z" u2 ~) n* R    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
  J2 j; r8 y0 J7 _* e    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
) e0 K4 i  P/ M9 O    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
, v, C% c  Y, r/ V    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
) n# A, U0 A; C# K4 Q" R0 S& ~2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm9 `. z( M3 W. V
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
2 Z* I/ W. f+ j' }/ t/ v9 ^* M- B+ g6 z- P3 f
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
  n  {0 @3 B/ M% b3 S: x
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:461 s- o; ~9 n2 P
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

/ p. j1 X! U9 n; q8 y个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
5 [1 q' H/ r& h/ y0 U( Q2 F# Y感谢感谢
) j" b9 |! @2 V0 R7 D+ [5 p  a, U; L- T. T8 Y2 T& g& S
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
& k# l+ [$ o  R% Y
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！/ F4 u; Z0 ^; I

7 K8 U& x. w( ^. Y4 m% G% ^, v3 S个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
3 ]+ ?6 n" |- G7 r0 j' F
4 a1 g$ s# B0 t' ?) y  n1、内行人一看就知道，还在65nm
' f3 V. r: W( ?  I2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
4 N4 [# i: _4 T5 }: I6 E  k; H  U3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
% T, Q1 C0 G/ F$ c( O) v8 B' o" v  Z' W
然后就要等EUV了。
. g! ^( T; ?) p  O: `- w0 x# r5 G5 Q+ a! S: W
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？1 j; p4 J# F% Z' w1 U1 B

' H* }9 n1 s9 J! ^4 |3 e# S& r在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
  {) b6 H; D0 j' Z* j也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
/ S( x* {! A$ m+ X! d, k5 M% {; Q. Y5 L7 _- f! A! G; f
个人感觉：相比于前一阵 ...
2 v! j6 }4 K. i) ^9 @! y+ l
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
$ @2 p9 m, I' l' D/ T
# a5 [; A% t% g从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
6 W" E" @) H+ R  O" Z
' k5 W6 D1 F# C  C6 E% T以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
+ Y( c0 E6 @3 P) L  R# c+ @6 r* a. L1 z8 t8 k- U/ K7 a

1 j4 H% n9 }+ `SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。& t, B( W6 U, F0 w
8 O# h$ y' k% H8 N2 @* M' s0 U) ]+ p" `
) ~3 O8 Z) v" ~1 r+ O. j2 j
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
( p* K* Z% B0 E1 x2 s# r) oEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
( B5 A, y9 v/ N( K; ^0 h
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46) Q; r$ s  x/ O. T, N" [
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。% O8 C4 F: l4 ^; H1 E9 s

( z& r) b, T+ A3 n) D5 s从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

7 S5 |5 t# e- j7 p* ]不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
' L! |3 z! |! ^9 ^也就是说，EUV用浸水没有用？
4 T. b7 u! p" _! p" T. ^% T8 k
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
4 D0 R& }# W- [, b, ?5 i理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

2 o/ a& W. Z2 Q. T' L是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39; {, {6 v/ A* A+ P- c
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
) J; w9 _5 {9 e8 M
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
1 Z) y* c2 D8 r2 K2 e我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。+ O; m$ J4 T% h$ |
7 p, o# _+ \2 ~8 z+ W
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
5 A5 a% `) f/ z- L# j  R  c也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！0 J2 [8 M7 K  r# U

( t- j- U( [- b4 D1 q2 J5 }个人感觉：相比于前一阵 ...
" s# I" G+ o$ A3 Y+ b+ ~' j
3 G% y0 _$ Y2 s( X, _( \
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

) r! s  h0 M, K; L4 r应该会在5年内实现吧。
* U& V/ Y  [4 A9 J) m/ j/ c1 m. }0 t$ z+ I( h1 K+ Q! v5 Q. t
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
( G) e# I, d) y) c, d% g24-9-16 23:55
4 F7 R& B- |% ^& ^0 H8 \发布于 湖南
0 M9 H: p# k( w. h* N  b. ]来自 微博网页版6 i, _+ w* B  z7 K9 |, T6 L( ]
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
7 T2 F* g: M/ ^! q- H不是运过来就能直接开工的。
% `0 v! Z4 h4 t# M8 _* V+ M2 M他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
7 \" g2 Z( Y; u; K& c% _! ~+ q
' B0 _' m- c/ F3 W$ a这个时间很长，也是我常年说：- a! x% a% f. E1 e  _! I7 |$ Q, l
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
( Z* |1 z' `8 g# C( e- y$ x# k7 l( M; E5 s
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。' k) H" d  ^) e" N: n+ ]- \
$ p' u; f! q3 s9 L: Q7 e
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。# A  f+ _1 z0 E- X, `9 V
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
& N  D$ n' I+ e$ p多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）( o: j) n+ s0 q3 N1 s* P6 f% F
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
5 k. _9 W6 T; H+ O* j% G( Q% F0 P2 u$ _9 E: J  e
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
% {; Q1 ^* S. v' w: ?4 k6 S: p0 z4 z普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。* I( H* M0 S0 N0 J- D
#华为mate70# 也没多久了。
, p! i1 j4 Y/ U$ b& g
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:069 v* W( \, I' }7 H
应该会在5年内实现吧。( R% d  T% ?% `' g
+ B0 }# P3 b2 `; D+ s' H
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
: I& p8 K8 H9 I

) n% K, a8 }( v9 J. m这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15/ R4 W  h5 i( i: t
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

$ c$ _; }9 i! O, ]* {6 }4 B# t0 U4 f但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
- p7 ?  v8 z  i+ S* g
晨枫 发表于 2024-9-16 16:399 W  s2 w) e9 l
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
' U9 a. w5 e6 W6 D1 v
/ n, @( ]& z9 Q  `& _% U
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! g; y% ~3 f0 t( ]所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:343 u  t# O' f2 E" L2 |3 J5 |; O
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
* ^- s6 y' X, v7 b3 y
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54! M7 ^; H  \/ I9 F5 P: @7 J2 h  v
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* N! g2 G+ O- p1 J9 _! _. O
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

8 c4 p6 t, d! `4 k有道理。
; O! f* b, P! c5 Z$ `% w
: ~" R$ d, T# `& }- I2 B' X不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
7 U9 P# X: g+ L$ Z/ q! Z
/ ?3 e! v! Z7 D: F中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
- U% K; ?* d$ J
0 n; i- C7 k. L+ d" u2 D1 q* A6 `这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
: L& P) n5 K" L3 }# ?理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

+ r% a" _8 S8 O2 X- Q; k这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54; w9 q6 V+ B2 s+ j/ l) K) b- f
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% ?% I" R2 H; D5 r' u) P9 p所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

+ f4 r1 v( ~+ K' \: o. K还没搞定？
3 {, f/ l/ x  s% @+ f' H3 j2 P我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。+ k* f6 a- `; N) ?
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。- s% I3 x1 ]* m% H& ?* b* s
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
9 ~9 u, Y9 |9 a1 o6 @按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
8 i$ m1 b  j4 ?, \0 l$ N$ u所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
3 m  c4 a8 G& V7 ?, S
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
/ T& T8 m( y- @9 y有道理。
2 Q3 @% W, z8 ~4 m0 z+ x
* H# e. u+ h$ o& y3 E. t7 m; Y1 X不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
8 q" c5 a, S8 X$ K5 t3 l
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。& H: _" c8 a, E& M
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 6 q  u9 o: [/ g% o, q( i& F) r
雷声 发表于 2024-9-16 19:19! e+ T! i+ N7 c- C" ?
还没搞定？
; I( L0 K- u! g. C我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

  b, V+ u% \& J& A( V2 J/ M( M& F- ~) n( z4 O) ^) Y/ Z
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
6 {! N/ ~- Q. s, ]9 [- @+ E有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
+ ]. x/ [+ e! q突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
* W4 `& e# d+ V  z
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
% Z) A* M+ @) D& H存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

( R# `* q% G+ _/ @: z需要用到浸润DUV吗？- |9 v0 y9 H3 ?/ U" `6 z, t( Y. B9 C
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
; Z# i* G! ]' Y$ [需要用到浸润DUV吗？2 \) e8 W) l5 E/ L% \
: S# e6 z$ j% M: |& D6 ~3 O/ I, I0 `% J
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

  ~9 o' v2 S+ j浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23" v+ w+ ^) v, ~0 k! r: a! P
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

. @) s' p0 i; h5 p1 a是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。' e/ p5 m& T2 }& ^' q
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37) g2 ~: ?( C5 t" w7 P
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

  ^& |! E" U" H0 D9 u" Z) J都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:549 Z9 t* ?% J) m
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
+ O' o1 d) \' _* q5 _/ v/ P) d所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
! j8 C; Q. {6 r
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
% |" w; a. m+ K0 F2 s' }具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

1 y* U' m  Y5 G5 d( C9 y2 F3 {, n* Q& I5 L6 r
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
4 M' u# P5 j3 g4 {& l都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

, R# v7 U  K6 g. g. e" G不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13  [0 g+ l! G5 b1 f+ W: }1 v3 ]
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

  l; \2 p! o- ~" t0 B中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
% |5 ?4 D8 ~6 o# x5 N" L3 K在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。' u' a: h( U0 U7 F5 W
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
- |& P& ^# w; A: m6 A  n
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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