爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑   @! H# b+ N. ~. I
7 q& U/ }# {4 D) x6 c* v( M& c  S
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。5 }% Q( k) ]1 O0 B$ M" H* i$ c9 T% l! e
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。  |: f, i5 X1 O/ h3 O( K4 G
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：4 R$ Z) m% \4 |
1. 表面清洗
4 P" f6 m; f1 S, |6 ~* [$ T2. 预处理! P8 O' G: Q, `+ [' w
3. 甩胶
7 v0 ~4 Y) U+ V2 o$ {2 m0 W4. 曝光* O9 q( D3 k- }& F. a
5. develop（显影？）; ?1 R3 e1 J0 C
6. 刻蚀/离子注入
8 ~0 h' [2 M+ g7. 去胶7 b3 f. d' q2 d. B  o
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
4 B: L* \* @5 Z8 v# A3 j[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]# a& \2 k0 B  u. s' N
对于光刻机，公式演变为：' [* a. m, @/ H
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
3 H# l( r4 @! b, J' _4 v这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
8 _7 M/ _1 c* |+ z1. 436 nm (水银灯"g-line")
$ m9 y: b# W6 a8 X# h# c& d2. 405 nm (水银灯"h-line") / a& Z4 M2 a- M( K& d
3. 365 nm (水银灯"i-line")
0 s4 N7 l, V# z; u4. 248 nm (KrF激光), V  ~: E2 I8 ~! a+ Z/ Q4 V6 |
5. 193 nm (ArF激光)4 c5 d& P) b, t# v5 C
6. 13.5 nm (EUV激光)
! n: R6 i) t1 D) ~工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
- |, P- t9 D+ H( q. `6 D按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：; r* f4 j0 s% H& R" j2 u! e
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。7 J& x6 E1 u# J8 M) Q5 C
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
1 x+ l& y, }  O# o$ F! J3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。$ x& O4 k$ ~3 k' ?+ k) |2 E
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。* P) \2 J8 `9 z. n1 D2 X# w

: E2 U: t6 C$ L" i& ]网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18% O, S) \5 w4 M$ A9 B) a; n& e: {
我还以为你才30多岁。。。

$ G  `) N1 t! l1 v6 o6 v西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
$ b6 j# B( y4 G
1 R- y, z' p5 _6 B国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。5 N( |& F# [1 S$ X3 ~& [6 e  U
- p3 A. g$ F- P( b6 a& K+ S
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
* n0 V, O& v- F; i7 d' X- T' c* ~2 ^  T% B" u; d! \. y/ K9 a# N0 W
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
: [9 k( h; K1 {' _, B6 i0 T0 w0 I0 W  T9 R- a4 i3 m
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
  v3 w! b" j/ r, C  O% ~# d确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的6 i0 N% ?# r- ^$ H  Z4 ~
. [% o) r; A! I6 F2 y: F$ R
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
2 ]5 ]5 C2 W6 z2 W) F* Z5 o/ O那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。2 u6 t6 V" M8 F) v. F3 a
: T: N; {0 j- @4 w
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
' L. m5 P$ p( z# t! |) |; P  I和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：, n4 A5 y  I3 t" V+ W1 [
2.1集成电路生产装备
+ L/ G& j! Z6 j* \6 c$ Q) o1 ^$ t+ c2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
& {+ G; g9 J( c. @9 U1 \8 l. |' M2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
3 A0 Z/ y# v3 i6 {! u* s, w2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm8 E) K' l1 S0 V; v; I+ O
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影, G( r0 N& y, ]/ w
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
; ?: T2 S; j7 ^& I2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
, q( ]- y5 q5 [4 A) O2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%2 J* k  e: K$ R+ U/ C$ ]- ^
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA+ e2 j$ e6 w: J/ l6 k" C
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀5 A0 C1 ?5 M* ~, G) ]3 i
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°( v8 w: n9 Q$ u  m* g) F0 }
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
) K6 v/ y& |3 B+ c" U# O2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
* ]5 H3 g9 f& {+ M: x2.1.13化学机械抛光机
) m1 S& n; X3 X8 M+ J! t! d- u    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
8 R( y2 q9 V% F2 q    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min* @& \( Y# t! x8 S; n
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min% J1 Y5 H) F" m1 ]% C7 @
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min; v; X" P. e. X  u: }
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
8 k6 ^% k+ n( J2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm: p: ]/ R- }$ T  H- I4 c
4 j! ?; Q& g7 ^% G! P# B* ^
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
" f. u/ _$ @. q$ k) u5 z5 Y
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46- [. n( `. q! t: q6 c  T+ O
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

" i& s' ?; }. O3 x) ~个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
5 W" d# O7 U. ^感谢感谢, I$ g; I5 [. k- S
8 p" C6 d  P, m, `, [
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
: z% G3 k" g6 o" G& |+ p, a7 G  a
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！$ _% R: g( G: E+ D/ v5 T! R

8 D0 x  O6 K/ {个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。" E: [1 Q1 P  S! |

! D% |. C; m) q* T1、内行人一看就知道，还在65nm
7 }1 r1 Q" [, |9 a" w1 c/ H2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm" Q9 ~7 @8 }" c* W: ~  E$ n7 B
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平6 T# Z. x( E+ p2 `& t6 M4 X
5 I8 c; O' I3 z5 [1 ~3 _1 o2 s* N
然后就要等EUV了。) p. _+ p2 e/ w  O

3 Y3 X+ p! s  ?" S' M: R) V. w/ [会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
" M9 B6 k! P# a) l; m% {7 }5 _5 A- h4 _. `( S
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
3 }" |6 k% X3 j6 v$ ~7 t$ }# @  U也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！+ `$ |- d+ T( B: L
  s  }3 I1 y, c) z/ j! S
个人感觉：相比于前一阵 ...
! b9 Z- K7 n, }. ]$ v' j# `
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。- g4 Y5 j+ `5 A' G0 D. B- m
2 r/ n  B* g4 e# l1 d  P& V
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
* q4 x1 v7 [% l: \. ~, p  h
6 Z' H: _$ {! L- Z$ j以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。: b2 a0 g% }" i! }. P% y+ m

; ]/ N/ Z8 [8 t; K5 a5 Q- {1 X# D& q
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。4 X7 N. k" U4 o2 G5 j1 E

1 o1 J- y! d% J0 c' K( I. ?7 j! e  P( {4 v
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
! x% P4 L( Z; ?( L" vEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
  _' A, {! @- @
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:463 S# W8 i2 d/ ], r& e( ?4 c8 G2 r
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。" Z) y/ X% [9 U* {: w1 y

, {% O! `# X1 c- l& m0 A从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
6 G3 I) l$ N- X8 Z
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
+ \5 o8 e+ @5 E. Z6 ?也就是说，EUV用浸水没有用？
% F; M. W* X6 Y. z4 Z/ T
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
! }: E. s( y% f理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
& Q' J! W% c" @0 u. N7 q, l
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
. z. o; y; A, w! U% i# F5 E3 P- k/ X* n是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
. I5 K) H4 j3 R& ?
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
: I; J3 l4 h& Z' I我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。0 t1 C$ }. @# D0 J- F1 b3 i

+ a$ }; \& r' |https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
" D. f: k- a) \0 J也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
  s. S  h2 e# h% e/ @
8 w! g) Q# u9 L, A5 p2 m个人感觉：相比于前一阵 ...

' v" s+ R  ]  q2 A6 b  a
7 D/ }0 _+ x( [! [6 G% M7 l9 E& r
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

; L( X% s& B- u$ J3 |4 _4 |应该会在5年内实现吧。
( o7 }/ k% d% V' A; B
% W1 |: }8 S8 O5 \" ^  F微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
7 f' Q5 h3 ?1 `24-9-16 23:55
" U/ @0 B2 V/ k: q0 e! }. p发布于 湖南& ^9 O+ C8 L2 X$ j7 f
来自 微博网页版7 z3 V7 |% Q$ M4 V6 |
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
  ~0 M- W7 I, O$ y" z; W不是运过来就能直接开工的。
2 m5 e, ~  m4 B他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
- @+ f1 {2 h  t4 y& ]2 F. }& I0 H: \3 _$ W( o9 ^
这个时间很长，也是我常年说：
2 Q+ E( L3 i% V就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
) k8 u2 H# z% ]: Q+ S
6 l. S6 A0 m+ a( Z6 S  s现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
7 [: t4 |: t# r4 T! ^& h! m, d( |, y0 J6 y7 ~. i! @
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。5 i8 |1 P) D1 V" r7 J
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）. t) |6 k* J# H6 S" j0 V8 G) _
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
' S  z$ `9 D% ?, [但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了0 T! j3 a2 S9 ?
0 V. h/ l0 \$ |
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
. i& K; G$ j3 u( h6 M普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
$ O* J1 H2 G8 L2 e* p. d: G: d#华为mate70# 也没多久了。8 v% N" I. V) C$ m4 a
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
0 w% I; F7 r  e, T0 v3 D: d应该会在5年内实现吧。
" p& _$ Y7 z+ ^
  s+ W: x2 Q; I  ^" F微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

' r  u3 o( k( \2 e! j8 v$ r( P* `6 f9 J2 w( R! ]
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
" X8 F1 }, V9 P" j6 Y" H4 ]2 y1 ^. ?9 ?这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
6 _: Z1 H" O. ], I- ^; v  H
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
3 O9 t' \# L; {. x9 C
晨枫 发表于 2024-9-16 16:391 A$ O6 t8 \4 n. Q8 ^0 T0 u
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
) I2 K% V2 r# i1 i

; k1 V$ ?; D9 A3 q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定& b: G3 b# k6 V! X1 i
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
( d' J1 b5 U1 \不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

/ d9 {, Z" e( }理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
+ y' {2 A0 }" V: a: C按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定6 T4 F5 E$ Q0 S7 _- A3 j0 F* x) Y
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

0 G7 ]4 y  r* H7 P+ b2 [有道理。9 `7 F3 S& f7 t: D
: q. h# \- l2 d) W! Q& W
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。+ ~! u+ v0 Z$ h! d

1 ?2 w( p! b' f( W% r5 O' Z+ |中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。( M( p. m0 H0 b. c! j

& u$ C4 l! A# j6 ~3 _6 ?( ?6 ]这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08: \2 A% l. C# h; H
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
- B5 l# x  L- Q* w8 D: C3 w5 U6 G, N
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54: x7 ], b' J4 m0 y5 E8 M# W
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
6 `2 l& r$ Q" [2 \所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
: U% r3 q( }- P) i, `. c3 z
还没搞定？
0 K9 X) M& P8 D9 {我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。2 E' C" \/ \! y( m4 n7 c9 L
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。9 z$ ~7 s7 v( \# P$ g# m
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:545 u9 v/ [- \1 p$ C6 F" ^) ]8 i
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定0 z1 @& e' M4 T6 c0 c& n
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
. P+ b* Y: _! b9 ^3 D
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:131 D/ ^$ U2 I, ?  E8 }  @: v5 o3 j
有道理。5 T  l: ?+ J0 M* i( [' W+ i0 a: s! \

/ @+ |) q; t5 q1 Z不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

. L& }/ i; r8 e" j) j, L可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。0 r7 t& U0 R. g, G* A( }( j
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
  r( w( h+ M5 i3 G1 j7 d: }4 P
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
8 W0 G% G5 H* j8 Z' o还没搞定？
' O3 B7 _, D$ ^# L- D我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
/ K; ?" {. U3 {# N2 o; _) ]

' T! C  f2 P% ]$ K8 uNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
8 R! N  Q# J  z4 @8 K有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
* D- r. K% _3 t/ A9 _突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

- b% \, \: k$ f* L, f6 k5 ~! P存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
9 K# @5 I" K0 A9 X* M) l4 y7 _存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
) c( L% c0 e' B, M* S: t/ l5 c
需要用到浸润DUV吗？7 R5 X" ~; p, V- F: ?7 C
5 I+ D2 W5 c2 {& @; n
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
, b$ r, V' N, c需要用到浸润DUV吗？
) O: Z  b" ^" d" o' d% p3 {# i; w' l5 Y! L, e
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
& U% l" Z3 d# r
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
; e% A) E5 ^, c3 \- [3 p7 j& z可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
- C. t1 x9 L9 O0 A7 h9 P9 p5 p
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。; G) B9 P8 R: }; F1 p- ]

! i% z( O2 [1 V* j* u, |( K硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
, M) _8 y+ {( s" `% N" X浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

0 j* v7 n. Z3 V; M. L- ~7 a9 l都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54: \$ q$ ^: O1 @0 K7 f. O* X
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定- J" N4 z! A: j1 Q+ h3 a
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

+ G9 N' i5 F, j4 P& R具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 ! U' u+ S& z+ G5 g0 J& e6 ?/ G$ U9 ]- T
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
8 l+ F9 M: T7 s( U, D  f具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

/ T# U% e; `2 C( ^5 j$ j
* w0 @$ ]  \* L4 W这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40! ~+ J8 H% [; u5 e
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

4 d5 l/ ~+ X# n% @1 k$ H) B不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13* z7 ]1 }# M! t# g
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
+ u- x/ l$ t6 Y$ `& S. p1 h$ u8 J- a
中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
7 ?* M4 U, z* }6 }7 s; |在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。! L$ P2 C0 b4 z2 v! C" r
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

1 Q1 Y# J$ p, b9 J7 U我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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